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1. 发明专利

TWI618072B 電源切換電路有权
简体标题：电源切换电路
公开(公告)号：TWI618072B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW106101257
申请日：2017-01-13
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：黃智揚 , HUANG, CHIH YANG , 古惟銘 , KU, WEI MING
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/12 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/10 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0458 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/42328

2. 发明专利

TWI485711B 快閃記憶體裝置有权
简体标题：闪存设备
公开(公告)号：TWI485711B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101109528
申请日：2012-03-20
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：楊青松 , YANG, CHING SUNG , 景文澔 , CHING, WEN HAO , 古惟銘 , KU, WEI MING , 陳永祥 , CHEN, YUNG HSIANG , 王世辰 , WANG, SHIH CHEN , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING
IPC分类号： G11C16/10

3. 发明专利

TWI415388B 電晶體免於高電壓應力並可操作在低電壓之電位轉換電路有权
简体标题：晶体管免于高电压应力并可操作在低电压之电位转换电路
公开(公告)号：TWI415388B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW098142473
申请日：2009-12-11
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：古惟銘 , KU, WEI MING
IPC分类号： H03K17/10
CPC分类号： H03K3/356113 , H03K3/0375

4. 发明专利

TW201727649A 電源切換電路审中-公开
简体标题：电源切换电路
公开(公告)号：TW201727649A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106101257
申请日：2017-01-13
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：黃智揚 , HUANG, CHIH YANG , 古惟銘 , KU, WEI MING
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/12 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/10 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0458 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/42328
摘要：一電源切換電路包括：一第一電晶體、第二電晶體與一電流源。第一電晶體的一第一源汲端與一閘極端分別接收一第一供應電壓與一第二供應電壓，一第二源汲端與一體極端連接至一節點z，且該節點z產生一輸出信號。一第二電晶體的一第一源汲端與一閘極端分別接收該第二供應電壓與該第一供應電壓，一第二源汲端與一體極端連接至該節點z。一電流源連接於一偏壓電壓與該節點z之間。該第一供應電壓、該第二供應電壓或者該偏壓電壓可被選擇成為該輸出信號。
简体摘要：一电源切换电路包括：一第一晶体管、第二晶体管与一电流源。第一晶体管的一第一源汲端与一闸极端分别接收一第一供应电压与一第二供应电压，一第二源汲端与一体极端连接至一节点z，且该节点z产生一输出信号。一第二晶体管的一第一源汲端与一闸极端分别接收该第二供应电压与该第一供应电压，一第二源汲端与一体极端连接至该节点z。一电流源连接于一偏压电压与该节点z之间。该第一供应电压、该第二供应电压或者该偏压电压可被选择成为该输出信号。

5. 发明专利

TW201528270A 非揮發性記憶體审中-公开
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TW201528270A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103138175
申请日：2014-11-04
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：古惟銘 , KU, WEI MING
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10
CPC分类号： G11C16/26 , G11C8/10 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/28
摘要：一種非揮發性記憶體，包括：一記憶體陣列，連接至m條字元線、n條源極線與n條位元線；一列解碼器，連接至該m條字元線，用以決定一選定列，且該選定列所連接的n個記憶胞皆對應地連接至該n條源極線以及該n條位元線；一源極線解碼器，用以將該n條源極線中的一第x條源極線連接至一源極線電壓，且將其他源極線浮接；一行解碼器，用以將該n條位元線中的一第x條位元線連接至一資料線，且將其他位元線連接至一參考電壓；以及一感測電路，具有該資料線連接於該行解碼器，用以決定一選定記憶胞的一儲存狀態。
简体摘要：一种非挥发性内存，包括：一内存数组，连接至m条字符线、n条源极线与n条比特线；一列译码器，连接至该m条字符线，用以决定一选定列，且该选定列所连接的n个记忆胞皆对应地连接至该n条源极线以及该n条比特线；一源极线译码器，用以将该n条源极线中的一第x条源极线连接至一源极线电压，且将其他源极线浮接；一行译码器，用以将该n条比特线中的一第x条比特线连接至一数据线，且将其他比特线连接至一参考电压；以及一传感电路，具有该数据线连接于该行译码器，用以决定一选定记忆胞的一存储状态。

6. 发明专利

TWI524349B 非揮發性記憶體有权
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TWI524349B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103138175
申请日：2014-11-04
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：古惟銘 , KU, WEI MING
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10
CPC分类号： G11C16/26 , G11C8/10 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/28

7. 发明专利

TWI416870B 可追蹤較高供應電壓且並不造成壓降之電源開關電路有权
简体标题：可追踪较高供应电压且并不造成压降之电源开关电路
公开(公告)号：TWI416870B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099138809
申请日：2010-11-11
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：古惟銘 , KU, WEI MING
IPC分类号： H03K17/06
CPC分类号： H03K19/0948 , H03K3/356113 , H03K19/018521

8. 发明专利

TW201340108A 快閃記憶體裝置审中-公开
简体标题：闪存设备
公开(公告)号：TW201340108A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101109528
申请日：2012-03-20
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：楊青松 , YANG, CHING SUNG , 景文澔 , CHING, WEN HAO , 古惟銘 , KU, WEI MING , 陳永祥 , CHEN, YUNG HSIANG , 王世辰 , WANG, SHIH CHEN , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING
IPC分类号： G11C16/10
摘要：本發明提出一種快閃記憶體裝置，包括多數個記憶單元及多數個寫入控制電壓產生器。其中各記憶單元藉由控制端點接收寫入控制電壓，並依據寫入控制電壓以執行資料寫入的動作。其中各寫入控制電壓產生器包括預充電壓傳送器及升壓電容。這些預充電壓傳送器並依據預充驅動信號在第一時間周期提供預充電壓至對應的記憶單元的控制端點。推升電壓在第二時間周期被提供至升壓電容，並在記憶單元的控制端點上產生寫入控制電壓。
简体摘要：本发明提出一种闪存设备，包括多数个记忆单元及多数个写入控制电压产生器。其中各记忆单元借由控制端点接收写入控制电压，并依据写入控制电压以运行数据写入的动作。其中各写入控制电压产生器包括预充电压发送器及升压电容。这些预充电压发送器并依据预充驱动信号在第一时间周期提供预充电压至对应的记忆单元的控制端点。推升电压在第二时间周期被提供至升压电容，并在记忆单元的控制端点上产生写入控制电压。

9. 发明专利

TWI384608B 積體電路與內嵌的控制電路有权
简体标题：集成电路与内嵌的控制电路
公开(公告)号：TWI384608B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW098113201
申请日：2009-04-21
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：林偉堯 , LIN, WEI YAO , 黃紹璋 , HUANG, SHAO CHANG , 李宗隆 , LEE, TANG LUNG , 張琨暐 , CHANG, KUN WEI , 趙俊傑 , CHAO, CHUN CHIEH , 古惟銘 , KU, WEI MING , 林俊宏 , LIN, CHUN HUNG
IPC分类号： H01L23/60

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