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1. 发明专利

TWI251875B 貼合晶圓之製造方法有权
简体标题：贴合晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI251875B
公开(公告)日：2006-03-21
申请号：TW091133694
申请日：2002-11-19
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：中野正剛 , 富澤進一 , 三谷清
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/02052 , H01L21/304 , H01L21/76254
摘要：本發明，係將矽單結晶所構成之接合晶圓31與基底晶圓32透過氧化膜33進行貼合後，將接合晶圓31實施減厚加工以製造貼合晶圓39之方法。若使用以下的改良化學蝕刻晶圓來作為接合晶圓31及基底晶圓32，即可削減接合熱處理後的未結合區域UA。改良化學蝕刻晶圓；在蝕刻製程中係在鹼蝕刻後進行酸蝕刻，且使鹼蝕刻之蝕刻量比酸蝕刻之蝕刻量為大。藉此，在貼合晶圓之製造中，可減少接合晶圓與基底晶圓之未結合區域。
简体摘要：本发明，系将硅单结晶所构成之接合晶圆31与基底晶圆32透过氧化膜33进行贴合后，将接合晶圆31实施减厚加工以制造贴合晶圆39之方法。若使用以下的改良化学蚀刻晶圆来作为接合晶圆31及基底晶圆32，即可削减接合热处理后的未结合区域UA。改良化学蚀刻晶圆；在蚀刻制程中系在碱蚀刻后进行酸蚀刻，且使碱蚀刻之蚀刻量比酸蚀刻之蚀刻量为大。借此，在贴合晶圆之制造中，可减少接合晶圆与基底晶圆之未结合区域。

2. 发明专利

TW200416814A SOI晶圓的製造方法及SOI晶圓审中-公开
简体标题： SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆
公开(公告)号：TW200416814A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW093103945
申请日：2004-02-18
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：橫川功 , 阿賀浩司 , 高野清隆 , 三谷清
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/26533
摘要：本發明提供一種SOI晶圓的製造方法，至少從矽晶圓一邊的主表面，植入氧離子以形成氧離子植入層後，於該矽晶圓進行將上述氧離子植入層變成埋入式氧化膜的氧化膜形成熱處理，以在埋入式氧化膜上製造具有SOI層之SOI晶圓的方法，其中，於上述矽晶圓形成埋入式氧化膜時，是將其膜厚形成比上述製成之SOI晶圓的埋入式氧化膜更厚，其後，在形成有該埋入式氧化膜的矽晶圓上，進行減少埋入式氧化膜厚度的熱處理。藉此方式，可提供一種SOI晶圓的製造方法，其可利用SIMOX法製造高品質的SOI晶圓，而該SOI晶圓具有膜厚較薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI層之結晶性及表面品質極良好。
简体摘要：本发明提供一种SOI晶圆的制造方法，至少从硅晶圆一边的主表面，植入氧离子以形成氧离子植入层后，于该硅晶圆进行将上述氧离子植入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层之SOI晶圆的方法，其中，于上述硅晶圆形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成之SOI晶圆的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶圆上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。借此方式，可提供一种SOI晶圆的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶圆，而该SOI晶圆具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层之结晶性及表面品质极良好。

3. 发明专利

TW200903646A 磊晶晶圓的製造方法及磊晶晶圓审中-公开
简体标题：磊晶晶圆的制造方法及磊晶晶圆
公开(公告)号：TW200903646A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097114673
申请日：2008-04-22
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：曲偉峰 , 小林裕之 , 佐山隆司 , 高見澤彰一 , 三谷清 , 戶部敏視
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L21/3221 , H01L21/3225 , H01L27/14683 , Y02P70/605
摘要：本發明是一種磊晶晶圓的製造方法,是製造磊晶晶圓的方法,其特徵為:先植入碳離子而形成碳植入層,隨後,使用急速加熱、急速冷卻(RTA)裝置,並在含氨或氮的環境進行熱處理,然後在進行該熱處理後的矽晶圓上,形成磊晶層。藉此,針對磊晶晶圓的製造方法,藉由先植入碳離子而形成碳離子植入層,並在將矽磊晶層形成於植入面的製程之前,確實地進行恢復熱處理,能夠提供一種製造方法,能夠以低成本製造出不會在磊晶層形成磊晶缺陷,且具備高强度的吸氣能力之磊晶晶圓。
简体摘要：本发明是一种磊晶晶圆的制造方法,是制造磊晶晶圆的方法,其特征为:先植入碳离子而形成碳植入层,随后,使用急速加热、急速冷却(RTA)设备,并在含氨或氮的环境进行热处理,然后在进行该热处理后的硅晶圆上,形成磊晶层。借此,针对磊晶晶圆的制造方法,借由先植入碳离子而形成碳离子植入层,并在将硅磊晶层形成于植入面的制程之前,确实地进行恢复热处理,能够提供一种制造方法,能够以低成本制造出不会在磊晶层形成磊晶缺陷,且具备高强度的吸气能力之磊晶晶圆。

