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1. 发明专利

TW201240106A 化合物半導體基板、化合物半導體基板的製造方法及發光元件审中-公开
简体标题：化合物半导体基板、化合物半导体基板的制造方法及发光组件
公开(公告)号：TW201240106A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW101105825
申请日：2012-02-22
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：高橋雅宣 , 酒井健滋 , 池田淳 , 篠原政幸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L33/30
摘要：本發明是一種化合物半導體基板,該化合物半導體基板至少具有四元發光層,該四元發光層是在n型GaP窗層上依序積層由(AlxGa1-x)yIn1-yP所構成的n型包覆層、活性層、以及p型包覆層而成,且該化合物半導體基板,是在四元發光層中的位於n型GaP窗層側的主表面(第二主面)的相反側的主表面(第一主面)上,積層有電流擴散層即p型GaP層而成,其中,所述化合物半導體基板的特徵在於:在n型GaP窗層與四元發光層之間,形成有不純物擴散抑制層,該不純物擴散抑制層是由(Alx“Ga1-x“)y“In1-y“P(其中,0
简体摘要：本发明是一种化合物半导体基板,该化合物半导体基板至少具有四元发光层,该四元发光层是在n型GaP窗层上依序积层由(AlxGa1-x)yIn1-yP所构成的n型包覆层、活性层、以及p型包覆层而成,且该化合物半导体基板,是在四元发光层中的位于n型GaP窗层侧的主表面(第二主面)的相反侧的主表面(第一主面)上,积层有电流扩散层即p型GaP层而成,其中,所述化合物半导体基板的特征在于:在n型GaP窗层与四元发光层之间,形成有不纯物扩散抑制层,该不纯物扩散抑制层是由(Alx“Ga1-x“)y“In1-y“P(其中,0

2. 发明专利

TW201316378A 化合物半導體基板及其製造方法、以及使用該化合物半導體基板而成的發光元件审中-公开
简体标题：化合物半导体基板及其制造方法、以及使用该化合物半导体基板而成的发光组件
公开(公告)号：TW201316378A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101118367
申请日：2012-05-23
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：高橋雅宣 , TAKAHASHI, MASANOBU , 酒井健滋 , SAKAI, KENJI , 篠原政幸 , SHINOHARA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/08 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/30 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02543 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16
摘要：本發明是一種化合物半導體基板，該化合物半導體基板在第2GaP窗層上具有發光層，並在該發光層上具有第1GaP窗層，且該發光層是由以(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0＜x＜1，0＜y＜1)來表示的下包覆層、活性層、及上包覆層的雙異質構造所構成，該化合物半導體基板的特徵在於：前述下包覆層、前述活性層、及前述上包覆層的晶格常數經過匹配，而使前述下包覆層、前述活性層、及前述上包覆層在(400)面上的布拉格角與GaAs單晶在(400)面上的布拉格角的差△ω在室溫下分別成為50〞~200〞。藉此，本發明的目的在於提供一種高品質的化合物半導體基板，該化合物半導體基板增大發光壽命特性、改善發光壽命特性的面內不均，並進而改善亮度。
简体摘要：本发明是一种化合物半导体基板，该化合物半导体基板在第2GaP窗层上具有发光层，并在该发光层上具有第1GaP窗层，且该发光层是由以(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0＜x＜1，0＜y＜1)来表示的下包覆层、活性层、及上包覆层的双异质构造所构成，该化合物半导体基板的特征在于：前述下包覆层、前述活性层、及前述上包覆层的晶格常数经过匹配，而使前述下包覆层、前述活性层、及前述上包覆层在(400)面上的布拉格角与GaAs单晶在(400)面上的布拉格角的差△ω在室温下分别成为50〞~200〞。借此，本发明的目的在于提供一种高品质的化合物半导体基板，该化合物半导体基板增大发光寿命特性、改善发光寿命特性的面内不均，并进而改善亮度。

3. 发明专利

TWI358137B 發光元件失效
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI358137B
公开(公告)日：2012-02-11
申请号：TW093133711
申请日：2004-11-04
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：山田雅人 , 高橋雅宣
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2224/73265 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10158 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/10349 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明之發光元件具有元件晶片100C，在該元件晶片100C之厚度方向之至少一部分區間形成截面減少部，其從第一主表面側朝第二主表面側之與該厚度方向正交之截面積係呈連續性或階段性減少。又，模塑成形部25之一部分，係具有至少覆蓋該截面減少部之第一模塑成形層26、及覆蓋該第一模塑成形層26外側之第二模塑成形層25m，該第一模塑成形層26係使用較該第二模塑成形層25m為質軟之高分子成形材料來構成。藉此，所提供之發光元件，即使成形樹脂膨脹，粘著於金屬載台上之元件晶片亦不易發生剝離。
简体摘要：本发明之发光组件具有组件芯片100C，在该组件芯片100C之厚度方向之至少一部分区间形成截面减少部，其从第一主表面侧朝第二主表面侧之与该厚度方向正交之截面积系呈连续性或阶段性减少。又，模塑成形部25之一部分，系具有至少覆盖该截面减少部之第一模塑成形层26、及覆盖该第一模塑成形层26外侧之第二模塑成形层25m，该第一模塑成形层26系使用较该第二模塑成形层25m为质软之高分子成形材料来构成。借此，所提供之发光组件，即使成形树脂膨胀，粘着于金属载台上之组件芯片亦不易发生剥离。

