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    • 1. 发明专利
    • 溝渠式閘極金氧半場效電晶體
    • 沟渠式闸极金氧半场效应管
    • TW201507154A
    • 2015-02-16
    • TW103137402
    • 2012-07-13
    • 力祥半導體股份有限公司UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
    • 詹前陵CHAN, CHIEN LING李祈祥LEE, CHI HSIANG
    • H01L29/772H01L29/78
    • 一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體。磊晶層配置於基底上。主體層配置於磊晶層中。磊晶層中具有第一溝渠,主體層中具有第二溝渠,第一溝渠配置於第二溝渠下方,且第一溝渠的寬度小於第二溝渠的寬度。第一絕緣層配置於第一溝渠的表面上。第一導體層填滿第一溝渠且延伸至第二溝渠中。第二導體層填滿第二溝渠。第二絕緣層配置於第二導體層與主體層之間以及第二導體層與第一導體層之間。介電層配置於磊晶層上且覆蓋第二導體層。二摻雜區分別配置於第二溝渠之兩側的主體層中。
    • 一种沟渠式闸极金氧半场效应管。磊晶层配置于基底上。主体层配置于磊晶层中。磊晶层中具有第一沟渠,主体层中具有第二沟渠,第一沟渠配置于第二沟渠下方,且第一沟渠的宽度小于第二沟渠的宽度。第一绝缘层配置于第一沟渠的表面上。第一导体层填满第一沟渠且延伸至第二沟渠中。第二导体层填满第二沟渠。第二绝缘层配置于第二导体层与主体层之间以及第二导体层与第一导体层之间。介电层配置于磊晶层上且覆盖第二导体层。二掺杂区分别配置于第二沟渠之两侧的主体层中。
    • 4. 发明专利
    • 溝渠式閘極金氧半場效電晶體
    • 沟渠式闸极金氧半场效应管
    • TW201507153A
    • 2015-02-16
    • TW103137400
    • 2012-07-13
    • 力祥半導體股份有限公司UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
    • 詹前陵CHAN, CHIEN LING李祈祥LEE, CHI HSIANG
    • H01L29/772H01L29/78
    • 一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體。磊晶層配置於基底上。主體層配置在磊晶層中。磊晶層中具有第一溝渠,主體層中具有第二溝渠,且第一溝渠配置於第二溝渠下方第一絕緣層配置於第一溝渠的表面上。第二絕緣層配置於第一溝渠中。第一導體層配置於第一絕緣層與第二絕緣層之間。第二導體層配置於第二溝渠中。第三絕緣層配置於第二導體層與主體層之間以及第二導體層與第一導體層之間。介電層配置於磊晶層上且覆蓋第二導體層。二摻雜區分別配置於第二溝渠兩側的主體層中。
    • 一种沟渠式闸极金氧半场效应管。磊晶层配置于基底上。主体层配置在磊晶层中。磊晶层中具有第一沟渠,主体层中具有第二沟渠,且第一沟渠配置于第二沟渠下方第一绝缘层配置于第一沟渠的表面上。第二绝缘层配置于第一沟渠中。第一导体层配置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第二导体层配置于第二沟渠中。第三绝缘层配置于第二导体层与主体层之间以及第二导体层与第一导体层之间。介电层配置于磊晶层上且覆盖第二导体层。二掺杂区分别配置于第二沟渠两侧的主体层中。