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    • 4. 发明专利
    • 太陽電池用導電性糊組成物
    • 太阳电池用导电性煳组成物
    • TW201425260A
    • 2014-07-01
    • TW102136548
    • 2013-10-09
    • 則武股份有限公司NORITAKE CO., LIMITED
    • 角田航介TSUNODA, KOUSUKE吉野泰YOSHINO, YASUSHI
    • C03C3/072C01B19/00H01B1/22H01L31/042
    • Y02E10/50
    • 本發明係提供一種可進一步地提升FF值或輸出特性之太陽電池用導電性糊組成物。太陽電池是藉由燒透法(fire through method)來設置受光面電極,然而,由於該受光面電極是藉由相對於銀100重量份而分別含有玻璃為1~10重量份之範圍、TeO2為0.3~3.0重量份之範圍的厚膜銀所構成,且前述玻璃含有PbO為28~60(mol%)之範圍內、B2O3為3~18(mol%)之範圍內、SiO2為10~40(mol%)之範圍內、Li2O為3~30(mol%)之範圍內,因此,儘管Li量極多,該厚膜銀糊於燒透時亦具有適度之侵蝕性,且Ag會穩定地析出,故,可獲得歐姆接觸,且可獲得電性特性優異之太陽電池。
    • 本发明系提供一种可进一步地提升FF值或输出特性之太阳电池用导电性煳组成物。太阳电池是借由烧透法(fire through method)来设置受光面电极,然而,由于该受光面电极是借由相对于银100重量份而分别含有玻璃为1~10重量份之范围、TeO2为0.3~3.0重量份之范围的厚膜银所构成,且前述玻璃含有PbO为28~60(mol%)之范围内、B2O3为3~18(mol%)之范围内、SiO2为10~40(mol%)之范围内、Li2O为3~30(mol%)之范围内,因此,尽管Li量极多,该厚膜银煳于烧透时亦具有适度之侵蚀性,且Ag会稳定地析出,故,可获得欧姆接触,且可获得电性特性优异之太阳电池。
    • 6. 发明专利
    • 太陽電池受光面電極用糊、其製造方法、及太陽電池單元
    • 太阳电池受光面电极用煳、其制造方法、及太阳电池单元
    • TW201546825A
    • 2015-12-16
    • TW104115199
    • 2015-05-13
    • 則武股份有限公司NORITAKE CO., LIMITED
    • 杉山高啓SUGIYAMA, TAKAHIRO角田航介TSUNODA, KOSUKE林博道HAYASHI, HIROMICHI吉野泰YOSHINO, YASUSHI
    • H01B1/16H01L31/0224
    • Y02E10/50Y02P70/521
    • 本發明之課題在於提供一種太陽電池受光面電極用糊、其製造方法及高輸出之太陽電池單元,該太陽電池受光面電極用糊可形成與基板之接著強度高且接觸電阻低之電極,而且即便在用於LDE基板時,亦可獲得高輸出之太陽電池。 為解決上述課題,將用於形成受光面電極之導電性糊使用各種組成之無鉛碲玻璃,並於其中混合各種含鉛添加物及含高熔點金屬之添加物並且較佳是藉由鍛燒或機械化學法等適當之方法使該等載持,由此當利用燒穿(fire-through)形成受光面電極時,可獲得具有適當凹凸之腐蝕面,故可同時滿足電性特性及接著強度。又,由於在受光面電極中含有高熔點金屬及鉛而可抑制再結合,因此即便為LDE基板亦可獲得高輸出。
    • 本发明之课题在于提供一种太阳电池受光面电极用煳、其制造方法及高输出之太阳电池单元,该太阳电池受光面电极用煳可形成与基板之接着强度高且接触电阻低之电极,而且即便在用于LDE基板时,亦可获得高输出之太阳电池。 为解决上述课题,将用于形成受光面电极之导电性煳使用各种组成之无铅碲玻璃,并于其中混合各种含铅添加物及含高熔点金属之添加物并且较佳是借由锻烧或机械化学法等适当之方法使该等载持,由此当利用烧穿(fire-through)形成受光面电极时,可获得具有适当凹凸之腐蚀面,故可同时满足电性特性及接着强度。又,由于在受光面电极中含有高熔点金属及铅而可抑制再结合,因此即便为LDE基板亦可获得高输出。
    • 7. 发明专利
    • 太陽電池用基板及其製造方法
    • 太阳电池用基板及其制造方法
    • TW201505190A
    • 2015-02-01
    • TW103120533
    • 2014-06-13
    • 則武股份有限公司NORITAKE CO., LIMITED
    • 川本裕介KAWAMOTO, YUSUKE吉野泰YOSHINO, YASUSHI
    • H01L31/0224H01L31/0288H01L31/18
    • Y02E10/546Y02P70/521
    • 本發明提供一種不使太陽電池之製造步驟複雜化並可兼顧抑制電流損失及增大電壓之矽基板及其製造方法。 由p型矽基板之一面擴散磷以製造太陽電池用基板時,以1000(ml/min)以下之小流量供給氮氣至氧氯化磷溶液中而獲得摻雜用混合氣體。因此,導入加熱爐內之摻雜用混合氣體中之氧氯化磷濃度變低,以致堆積在基板表面之PSG層會比較薄,可降低基板表面之磷濃度之最大值,故可加長熱處理時間而加深擴散深度,且可輕易地實現平均濃度1.0至4.0×1020(個/cm3)、位於50(nm)深度之濃度0.10至1.6×1020(個/cm3)、片電阻70至120(Ω/□)。
    • 本发明提供一种不使太阳电池之制造步骤复杂化并可兼顾抑制电流损失及增大电压之硅基板及其制造方法。 由p型硅基板之一面扩散磷以制造太阳电池用基板时,以1000(ml/min)以下之小流量供给氮气至氧氯化磷溶液中而获得掺杂用混合气体。因此,导入加热炉内之掺杂用混合气体中之氧氯化磷浓度变低,以致堆积在基板表面之PSG层会比较薄,可降低基板表面之磷浓度之最大值,故可加长热处理时间而加深扩散深度,且可轻易地实现平均浓度1.0至4.0×1020(个/cm3)、位于50(nm)深度之浓度0.10至1.6×1020(个/cm3)、片电阻70至120(Ω/□)。