4. 发明专利

TWI318462B 發光元件及發光元件之製造方法有权
简体标题：发光组件及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TWI318462B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW093107630
申请日：2004-03-22
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：萩本和德 , 池田淳 , 高橋雅宣 , 山田雅人
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/387
摘要：在發光元件100中，於化合物半導體層60與主金屬層10之間，為了降低該主金屬層10與化合物半導體層60之接觸電阻而配置接觸金屬層32。又，化合物半導體層60之位於接觸金屬層32與發光層部24間的部位，係形成擴散阻擋用半導體層25(對來自發光層部24之發光光束具有透光性，且能抑制從接觸金屬層32往發光層部24之成分擴散)。若使擴散阻擋用半導體層25由AlGaAs構成，則能有效抑制從接觸金屬層32往發光層部24之Ge、Ni及Au等的擴散。藉此，可提供一種發光元件，係透過接觸金屬層及反射用金屬層而將元件基板結合於發光層部之發光元件，就算進行接觸金屬層之合金化熱處理，該接觸金屬層也不易對發光層部產生成分擴散的影響。
简体摘要：在发光组件100中，于化合物半导体层60与主金属层10之间，为了降低该主金属层10与化合物半导体层60之接触电阻而配置接触金属层32。又，化合物半导体层60之位于接触金属层32与发光层部24间的部位，系形成扩散阻挡用半导体层25(对来自发光层部24之发光光束具有透光性，且能抑制从接触金属层32往发光层部24之成分扩散)。若使扩散阻挡用半导体层25由AlGaAs构成，则能有效抑制从接触金属层32往发光层部24之Ge、Ni及Au等的扩散。借此，可提供一种发光组件，系透过接触金属层及反射用金属层而将组件基板结合于发光层部之发光组件，就算进行接触金属层之合金化热处理，该接触金属层也不易对发光层部产生成分扩散的影响。

5. 发明专利

TW200522397A 發光元件失效
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW200522397A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093133711
申请日：2004-11-04
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：山田雅人 , 高橋雅宣
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2224/73265 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10158 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/10349 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明之發光元件具有元件晶片100C，在該元件晶片100C之厚度方向之至少一部分區間形成截面減少部，其從第一主表面側朝第二主表面側之與該厚度方向正交之截面積係呈連續性或階段性減少。又，模塑成形部25之一部分，係具有至少覆蓋該截面減少部之第一模塑成形層26、及覆蓋該第一模塑成形層26外側之第二模塑成形層25m，該第一模塑成形層26係使用較該第二模塑成形層25m為質軟之高分子成形材料來構成。藉此，所提供之發光元件，即使成形樹脂膨脹，粘著於金屬載台上之元件晶片亦不易發生剝離。
简体摘要：本发明之发光组件具有组件芯片100C，在该组件芯片100C之厚度方向之至少一部分区间形成截面减少部，其从第一主表面侧朝第二主表面侧之与该厚度方向正交之截面积系呈连续性或阶段性减少。又，模塑成形部25之一部分，系具有至少覆盖该截面减少部之第一模塑成形层26、及覆盖该第一模塑成形层26外侧之第二模塑成形层25m，该第一模塑成形层26系使用较该第二模塑成形层25m为质软之高分子成形材料来构成。借此，所提供之发光组件，即使成形树脂膨胀，粘着于金属载台上之组件芯片亦不易发生剥离。

6. 发明专利

TW200505051A 發光元件及發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW200505051A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093107630
申请日：2004-03-22
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：萩本和德 , 池田淳 , 高橋雅宣 , 山田雅人
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/387
摘要：在發光元件100中，於化合物半導體層60與主金屬層10之間，為了降低該主金屬層10與化合物半導體層60之接觸電阻而配置接觸金屬層32。又，化合物半導體層60之位於接觸金屬層32與發光層部24間的部位，係形成擴散阻擋用半導體層25(對來自發光層部24之發光光束具有透光性，且能抑制從接觸金屬層32往發光層部24之成分擴散)。若使擴散阻擋用半導體層25由AlGaAs構成，則能有效抑制從接觸金屬層32往發光層部24之Ge、Ni及Au等的擴散。藉此，可提供一種發光元件，係透過接觸金屬層及反射用金屬層而將元件基板結合於發光層部之發光元件，就算進行接觸金屬層之合金化熱處理，該接觸金屬層也不易對發光層部產生成分擴散的影響。
简体摘要：在发光组件100中，于化合物半导体层60与主金属层10之间，为了降低该主金属层10与化合物半导体层60之接触电阻而配置接触金属层32。又，化合物半导体层60之位于接触金属层32与发光层部24间的部位，系形成扩散阻挡用半导体层25(对来自发光层部24之发光光束具有透光性，且能抑制从接触金属层32往发光层部24之成分扩散)。若使扩散阻挡用半导体层25由AlGaAs构成，则能有效抑制从接触金属层32往发光层部24之Ge、Ni及Au等的扩散。借此，可提供一种发光组件，系透过接触金属层及反射用金属层而将组件基板结合于发光层部之发光组件，就算进行接触金属层之合金化热处理，该接触金属层也不易对发光层部产生成分扩散的影响。

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