专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201507154A 溝渠式閘極金氧半場效電晶體审中-公开
简体标题：沟渠式闸极金氧半场效应管
公开(公告)号：TW201507154A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103137402
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78
摘要：一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體。磊晶層配置於基底上。主體層配置於磊晶層中。磊晶層中具有第一溝渠，主體層中具有第二溝渠，第一溝渠配置於第二溝渠下方，且第一溝渠的寬度小於第二溝渠的寬度。第一絕緣層配置於第一溝渠的表面上。第一導體層填滿第一溝渠且延伸至第二溝渠中。第二導體層填滿第二溝渠。第二絕緣層配置於第二導體層與主體層之間以及第二導體層與第一導體層之間。介電層配置於磊晶層上且覆蓋第二導體層。二摻雜區分別配置於第二溝渠之兩側的主體層中。
简体摘要：一种沟渠式闸极金氧半场效应管。磊晶层配置于基底上。主体层配置于磊晶层中。磊晶层中具有第一沟渠，主体层中具有第二沟渠，第一沟渠配置于第二沟渠下方，且第一沟渠的宽度小于第二沟渠的宽度。第一绝缘层配置于第一沟渠的表面上。第一导体层填满第一沟渠且延伸至第二沟渠中。第二导体层填满第二沟渠。第二绝缘层配置于第二导体层与主体层之间以及第二导体层与第一导体层之间。介电层配置于磊晶层上且覆盖第二导体层。二掺杂区分别配置于第二沟渠之两侧的主体层中。

2. 发明专利

TWI546956B 溝渠式閘極金氧半場效電晶體有权
简体标题：沟渠式闸极金氧半场效应管
公开(公告)号：TWI546956B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103137400
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78

3. 发明专利

TWI512841B 溝槽式閘極金氧半場效電晶體的製造方法有权
简体标题：沟槽式闸极金氧半场效应管的制造方法
公开(公告)号：TWI512841B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101125348
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/0223 , H01L21/28035 , H01L21/32133 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66666 , H01L29/66727 , H01L29/66734

4. 发明专利

TW201507153A 溝渠式閘極金氧半場效電晶體审中-公开
简体标题：沟渠式闸极金氧半场效应管
公开(公告)号：TW201507153A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103137400
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78
摘要：一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體。磊晶層配置於基底上。主體層配置在磊晶層中。磊晶層中具有第一溝渠，主體層中具有第二溝渠，且第一溝渠配置於第二溝渠下方第一絕緣層配置於第一溝渠的表面上。第二絕緣層配置於第一溝渠中。第一導體層配置於第一絕緣層與第二絕緣層之間。第二導體層配置於第二溝渠中。第三絕緣層配置於第二導體層與主體層之間以及第二導體層與第一導體層之間。介電層配置於磊晶層上且覆蓋第二導體層。二摻雜區分別配置於第二溝渠兩側的主體層中。
简体摘要：一种沟渠式闸极金氧半场效应管。磊晶层配置于基底上。主体层配置在磊晶层中。磊晶层中具有第一沟渠，主体层中具有第二沟渠，且第一沟渠配置于第二沟渠下方第一绝缘层配置于第一沟渠的表面上。第二绝缘层配置于第一沟渠中。第一导体层配置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第二导体层配置于第二沟渠中。第三绝缘层配置于第二导体层与主体层之间以及第二导体层与第一导体层之间。介电层配置于磊晶层上且覆盖第二导体层。二掺杂区分别配置于第二沟渠两侧的主体层中。

5. 发明专利

TWI470790B 溝渠式閘極金氧半場效電晶體有权
简体标题：沟渠式闸极金氧半场效应管
公开(公告)号：TWI470790B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101125354
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7827

6. 发明专利

TW201403813A 溝渠式閘極金氧半場效電晶體审中-公开
简体标题：沟渠式闸极金氧半场效应管
公开(公告)号：TW201403813A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101125354
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7827
摘要：一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體。磊晶層配置於基底上。主體層配置在磊晶層中。磊晶層中具有第一溝渠，主體層中具有第二溝渠，且第一溝渠配置於第二溝渠下方。第一導體層配置於第一溝渠中。第一絕緣層配置於第一導體層與磊晶層之間。第二導體層配置於第二溝渠之側壁上。第二絕緣層配置於第二導體層與主體層之間以及第二導體層與第一導體層之間。介電層配置於磊晶層上並填滿第二溝渠。二摻雜區分別配置於第二溝渠之兩側的主體層中。
简体摘要：一种沟渠式闸极金氧半场效应管。磊晶层配置于基底上。主体层配置在磊晶层中。磊晶层中具有第一沟渠，主体层中具有第二沟渠，且第一沟渠配置于第二沟渠下方。第一导体层配置于第一沟渠中。第一绝缘层配置于第一导体层与磊晶层之间。第二导体层配置于第二沟渠之侧壁上。第二绝缘层配置于第二导体层与主体层之间以及第二导体层与第一导体层之间。介电层配置于磊晶层上并填满第二沟渠。二掺杂区分别配置于第二沟渠之两侧的主体层中。

7. 发明专利

TW201403717A 溝槽式閘極金氧半場效電晶體的製造方法审中-公开
简体标题：沟槽式闸极金氧半场效应管的制造方法
公开(公告)号：TW201403717A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101125348
申请日：2012-07-13
申请人：力祥半導體股份有限公司 , UBIQ SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：詹前陵 , CHAN, CHIEN LING , 李祈祥 , LEE, CHI HSIANG
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/0223 , H01L21/28035 , H01L21/32133 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66666 , H01L29/66727 , H01L29/66734
摘要：一種溝渠式閘極金氧半場效電晶體的製造方法。於基底上形成磊晶層。於磊晶層中形成溝渠。於磊晶層及溝渠的表面上順應性地形成第一絕緣層。於溝渠的底部形成第一導體層。移除部分第一絕緣層，以形成裸露出第一導體層上部的第二絕緣層。進行氧化製程，將第一導體層氧化成第三絕緣層，上述氧化製程同時於磊晶層的表面及溝渠的側壁上形成第四絕緣層。於溝渠中形成第二導體層。二主體層分別形成於溝渠兩側的磊晶層中。二摻雜區分別形成於溝渠之兩側的主體層中。
简体摘要：一种沟渠式闸极金氧半场效应管的制造方法。于基底上形成磊晶层。于磊晶层中形成沟渠。于磊晶层及沟渠的表面上顺应性地形成第一绝缘层。于沟渠的底部形成第一导体层。移除部分第一绝缘层，以形成裸露出第一导体层上部的第二绝缘层。进行氧化制程，将第一导体层氧化成第三绝缘层，上述氧化制程同时于磊晶层的表面及沟渠的侧壁上形成第四绝缘层。于沟渠中形成第二导体层。二主体层分别形成于沟渠两侧的磊晶层中。二掺杂区分别形成于沟渠之两侧的主体层中。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式