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    • 7. 发明专利
    • 有機薄膜電機體用化合物及使用其之有機薄膜電晶體
    • 有机薄膜电机体用化合物及使用其之有机薄膜晶体管
    • TW201014006A
    • 2010-04-01
    • TW098126756
    • 2009-08-10
    • 出光興產股份有限公司
    • 中野裕基齊藤雅俊中村浩昭
    • H01LC07C
    • C07C15/20C07C43/2055C07C2603/52H01L51/0055H01L51/0541H01L51/0545H01L51/0558
    • 本發明係有關於一種有機薄膜電晶體用化合物,具有下述式(1)之結構:
      [式(1)中,R1~R6分別係氫原子、鹵素原子、碳數1~30之烷基、碳數1~30之鹵烷基、碳數1~30之烷氧基、碳數1~30之鹵烷氧基、碳數1~30之烷硫基、碳數1~30之鹵烷硫基、碳數1~30之烷基胺基、碳數2~60之二烷基胺基(烷基亦可互相結合形成包含氮原子之環結構)、碳數1~30之烷基磺醯基、碳數1~30之鹵烷基磺醯基、碳數6~60之芳香族烴基、碳數3~60之芳香族雜環基、碳數3~20之烷矽基、碳數5~60之烷矽基乙炔基或氰基,且該等各基亦可具有取代基。但,無R1~R6均為氫原子之情形]。
    • 本发明系有关于一种有机薄膜晶体管用化合物,具有下述式(1)之结构: [式(1)中,R1~R6分别系氢原子、卤素原子、碳数1~30之烷基、碳数1~30之卤烷基、碳数1~30之烷氧基、碳数1~30之卤烷氧基、碳数1~30之烷硫基、碳数1~30之卤烷硫基、碳数1~30之烷基胺基、碳数2~60之二烷基胺基(烷基亦可互相结合形成包含氮原子之环结构)、碳数1~30之烷基磺酰基、碳数1~30之卤烷基磺酰基、碳数6~60之芳香族烃基、碳数3~60之芳香族杂环基、碳数3~20之烷硅基、碳数5~60之烷硅基乙炔基或氰基,且该等各基亦可具有取代基。但,无R1~R6均为氢原子之情形]。
    • 9. 发明专利
    • 有機薄膜電晶體
    • 有机薄膜晶体管
    • TW201116504A
    • 2011-05-16
    • TW099132207
    • 2010-09-23
    • 出光興產股份有限公司
    • 中村浩昭栗原直樹近藤浩史齊藤雅俊中野裕基
    • C07CH01L
    • C07C22/08C07C25/18C07C25/22C07D495/04H01L51/0541H01L51/0545H01L51/105
    • 本發明係關於一種有機薄膜電晶體,其係於基板上至少設置有閘極電極、源極電極及汲極電極之三端子、以及絕緣體層及有機半導體層,藉由對閘極電極施加電壓而控制源極-汲極間電流者;於上述有機半導體層與源極電極間、以及上述有機半導體層與汲極電極間分別具有電荷注入層,上述電荷注入層含有下述式(1)所表示之化合物:
      式中,Ar1為下述式(2)所表示之取代基;Ar2為可具有取代基之碳數6~60之二價芳香族烴基、或可具有取代基之碳數2~60之二價芳香族雜環基;Ar3為下述式(3)所表示之取代基:
      n為1~20之整數。
    • 本发明系关于一种有机薄膜晶体管,其系于基板上至少设置有闸极电极、源极电极及汲极电极之三端子、以及绝缘体层及有机半导体层,借由对闸极电极施加电压而控制源极-汲极间电流者;于上述有机半导体层与源极电极间、以及上述有机半导体层与汲极电极间分别具有电荷注入层,上述电荷注入层含有下述式(1)所表示之化合物: 式中,Ar1为下述式(2)所表示之取代基;Ar2为可具有取代基之碳数6~60之二价芳香族烃基、或可具有取代基之碳数2~60之二价芳香族杂环基;Ar3为下述式(3)所表示之取代基: n为1~20之整数。