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1. 发明专利

TW457557B 半導體晶圓之製造方法有权
简体标题：半导体晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW457557B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW088118650
申请日：1999-10-28
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：大瀨廣樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/2205 , Y10T29/41
摘要：本發明之目的，係提供一在直徑300mm以上半導體單結晶基板主面上具有均一電阻率之半導體薄膜的半導體晶圓之製造方法。
在自配置於反應容器10寬度方向之六個導入口18a、18b、…、18f朝旋轉之單結晶矽基板12的主面以約略平行且沿一方向供給加工氣體時，自內側導入口18a、18b及中間導入口l8c、18d，將H2氣體、半導體原料氣體及摻雜氣體供至單結晶矽基板12主面中心部附近及中間部，而自外側導入口18e、18f，則僅將H2氣體及半導體原料氣體供給至外緣部附近而不供給摻雜氣體。但對此外緣部附近，則係供給自動摻雜(Autodoping)現象所產生之摻雜氣體。因此，將二方之摻雜氣體相加時，供至單結晶矽基板12主面全體之摻雜氣體濃度即約略均一。
简体摘要：本发明之目的，系提供一在直径300mm以上半导体单结晶基板主面上具有均一电阻率之半导体薄膜的半导体晶圆之制造方法。在自配置于反应容器10宽度方向之六个导入口18a、18b、…、18f朝旋转之单结晶硅基板12的主面以约略平行且沿一方向供给加工气体时，自内侧导入口18a、18b及中间导入口l8c、18d，将H2气体、半导体原料气体及掺杂气体供至单结晶硅基板12主面中心部附近及中间部，而自外侧导入口18e、18f，则仅将H2气体及半导体原料气体供给至外缘部附近而不供给掺杂气体。但对此外缘部附近，则系供给自动掺杂(Autodoping)现象所产生之掺杂气体。因此，将二方之掺杂气体相加时，供至单结晶硅基板12主面全体之掺杂气体浓度即约略均一。

2. 发明专利

TW452859B 半導體晶圓及氣相成長裝置有权
简体标题：半导体晶圆及气相成长设备
公开(公告)号：TW452859B
公开(公告)日：2001-09-01
申请号：TW088118653
申请日：1999-10-28
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：大瀨廣樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/45561 , C23C16/45574 , C30B25/14 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , Y10T428/12528 , Y10T428/21 , Y10T428/31
摘要：本發明之目的，在提供一種摻雜濃度較低，直徑300mm以上大口徑之半導體單結晶基板主面上，具有電阻率均一、實質上不致發生滑移之半導體薄膜的半導體晶圓，同時提供一種可製作此種半導體晶圓之氣相成長裝置。
自設置於反應容器10寬度方向之全部六個導入口18a、18b、…18f，透過其機能為主摻雜氣體配管之共用氣體配管22a所供給之摻雜氣體，係供給至反應容器10內。又，自作為特定氣體導入口之內側導入口18a、18b及中間導入口18c、18d，係透過第l及第2副摻雜氣體配管22b、32c所分別供給之摻雜氣體追加供給至反應容器10內。
简体摘要：本发明之目的，在提供一种掺杂浓度较低，直径300mm以上大口径之半导体单结晶基板主面上，具有电阻率均一、实质上不致发生滑移之半导体薄膜的半导体晶圆，同时提供一种可制作此种半导体晶圆之气相成长设备。自设置于反应容器10宽度方向之全部六个导入口18a、18b、…18f，透过其机能为主掺杂气体配管之共享气体配管22a所供给之掺杂气体，系供给至反应容器10内。又，自作为特定气体导入口之内侧导入口18a、18b及中间导入口18c、18d，系透过第l及第2副掺杂气体配管22b、32c所分别供给之掺杂气体追加供给至反应容器10内。