4. 发明专利

TWI270940B 貼合晶圓之製造方法有权
简体标题：贴合晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI270940B
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：TW091115723
申请日：2002-07-15
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：阿賀浩司 , 富澤進一 , 三谷清
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10S438/977
摘要：本發明乃針對藉由具有至少貼合具有利用氣體離子的注入所形成的微小氣泡層的結合晶圓與成為支撐基板的基晶圓的工程、和具有以前述微小氣泡層為邊界而剝離結合晶圓，並在基晶圓上形成薄膜的工程的離子注入剝離法製造貼合晶圓之方法中，乃於剝離前述結合晶圓後的貼合晶圓，在非活性氣體、氫氣或是該些的混合氣體氣氛下施行熱處理，然後對該貼合晶圓施行熱氧化，而於前述薄膜的表面形成熱氧化膜，且除去該熱氧化膜，藉此減少前述薄膜厚度的貼合晶圓之製造方法。藉此提供一種能一面維持利用離子注入剝離法所製造的貼合晶圓的薄膜的膜厚均一性一面確實地除去表面的損傷或缺陷，而且量產技術能充分適用的貼合晶圓之製造方法。
简体摘要：本发明乃针对借由具有至少贴合具有利用气体离子的注入所形成的微小气泡层的结合晶圆与成为支撑基板的基晶圆的工程、和具有以前述微小气泡层为边界而剥离结合晶圆，并在基晶圆上形成薄膜的工程的离子注入剥离法制造贴合晶圆之方法中，乃于剥离前述结合晶圆后的贴合晶圆，在非活性气体、氢气或是该些的混合气体气氛下施行热处理，然后对该贴合晶圆施行热氧化，而于前述薄膜的表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，借此减少前述薄膜厚度的贴合晶圆之制造方法。借此提供一种能一面维持利用离子注入剥离法所制造的贴合晶圆的薄膜的膜厚均一性一面确实地除去表面的损伤或缺陷，而且量产技术能充分适用的贴合晶圆之制造方法。

5. 发明专利

TW200924065A 磊晶晶圓的製造方法及磊晶晶圓审中-公开
简体标题：磊晶晶圆的制造方法及磊晶晶圆
公开(公告)号：TW200924065A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097125613
申请日：2008-07-07
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：曲偉峰 , 小林裕之 , 佐山隆司 , 高見澤彰一 , 三谷清 , 戶田尚久 , 茂木均之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02658 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02634 , H01L21/26506
摘要：本發明是一種磊晶晶圓的製造方法,是在單晶矽基板上形成磊晶層之磊晶晶圓的製造方法,其特徵為:只有將碳離子植入N型單晶矽基板而形成碳離子植入層,隨後,在形成有該碳離子植入層之上述N型單晶矽基板的表面,形成上述磊晶層,並使從上述磊晶層至上述碳離子植入層之電阻率轉變區域的厚度為2微米以下。藉此,能夠提供一種磊晶晶圓的製造方法,可製造出具有低電阻率的離子植入層及高電阻率的磊晶層,且使兩層之間的電阻率轉變區域銳利化,同時不會因重金屬不純物而產生污染問題的磊晶晶圓。
简体摘要：本发明是一种磊晶晶圆的制造方法,是在单晶硅基板上形成磊晶层之磊晶晶圆的制造方法,其特征为:只有将碳离子植入N型单晶硅基板而形成碳离子植入层,随后,在形成有该碳离子植入层之上述N型单晶硅基板的表面,形成上述磊晶层,并使从上述磊晶层至上述碳离子植入层之电阻率转变区域的厚度为2微米以下。借此,能够提供一种磊晶晶圆的制造方法,可制造出具有低电阻率的离子植入层及高电阻率的磊晶层,且使两层之间的电阻率转变区域锐利化,同时不会因重金属不纯物而产生污染问题的磊晶晶圆。

