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1. 发明专利

TW497155B 矽磊晶晶圓之製造方法及矽磊晶晶圓失效
简体标题：硅磊晶晶圆之制造方法及硅磊晶晶圆
公开(公告)号：TW497155B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW089123741
申请日：2000-11-09
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：江原幸治 , 大瀨廣樹 , 笠原裕夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/743 , H01L29/0821 , H01L29/66272 , H01L29/66712 , H01L29/732 , H01L29/7809
摘要：藉由在氫環境氣氛中進行作為離子注入後之結晶回復的熱處理，即使未進行植入前氧化處理，仍可極有效地抑制對離子注入層71，72之面粗化的發生。於是，在其有埋入離子注入層71'，72'之磊晶晶圓之製造方法中，可實現植入前氧化處理的省略、乃至僅以光阻膜當作光罩64來使用之離子注入。因可排除對於包含植入前氧化之磊晶層3的積極的氧化膜形成處理，於是加入埋入離子注入層71'，72'之熱經歷的次數減少，可有效地抑制橫方向擴散。又，由於無須氧化膜之形成/去除，乃可大幅地減少磊晶晶圓之製造上的製程數目。
简体摘要：借由在氢环境气氛中进行作为离子注入后之结晶回复的热处理，即使未进行植入前氧化处理，仍可极有效地抑制对离子注入层71，72之面粗化的发生。于是，在其有埋入离子注入层71'，72'之磊晶晶圆之制造方法中，可实现植入前氧化处理的省略、乃至仅以光阻膜当作光罩64来使用之离子注入。因可排除对于包含植入前氧化之磊晶层3的积极的氧化膜形成处理，于是加入埋入离子注入层71'，72'之热经历的次数减少，可有效地抑制横方向扩散。又，由于无须氧化膜之形成/去除，乃可大幅地减少磊晶晶圆之制造上的制程数目。

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