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1. 发明专利

TWI582769B 靜態隨機存取記憶體有权
简体标题：静态随机存取内存
公开(公告)号：TWI582769B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104141594
申请日：2015-12-10
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C11/413 , G11C11/4193

2. 发明专利

TWI579846B ７Ｔ雙埠靜態隨機存取記憶體有权
简体标题：７Ｔ双端口静态随机存取内存
公开(公告)号：TWI579846B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104141593
申请日：2015-12-10
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C11/41 , G11C8/16

3. 发明专利

TW201640506A ７Ｔ雙埠靜態隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：７Ｔ双端口静态随机存取内存
公开(公告)号：TW201640506A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104114665
申请日：2015-05-08
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C11/413
摘要：本發明提出一種7T雙埠靜態隨機存取記憶體，其主要包括一記憶體陣列(1)、複數個控制電路(2)、複數個預充電電路(3)以及一待機啟動電路(4)，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，每一列記憶體晶胞設置一個控制電路，且每一記憶體晶胞(1)係包括一第一反相器(由一第一PMOS電晶體P11與一第一NMOS電晶體M11所組成)、一第二反相器(由一第二PMOS電晶體P12與一第二NMOS電晶體M12所組成)、一存取電晶體(由第三NMOS電晶體M13所組成)、一第一讀取用電晶體(M14)以及一第二讀取用電晶體(M15)。每一控制單元(2)係連接至對應列記憶體晶胞中之每一記憶體晶胞的該第一NMOS電晶體(M11)的源極以及該第二NMOS電晶體(M12)的源極，以便因應不同操作模式而控制該第一NMOS電晶體(M11)的源極電壓以及該第二NMOS電晶體(M12)的源極電壓，藉此於寫入模式時，可有效防止寫入邏輯1困難之問題，於讀取模式時，可於提高讀取速度的同時，亦避免無謂的功率耗損，於待機模式時，可有效降低漏電流，而於保持模式時則可維持原有的電氣特性。再者，藉由該待機啟動電路(4)的設計，以有效促使7T雙埠靜態隨機存取記憶體快速進入待機模式，並因而有效提高7T雙埠靜態隨機存取記憶體之待機效能。
简体摘要：本发明提出一种7T双端口静态随机存取内存，其主要包括一内存数组(1)、复数个控制电路(2)、复数个预充电电路(3)以及一待机启动电路(4)，该内存数组系由复数列内存晶胞与复数行内存晶胞所组成，每一列内存晶胞设置一个控制电路，且每一内存晶胞(1)系包括一第一反相器(由一第一PMOS晶体管P11与一第一NMOS晶体管M11所组成)、一第二反相器(由一第二PMOS晶体管P12与一第二NMOS晶体管M12所组成)、一存取晶体管(由第三NMOS晶体管M13所组成)、一第一读取用晶体管(M14)以及一第二读取用晶体管(M15)。每一控制单元(2)系连接至对应列内存晶胞中之每一内存晶胞的该第一NMOS晶体管(M11)的源极以及该第二NMOS晶体管(M12)的源极，以便因应不同操作模式而控制该第一NMOS晶体管(M11)的源极电压以及该第二NMOS晶体管(M12)的源极电压，借此于写入模式时，可有效防止写入逻辑1困难之问题，于读取模式时，可于提高读取速度的同时，亦避免无谓的功率耗损，于待机模式时，可有效降低漏电流，而于保持模式时则可维持原有的电气特性。再者，借由该待机启动电路(4)的设计，以有效促使7T双端口静态随机存取内存快速进入待机模式，并因而有效提高7T双端口静态随机存取内存之待机性能。

4. 发明专利

TWI556238B ７Ｔ雙埠靜態隨機存取記憶體（二）有权
简体标题：７Ｔ双端口静态随机存取内存（二）
公开(公告)号：TWI556238B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103141646
申请日：2014-12-01
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C11/41 , H01L27/11