3. 发明专利

TW200302525A 熱處理裝置及熱處理方法审中-公开
简体标题：热处理设备及热处理方法
公开(公告)号：TW200302525A
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW092101373
申请日：2003-01-22
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：大瀨廣樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68735 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67115
摘要：本發明的熱處理裝置是具備：可旋轉地具備於熱處理容器(1)內，載置晶圓(W)的感受器(2)、受到設在前述熱處理容器(1)內的台座(4)所支承，接近且非接觸地包圍感受器(2)的周圍之預熱環(3)、用來加熱載置於感受器(2)的晶圓(W)之加熱裝置(8)的熱處理裝置，其特徵為：預熱環是形成：內周中心(31a)對該預熱環的外周(32)偏移(偏心)。將預熱環(3)移動於感受器(2)的周圍，而將預熱環(3)定位成使預熱環(3)的內周的中心(31a)與感受器(2)的中心(2b)之距離變成最小，然後，對晶圓(W)實施熱處理。
简体摘要：本发明的热处理设备是具备：可旋转地具备于热处理容器(1)内，载置晶圆(W)的感受器(2)、受到设在前述热处理容器(1)内的台座(4)所支承，接近且非接触地包围感受器(2)的周围之预热环(3)、用来加热载置于感受器(2)的晶圆(W)之加热设备(8)的热处理设备，其特征为：预热环是形成：内周中心(31a)对该预热环的外周(32)偏移(偏心)。将预热环(3)移动于感受器(2)的周围，而将预热环(3)定位成使预热环(3)的内周的中心(31a)与感受器(2)的中心(2b)之距离变成最小，然后，对晶圆(W)实施热处理。

4. 发明专利

TWI252551B 晶座、氣相成長裝置、磊晶晶圓的製造裝置、磊晶晶圓的製造方法以及磊晶晶圓有权
简体标题：晶座、气相成长设备、磊晶晶圆的制造设备、磊晶晶圆的制造方法以及磊晶晶圆
公开(公告)号：TWI252551B
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW091134834
申请日：2002-11-29
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：吉田知佐 YOSHIDA, TOMOSUKE , 荒井剛 , 秋山謙二 , 大瀨廣樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/4405 , C23C16/4583
摘要：本發明揭示一種晶座、氣相成長裝置、磊晶晶圓的製造裝置、磊晶晶圓的製造方法以及磊晶晶圓。本發明的晶座是進行氣相成長時用來支撐半導體基板(W)的晶座，其特徵為：在上面形成有可於內部配置半導體基板(W)的凹槽(11)。凹槽(11)是具有用來支撐半導體基板(W)之外周緣部的上段凹槽部(11a)；以及比該上段凹槽部(11a)更位於中心側下段的下段凹槽部(11b)的兩段構成。且在下段凹槽部(11b)形成有貫穿至背面，進行氣相成長時也會形成開放狀態的孔部(12)。
简体摘要：本发明揭示一种晶座、气相成长设备、磊晶晶圆的制造设备、磊晶晶圆的制造方法以及磊晶晶圆。本发明的晶座是进行气相成长时用来支撑半导体基板(W)的晶座，其特征为：在上面形成有可于内部配置半导体基板(W)的凹槽(11)。凹槽(11)是具有用来支撑半导体基板(W)之外周缘部的上段凹槽部(11a)；以及比该上段凹槽部(11a)更位于中心侧下段的下段凹槽部(11b)的两段构成。且在下段凹槽部(11b)形成有贯穿至背面，进行气相成长时也会形成开放状态的孔部(12)。

5. 发明专利

TW200300998A 晶座、氣相成長裝置、磊晶晶圓的製造裝置、磊晶晶圓的製造方法以及磊晶晶圓审中-公开
简体标题：晶座、气相成长设备、磊晶晶圆的制造设备、磊晶晶圆的制造方法以及磊晶晶圆
公开(公告)号：TW200300998A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091134834
申请日：2002-11-29
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：吉田知佐 , 荒井剛 , 秋山謙二 , 大瀨廣樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/4405 , C23C16/4583
摘要：本發明揭示一種晶座、氣相成長裝置、磊晶晶圓的製造裝置、磊晶晶圓的製造方法以及磊晶晶圓。本發明的晶座是進行氣相成長時用來支撐半導體基板(w)的晶座，其特徵為：在上面形成有可於內部配置半導體基板(w)的凹槽(11)。凹槽(11)是具有用來支撐半導體基板(w)之外周緣部的上段凹槽部(11a)；以及比該上段凹槽部(11a)更位於中心側下段的下段凹槽部(11b)的兩段構成。且在下段凹慒部(11b)形成有貫穿至背面，進行氣相成長時也會形成開放狀態的孔部(12)。
简体摘要：本发明揭示一种晶座、气相成长设备、磊晶晶圆的制造设备、磊晶晶圆的制造方法以及磊晶晶圆。本发明的晶座是进行气相成长时用来支撑半导体基板(w)的晶座，其特征为：在上面形成有可于内部配置半导体基板(w)的凹槽(11)。凹槽(11)是具有用来支撑半导体基板(w)之外周缘部的上段凹槽部(11a)；以及比该上段凹槽部(11a)更位于中心侧下段的下段凹槽部(11b)的两段构成。且在下段凹慒部(11b)形成有贯穿至背面，进行气相成长时也会形成开放状态的孔部(12)。

