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    • 5. 发明专利
    • 有機薄膜電晶體
    • 有机薄膜晶体管
    • TW201116504A
    • 2011-05-16
    • TW099132207
    • 2010-09-23
    • 出光興產股份有限公司
    • 中村浩昭栗原直樹近藤浩史齊藤雅俊中野裕基
    • C07CH01L
    • C07C22/08C07C25/18C07C25/22C07D495/04H01L51/0541H01L51/0545H01L51/105
    • 本發明係關於一種有機薄膜電晶體,其係於基板上至少設置有閘極電極、源極電極及汲極電極之三端子、以及絕緣體層及有機半導體層,藉由對閘極電極施加電壓而控制源極-汲極間電流者;於上述有機半導體層與源極電極間、以及上述有機半導體層與汲極電極間分別具有電荷注入層,上述電荷注入層含有下述式(1)所表示之化合物:
      式中,Ar1為下述式(2)所表示之取代基;Ar2為可具有取代基之碳數6~60之二價芳香族烴基、或可具有取代基之碳數2~60之二價芳香族雜環基;Ar3為下述式(3)所表示之取代基:
      n為1~20之整數。
    • 本发明系关于一种有机薄膜晶体管,其系于基板上至少设置有闸极电极、源极电极及汲极电极之三端子、以及绝缘体层及有机半导体层,借由对闸极电极施加电压而控制源极-汲极间电流者;于上述有机半导体层与源极电极间、以及上述有机半导体层与汲极电极间分别具有电荷注入层,上述电荷注入层含有下述式(1)所表示之化合物: 式中,Ar1为下述式(2)所表示之取代基;Ar2为可具有取代基之碳数6~60之二价芳香族烃基、或可具有取代基之碳数2~60之二价芳香族杂环基;Ar3为下述式(3)所表示之取代基: n为1~20之整数。