6. 发明专利

TWI290735B 貼合晶圓及貼合晶圓的製造方法有权
简体标题：贴合晶圆及贴合晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI290735B
公开(公告)日：2007-12-01
申请号：TW091134820
申请日：2002-11-29
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：三谷清 , 出水清史 , 橫川功 , 大見忠弘 TADAHIRO OHMI , 須川成利 SHIGETOSHI SUGAWA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/045
摘要：本發明係一種在單晶矽晶圓上積層有單晶矽層之貼合晶圓，其特徵為：該單晶矽層之結晶面方位為{110}，而且，前述單晶矽晶圓的結晶面方位為{100}。另外，係一種貼合晶圓之製造方法，其特徵為：直接或者介由絕緣膜以貼合至少結晶面方位為{110}之第1單晶矽晶圓，及結晶面方位為{100}之第2單晶矽晶圓後，薄膜化前述第1單晶矽晶圓。藉由此，得以提供能夠獲得活用{110}之單晶矽晶圓而具有優異特性之MIS裝置的晶圓。
简体摘要：本发明系一种在单晶硅晶圆上积层有单晶硅层之贴合晶圆，其特征为：该单晶硅层之结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶圆的结晶面方位为{100}。另外，系一种贴合晶圆之制造方法，其特征为：直接或者介由绝缘膜以贴合至少结晶面方位为{110}之第1单晶硅晶圆，及结晶面方位为{100}之第2单晶硅晶圆后，薄膜化前述第1单晶硅晶圆。借由此，得以提供能够获得活用{110}之单晶硅晶圆而具有优异特性之MIS设备的晶圆。

7. 发明专利

TW575902B SOI晶圓及SOI晶圓之製造方法有权
简体标题： SOI晶圆及SOI晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW575902B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW089106452
申请日：2000-04-07
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：降順一郎 , 三谷清 , 小林德弘 , 秋山昌次
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：根據本發明，可以提供一種SOI晶圓製造方法，其特徵為製造出SOI晶圓的SOI層表面的面粗糙度為 RMS值的0.12nm以下或／及SOI層與嵌入的氧化膜界面的面粗糙度為RMS值的0.12nm以下的 SOI晶圓，並且在SOI晶圓行鏡面研磨後，除去該表面的自然氧化膜或於該表面形成300nm以上的熱氧化膜再將該熱氧化膜除去，再用急速加熱‧急速冷卻裝置於100%氫氣、或含有10%以上氫氣與氬氣或／及氮氣混合的氣體氣氛下進行熱處理的SOI晶圓製造方法。
根據本方法，以SOI晶圓製作的MOS裝置時，可以獲得在氧化膜耐壓和臨限值電壓或載子移動度等裝置特性的散亂等方面受到極小影響的SOI層表面粗糙度，和具有SOI／BOX界面的高品質SOI晶圓。
简体摘要：根据本发明，可以提供一种SOI晶圆制造方法，其特征为制造出SOI晶圆的SOI层表面的面粗糙度为 RMS值的0.12nm以下或／及SOI层与嵌入的氧化膜界面的面粗糙度为RMS值的0.12nm以下的 SOI晶圆，并且在SOI晶圆行镜面研磨后，除去该表面的自然氧化膜或于该表面形成300nm以上的热氧化膜再将该热氧化膜除去，再用急速加热‧急速冷却设备于100%氢气、或含有10%以上氢气与氩气或／及氮气混合的气体气氛下进行热处理的SOI晶圆制造方法。根据本方法，以SOI晶圆制作的MOS设备时，可以获得在氧化膜耐压和临限值电压或载子移动度等设备特性的散乱等方面受到极小影响的SOI层表面粗糙度，和具有SOI／BOX界面的高品质SOI晶圆。