6. 发明专利

TWI258189B 熱處理裝置及熱處理方法有权
简体标题：热处理设备及热处理方法
公开(公告)号：TWI258189B
公开(公告)日：2006-07-11
申请号：TW092101373
申请日：2003-01-22
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：大瀨廣樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68735 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67115
摘要：本發明的熱處理裝置是具備：可旋轉地具備於熱處理容器(1)內，載置晶圓(W)的感受器(2)、受到設在前述熱處理容器(1)內的台座(4)所支承，接近且非接觸地包圍感受器(2)的周圍之預熱環(3)、用來加熱載置於感受器(2)的晶圓(W)之加熱裝置(8)的熱處理裝置，其特徵為：預熱環是形成：內周中心(31a)對該預熱環的外周(32)偏移(偏心)。
將預熱環(3)移動於感受器(2)的周圍，而將預熱環(3)定位成使預熱環(3)的內周的中心(31a)與感受器(2)的中心(2b)之距離變成最小，然後，對晶圓(W)實施熱處理。
简体摘要：本发明的热处理设备是具备：可旋转地具备于热处理容器(1)内，载置晶圆(W)的感受器(2)、受到设在前述热处理容器(1)内的台座(4)所支承，接近且非接触地包围感受器(2)的周围之预热环(3)、用来加热载置于感受器(2)的晶圆(W)之加热设备(8)的热处理设备，其特征为：预热环是形成：内周中心(31a)对该预热环的外周(32)偏移(偏心)。将预热环(3)移动于感受器(2)的周围，而将预热环(3)定位成使预热环(3)的内周的中心(31a)与感受器(2)的中心(2b)之距离变成最小，然后，对晶圆(W)实施热处理。

7. 发明专利

TW497155B 矽磊晶晶圓之製造方法及矽磊晶晶圓失效
简体标题：硅磊晶晶圆之制造方法及硅磊晶晶圆
公开(公告)号：TW497155B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW089123741
申请日：2000-11-09
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：江原幸治 , 大瀨廣樹 , 笠原裕夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/743 , H01L29/0821 , H01L29/66272 , H01L29/66712 , H01L29/732 , H01L29/7809
摘要：藉由在氫環境氣氛中進行作為離子注入後之結晶回復的熱處理，即使未進行植入前氧化處理，仍可極有效地抑制對離子注入層71，72之面粗化的發生。於是，在其有埋入離子注入層71'，72'之磊晶晶圓之製造方法中，可實現植入前氧化處理的省略、乃至僅以光阻膜當作光罩64來使用之離子注入。因可排除對於包含植入前氧化之磊晶層3的積極的氧化膜形成處理，於是加入埋入離子注入層71'，72'之熱經歷的次數減少，可有效地抑制橫方向擴散。又，由於無須氧化膜之形成/去除，乃可大幅地減少磊晶晶圓之製造上的製程數目。
简体摘要：借由在氢环境气氛中进行作为离子注入后之结晶回复的热处理，即使未进行植入前氧化处理，仍可极有效地抑制对离子注入层71，72之面粗化的发生。于是，在其有埋入离子注入层71'，72'之磊晶晶圆之制造方法中，可实现植入前氧化处理的省略、乃至仅以光阻膜当作光罩64来使用之离子注入。因可排除对于包含植入前氧化之磊晶层3的积极的氧化膜形成处理，于是加入埋入离子注入层71'，72'之热经历的次数减少，可有效地抑制横方向扩散。又，由于无须氧化膜之形成/去除，乃可大幅地减少磊晶晶圆之制造上的制程数目。

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