5. 发明专利

TW201621900A ５Ｔ靜態隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：５Ｔ静态随机存取内存
公开(公告)号：TW201621900A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103141647
申请日：2014-12-01
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C8/08 , G11C11/412
摘要：本發明提出一種5T靜態隨機存取記憶體，其主要包括一記憶體陣列、複數個控制電路(2)、複數個預充電電路(3)以及一待機啟動電路(4)，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，每一列記憶體晶胞設置一個控制電路，且每一記憶體晶胞(1)係包括一第一反相器(由一第一PMOS電晶體P11與一第一NMOS電晶體N11所組成)、一第二反相器(由一第二PMOS電晶體P12與一第二NMOS電晶體N12所組成)及一存取電晶體(由第三NMOS電晶體N13所組成)。每一控制單元(2)係連接至對應列記憶體晶胞中之每一記憶體晶胞的該第一NMOS電晶體(N11)的源極以及該第二NMOS電晶體(N12)的源極，以便因應不同操作模式而控制該第一NMOS電晶體(N11)的源極電壓以及該第二NMOS電晶體(N12)的源極電壓。於讀取模式之第一階段時，將靠近位元線(BL)之該第一NMOS電晶體(N11)的源極從原本的接地電壓改為比接地電壓還低，此時可配置較小通道寬長比之該第一NMOS電晶體(N11)與該第二NMOS電晶體(N12)即可完成讀取動作，且於讀取邏輯0時也不會造成遠離位元線(BL)之該第二 NMOS電晶體(N12)由於瞬間導通而阻礙讀取操作，而於讀取模式之第二階段時則將藉由將該第一NMOS電晶體(N11)的源極從比接地電壓還低設定回接地電壓，以便減少無謂的功率消耗；於寫入模式時，將靠近位元線(BL)之該第一NMOS電晶體(N11)的源極維持原本的接地電壓，因配置有較小通道寬長比之該第一NMOS電晶體(N11)，因此可有效避免習知具單一位元線之單埠SRAM存在寫入邏輯1相當困難之問題；於待機模式時，可有效降低漏電流，而於保持模式時則可維持原有的電氣特性。再者，藉由該待機啟動電路(4)的設計，以有效促使具單埠SRAM快速進入待機模式，並因而有效提高單埠SRAM之待機效能。
简体摘要：本发明提出一种5T静态随机存取内存，其主要包括一内存数组、复数个控制电路(2)、复数个预充电电路(3)以及一待机启动电路(4)，该内存数组系由复数列内存晶胞与复数行内存晶胞所组成，每一列内存晶胞设置一个控制电路，且每一内存晶胞(1)系包括一第一反相器(由一第一PMOS晶体管P11与一第一NMOS晶体管N11所组成)、一第二反相器(由一第二PMOS晶体管P12与一第二NMOS晶体管N12所组成)及一存取晶体管(由第三NMOS晶体管N13所组成)。每一控制单元(2)系连接至对应列内存晶胞中之每一内存晶胞的该第一NMOS晶体管(N11)的源极以及该第二NMOS晶体管(N12)的源极，以便因应不同操作模式而控制该第一NMOS晶体管(N11)的源极电压以及该第二NMOS晶体管(N12)的源极电压。于读取模式之第一阶段时，将靠近比特线(BL)之该第一NMOS晶体管(N11)的源极从原本的接地电压改为比接地电压还低，此时可配置较小信道宽长比之该第一NMOS晶体管(N11)与该第二NMOS晶体管(N12)即可完成读取动作，且于读取逻辑0时也不会造成远离比特线(BL)之该第二 NMOS晶体管(N12)由于瞬间导通而阻碍读取操作，而于读取模式之第二阶段时则将借由将该第一NMOS晶体管(N11)的源极从比接地电压还低设置回接地电压，以便减少无谓的功率消耗；于写入模式时，将靠近比特线(BL)之该第一NMOS晶体管(N11)的源极维持原本的接地电压，因配置有较小信道宽长比之该第一NMOS晶体管(N11)，因此可有效避免习知具单一比特线之单端口SRAM存在写入逻辑1相当困难之问题；于待机模式时，可有效降低漏电流，而于保持模式时则可维持原有的电气特性。再者，借由该待机启动电路(4)的设计，以有效促使具单端口SRAM快速进入待机模式，并因而有效提高单端口SRAM之待机性能。