8. 发明专利

TWI310962B 矽絕緣(SOI)晶圓之製造方法及矽絕緣(SOI)晶圓有权
简体标题：硅绝缘(SOI)晶圆之制造方法及硅绝缘(SOI)晶圆
公开(公告)号：TWI310962B
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：TW093100368
申请日：2004-01-07
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：阿賀浩司 , 橫川功 , 高野清隆 , 三谷清
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/26533 , H01L21/76254
摘要：本發明係一種在粘合晶圓和基材晶圓之至少其中一方的表面形成氧化膜,介由該形成的氧化膜而貼合上述粘合晶圓和基材晶圓後,將粘合晶圓予以薄膜化以製造SOI晶圓之方法,係進行氧化膜的形成,使得形成在上述粘合晶圓和基材晶圓之至少其中一方的表面之氧化膜的整體厚度比上述所製造的SOI晶圓所有的填埋氧化膜的厚度還厚,之後,介由該形成的氧化膜以貼合粘合晶圓和基材晶圓,將粘合晶圓予以薄膜化以形成SOI層,對所獲得的貼合晶圓進行減少填埋氧化膜的厚度之熱處理的SOI晶圓之製造方法。藉此,可以提供:即使使填埋氧化膜的厚度變薄,也不會發生氣泡或孔隙,SOI層的結晶性極為良好之SOI晶圓之製造方法。
简体摘要：本发明系一种在粘合晶圆和基材晶圆之至少其中一方的表面形成氧化膜,介由该形成的氧化膜而贴合上述粘合晶圆和基材晶圆后,将粘合晶圆予以薄膜化以制造SOI晶圆之方法,系进行氧化膜的形成,使得形成在上述粘合晶圆和基材晶圆之至少其中一方的表面之氧化膜的整体厚度比上述所制造的SOI晶圆所有的填埋氧化膜的厚度还厚,之后,介由该形成的氧化膜以贴合粘合晶圆和基材晶圆,将粘合晶圆予以薄膜化以形成SOI层,对所获得的贴合晶圆进行减少填埋氧化膜的厚度之热处理的SOI晶圆之制造方法。借此,可以提供:即使使填埋氧化膜的厚度变薄,也不会发生气泡或孔隙,SOI层的结晶性极为良好之SOI晶圆之制造方法。

9. 发明专利

TW200416813A 矽絕緣(SOI)晶圓之製造方法及矽絕緣(SOI)晶圓审中-公开
简体标题：硅绝缘(SOI)晶圆之制造方法及硅绝缘(SOI)晶圆
公开(公告)号：TW200416813A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW093100368
申请日：2004-01-07
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：阿賀浩司 , 橫川功 , 高野清隆 , 三谷清
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/26533 , H01L21/76254
摘要：本發明係一種在粘合晶圓和基礎晶圓之至少其中一方的表面形成氧化膜，介由該形成的氧化膜而貼合上述粘合晶圓和基礎晶圓後，將粘合晶圓予以薄膜化以製造SOI晶圓之方法，係進行氧化膜的形成，使得形成在上述粘合晶圓和基礎晶圓之至少其中一方的表面之氧化膜的整體厚度比上述所製造的SOI晶圓所有的填埋氧化膜的厚度還厚，之後，介由該形成的氧化膜以貼合粘合晶圓和基礎晶圓，將粘合晶圓予以薄膜化以形成SOI層，對所獲得的貼合晶圓進行減少填埋氧化膜的厚度之熱處理的SOI晶圓之製造方法。藉此，可以提供：即使使填埋氧化膜的厚度變薄，也不會發生氣泡或孔隙，SOI層的結晶性極為良好之SOI晶圓之製造方法。
简体摘要：本发明系一种在粘合晶圆和基础晶圆之至少其中一方的表面形成氧化膜，介由该形成的氧化膜而贴合上述粘合晶圆和基础晶圆后，将粘合晶圆予以薄膜化以制造SOI晶圆之方法，系进行氧化膜的形成，使得形成在上述粘合晶圆和基础晶圆之至少其中一方的表面之氧化膜的整体厚度比上述所制造的SOI晶圆所有的填埋氧化膜的厚度还厚，之后，介由该形成的氧化膜以贴合粘合晶圆和基础晶圆，将粘合晶圆予以薄膜化以形成SOI层，对所获得的贴合晶圆进行减少填埋氧化膜的厚度之热处理的SOI晶圆之制造方法。借此，可以提供：即使使填埋氧化膜的厚度变薄，也不会发生气泡或孔隙，SOI层的结晶性极为良好之SOI晶圆之制造方法。

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