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    • 1. 发明专利
    • 電源供應器電路 POWER SUPPLY CIRCUIT
    • 电源供应器电路 POWER SUPPLY CIRCUIT
    • TW200826545A
    • 2008-06-16
    • TW096128682
    • 2007-08-03
    • 力泰克斯半導體公司 ZETEX SEMICONDUCTORS PLC
    • 芬尼 阿達恩 FINNEY, ADRIAN
    • H04L
    • G01R31/40G01R19/16519G01R19/16547G01R31/026H01L27/088H01L29/7803H01L29/7811H04L12/10
    • 一種電源供應器電路具有一第一MOSFET,其介於該源極與汲極之間具有一本體區域。該本體區域被連接而與該源極具有相同電位。將一適當電位施用於該閘極會造成該MOSFET切換至一傳導導通狀態。該電源供應器電路亦具有信號產生電路,其產生一信號以指出該第一MOSFET之一傳導狀態。該信號產生電路產生一不同於該源極電位之預定電位的一參考電壓。該電源供應器電路更包含一第二MOSFET,其具有被連接而與該第一MOSFET之該汲極具有相同電位之一本體區域,而該第二閘極連接來接收該參考電壓。該第一MOSFET之該汲極的該電位下降一預定電壓而低於該參考電壓時,該第二MOSFET於該第二源極與該第二汲極之間切換至一傳導導通狀態,該信號會根據該第二MOSFET之該狀態。
    • 一种电源供应器电路具有一第一MOSFET,其介于该源极与汲极之间具有一本体区域。该本体区域被连接而与该源极具有相同电位。将一适当电位施用于该闸极会造成该MOSFET切换至一传导导通状态。该电源供应器电路亦具有信号产生电路,其产生一信号以指出该第一MOSFET之一传导状态。该信号产生电路产生一不同于该源极电位之预定电位的一参考电压。该电源供应器电路更包含一第二MOSFET,其具有被连接而与该第一MOSFET之该汲极具有相同电位之一本体区域,而该第二闸极连接来接收该参考电压。该第一MOSFET之该汲极的该电位下降一预定电压而低于该参考电压时,该第二MOSFET于该第二源极与该第二汲极之间切换至一传导导通状态,该信号会根据该第二MOSFET之该状态。