6. 发明专利

TW201714176A 單埠靜態隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：单端口静态随机存取内存
公开(公告)号：TW201714176A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104133100
申请日：2015-10-07
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C11/413 , G11C11/4193
摘要：本發明提出一種單埠靜態隨機存取記憶體，其主要包括一記憶體陣列、複數個控制電路(2)、複數個預充電電路(3)、一待機啟動電路(4)以及複數個字元線電壓位準轉換電路(5)，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，每一列記憶體晶胞設置一個控制電路，且每一記憶體晶胞(1)係包括一第一反相器(由一第一PMOS電晶體P11與一第一NMOS電晶體M11所組成)、一第二反相器(由一第二PMOS電晶體P12與一第二NMOS電晶體M12所組成)及一存取電晶體(由一第三NMOS電晶體M13所組成)。每一控制單元(2)係連接至對應列記憶體晶胞中之每一記憶體晶胞的該第一NMOS電晶體(M11)的源極以及該第二NMOS電晶體(M12)的源極，以便因應不同操作模式而控制該第一NMOS電晶體(M11)的源極電壓以及該第二NMOS電晶體(M12)的源極電壓，藉此於寫入模式時，可有效防止寫入邏輯1困難之問題，於讀取模式時，可於提高讀取速度的同時，亦避免無謂的功率耗損，於待機模式時，可有效降低漏電流，而於保持模式時則可維持原有的電氣特性。再者，藉由該待機啟動電路(4)的設計，以有效促使具單埠SRAM快速進入待機模式，並因而有效提高單埠靜態隨機存取記憶體之待機效能；此外，藉由該複數個字元線電壓位準轉換電路(5)的設計，以增加該第三NMOS電晶體(M13)於讀取模式下之導通電阻，並因而有效降低讀取時之半選定晶胞干擾。
简体摘要：本发明提出一种单端口静态随机存取内存，其主要包括一内存数组、复数个控制电路(2)、复数个预充电电路(3)、一待机启动电路(4)以及复数个字符线电压位准转换电路(5)，该内存数组系由复数列内存晶胞与复数行内存晶胞所组成，每一列内存晶胞设置一个控制电路，且每一内存晶胞(1)系包括一第一反相器(由一第一PMOS晶体管P11与一第一NMOS晶体管M11所组成)、一第二反相器(由一第二PMOS晶体管P12与一第二NMOS晶体管M12所组成)及一存取晶体管(由一第三NMOS晶体管M13所组成)。每一控制单元(2)系连接至对应列内存晶胞中之每一内存晶胞的该第一NMOS晶体管(M11)的源极以及该第二NMOS晶体管(M12)的源极，以便因应不同操作模式而控制该第一NMOS晶体管(M11)的源极电压以及该第二NMOS晶体管(M12)的源极电压，借此于写入模式时，可有效防止写入逻辑1困难之问题，于读取模式时，可于提高读取速度的同时，亦避免无谓的功率耗损，于待机模式时，可有效降低漏电流，而于保持模式时则可维持原有的电气特性。再者，借由该待机启动电路(4)的设计，以有效促使具单端口SRAM快速进入待机模式，并因而有效提高单端口静态随机存取内存之待机性能；此外，借由该复数个字符线电压位准转换电路(5)的设计，以增加该第三NMOS晶体管(M13)于读取模式下之导通电阻，并因而有效降低读取时之半选定晶胞干扰。

7. 发明专利

TWI570717B ５Ｔ靜態隨機存取記憶體有权
简体标题：５Ｔ静态随机存取内存
公开(公告)号：TWI570717B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104114664
申请日：2015-05-08
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C11/413

8. 发明专利

TWI556241B ７Ｔ雙埠靜態隨機存取記憶體有权
简体标题：７Ｔ双端口静态随机存取内存
公开(公告)号：TWI556241B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104114665
申请日：2015-05-08
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C11/413

9. 发明专利

TW201640505A ５Ｔ靜態隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：５Ｔ静态随机存取内存
公开(公告)号：TW201640505A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104114664
申请日：2015-05-08
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C11/413
摘要：本發明提出一種5T靜態隨機存取記憶體，其主要包括一記憶體陣列、複數個控制電路(2)、複數個預充電電路(3)以及一待機啟動電路(4)，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，每一列記憶體晶胞設置一個控制電路，且每一記憶體晶胞(1)係包括一第一反相器(由一第一PMOS電晶體P11與一第一NMOS電晶體N11所組成)、一第二反相器(由一第二PMOS電晶體P12與一第二NMOS電晶體N12所組成)及一存取電晶體(由第三NMOS電晶體N13所組成)。每一控制單元(2)係連接至對應列記憶體晶胞中之每一記憶體晶胞的該第一NMOS電晶體(N11)的源極以及該第二NMOS電晶體(N12)的源極，以便因應不同操作模式而控制該第一NMOS電晶體(N11)的源極電壓以及該第二NMOS電晶體(N12)的源極電壓。於讀取模式時，將靠近位元線(BL)之該第一NMOS電晶體(N11)的源極從原本的接地電壓改為比接地電壓還低，此時可配置較小通道寬長比之該第一NMOS電晶體(N11)與該第二NMOS電晶體(N12)即可完成讀取動作，且於讀取邏輯0時也不會造成遠離位元線(BL)之該第二NMOS電晶體 (N12)由於瞬間導通而阻礙讀取操作；於寫入模式時，將靠近位元線(BL)之該第一NMOS電晶體(N11)的源極維持原本的接地電壓，因配置有較小通道寬長比之該第一NMOS電晶體(N11)，因此可有效避免習知具單一位元線之單埠SRAM存在寫入邏輯1相當困難之問題；於待機模式時，可有效降低漏電流，而於保持模式時則可維持原有的電氣特性。再者，藉由該待機啟動電路(4)的設計，以有效促使具單埠SRAM快速進入待機模式，並因而有效提高單埠SRAM之待機效能。
简体摘要：本发明提出一种5T静态随机存取内存，其主要包括一内存数组、复数个控制电路(2)、复数个预充电电路(3)以及一待机启动电路(4)，该内存数组系由复数列内存晶胞与复数行内存晶胞所组成，每一列内存晶胞设置一个控制电路，且每一内存晶胞(1)系包括一第一反相器(由一第一PMOS晶体管P11与一第一NMOS晶体管N11所组成)、一第二反相器(由一第二PMOS晶体管P12与一第二NMOS晶体管N12所组成)及一存取晶体管(由第三NMOS晶体管N13所组成)。每一控制单元(2)系连接至对应列内存晶胞中之每一内存晶胞的该第一NMOS晶体管(N11)的源极以及该第二NMOS晶体管(N12)的源极，以便因应不同操作模式而控制该第一NMOS晶体管(N11)的源极电压以及该第二NMOS晶体管(N12)的源极电压。于读取模式时，将靠近比特线(BL)之该第一NMOS晶体管(N11)的源极从原本的接地电压改为比接地电压还低，此时可配置较小信道宽长比之该第一NMOS晶体管(N11)与该第二NMOS晶体管(N12)即可完成读取动作，且于读取逻辑0时也不会造成远离比特线(BL)之该第二NMOS晶体管 (N12)由于瞬间导通而阻碍读取操作；于写入模式时，将靠近比特线(BL)之该第一NMOS晶体管(N11)的源极维持原本的接地电压，因配置有较小信道宽长比之该第一NMOS晶体管(N11)，因此可有效避免习知具单一比特线之单端口SRAM存在写入逻辑1相当困难之问题；于待机模式时，可有效降低漏电流，而于保持模式时则可维持原有的电气特性。再者，借由该待机启动电路(4)的设计，以有效促使具单端口SRAM快速进入待机模式，并因而有效提高单端口SRAM之待机性能。

10. 发明专利

TWI541802B ７Ｔ雙埠靜態隨機存取記憶體（一）有权
简体标题：７Ｔ双端口静态随机存取内存（一）
公开(公告)号：TWI541802B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103135058
申请日：2014-10-08
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 文忠宇 , WUN, JHONG YU
IPC分类号： G11C11/41 , H01L27/11

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