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1. 发明专利

TW425627B 研磨用工件保持盤及其製造方法以及工件的研磨方法與研磨裝置失效
简体标题：研磨用工件保持盘及其制造方法以及工件的研磨方法与研磨设备
公开(公告)号：TW425627B
公开(公告)日：2001-03-11
申请号：TW088118584
申请日：1999-10-27
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人： 村壽 , 田中好一 , 鈴木文夫 , 森田幸治 , 岡村晃一 , 外山直孝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/30 , B05D1/32 , B05D3/042 , B24B7/00 , B25B11/005 , H01L21/6838
摘要：本發明有關於用於精密研磨半導體晶圓等工件之表面之研磨用工件保持盤，及其製造方法，工件之研磨方法以及研磨裝置。本發明之目的乃改良用於真空吸著保持工件之研磨用工件保持盤之保持盤本體之材質，及被覆該工件保持面之樹脂皮膜之材質，且開發出當樹脂被覆加工時不會以樹脂閉塞保持盤本體之貫穿孔之樹脂被覆方法，以資提供具有高精度之工件保持面之研磨用工件保持盤，以及其製造方法。
依本發明時，可以提供：一種研磨用工件保持盤，主要乃具備，備有用於將工件予以真空吸著保持之多數之貫穿孔之工件保持盤本體之研磨用工件保持盤，其特徵為：
該保持盤本體之保持面係由，塗佈於該保持面之熱硬化性樹脂所熱硬化之皮膜所被覆，且該皮膜之表面乃經研磨而成之研磨用工件保持盤，以及其製造方法。
简体摘要：本发明有关于用于精密研磨半导体晶圆等工件之表面之研磨用工件保持盘，及其制造方法，工件之研磨方法以及研磨设备。本发明之目的乃改良用于真空吸着保持工件之研磨用工件保持盘之保持盘本体之材质，及被覆该工件保持面之树脂皮膜之材质，且开发出当树脂被覆加工时不会以树脂闭塞保持盘本体之贯穿孔之树脂被覆方法，以资提供具有高精度之工件保持面之研磨用工件保持盘，以及其制造方法。依本发明时，可以提供：一种研磨用工件保持盘，主要乃具备，备有用于将工件予以真空吸着保持之多数之贯穿孔之工件保持盘本体之研磨用工件保持盘，其特征为：该保持盘本体之保持面系由，涂布于该保持面之热硬化性树脂所热硬化之皮膜所被覆，且该皮膜之表面乃经研磨而成之研磨用工件保持盘，以及其制造方法。

2. 发明专利

TW490754B 晶圓研磨裝置及方法有权
简体标题：晶圆研磨设备及方法
公开(公告)号：TW490754B
公开(公告)日：2002-06-11
申请号：TW088118596
申请日：1999-10-27
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：田中好一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/30
摘要：本發明係為提供解決單片式晶圓研磨裝置所造成製造成本提高的缺點以及整批式晶圓研磨裝置所造成研磨晶圓的平坦性降低的缺點，且兼備單片式晶圓研磨裝置所造成研磨晶圓的平坦性增的優點以及整批式晶圓研磨裝置所造成製造成本降低的優點等之晶圓研磨裝置及其方法。本發明係為將保持在晶圓保持板之晶圓，利用載重以所定的研磨載重押壓到被貼著於旋轉盤之研磨布，因而在該晶圓的單面施予研磨加工之晶圓研磨裝置；該晶圓保持板，由保持晶圓的複數個晶圓保持部，及一體連接該複數個晶圓保持部所形成；將該晶圓保持部形成為高剛性領域且將該連接板部形成為低剛性領域，並且在該複數個晶圓保持部設置使其均等地分布該研磨載重之載重均等分布手段。
简体摘要：本发明系为提供解决单片式晶圆研磨设备所造成制造成本提高的缺点以及整批式晶圆研磨设备所造成研磨晶圆的平坦性降低的缺点，且兼备单片式晶圆研磨设备所造成研磨晶圆的平坦性增的优点以及整批式晶圆研磨设备所造成制造成本降低的优点等之晶圆研磨设备及其方法。本发明系为将保持在晶圆保持板之晶圆，利用载重以所定的研磨载重押压到被贴着于旋转盘之研磨布，因而在该晶圆的单面施予研磨加工之晶圆研磨设备；该晶圆保持板，由保持晶圆的复数个晶圆保持部，及一体连接该复数个晶圆保持部所形成；将该晶圆保持部形成为高刚性领域且将该连接板部形成为低刚性领域，并且在该复数个晶圆保持部设置使其均等地分布该研磨载重之载重均等分布手段。

3. 发明专利

TW314485B 晶圓研磨方法失效
简体标题：晶圆研磨方法
公开(公告)号：TW314485B
公开(公告)日：1997-09-01
申请号：TW085109750
申请日：1996-08-09
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：之屋敏弘 , 田中好一 , 高久勉 , 森田幸治 , 橋本浩昌
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/042
摘要：本發明係有關一種晶圓研磨方法，係相對以一定壓力加壓下旋轉之板片上保持的矽晶圓，在其與貼著於以一定相對速度作相對運動之研磨固定盤上的研磨布之間，介在研磨劑，並藉由複數個研磨階段之研磨過程，實施機械化學研磨之晶圓之研磨方法；為了提供與習用三階段研磨過程所能獲得之晶圓同等的品質之二階段研磨過程中之晶圓研磨方法，上述研磨過程係由一次研磨過程與精磨過程之二階段研磨過程所構成，上述一次研磨過程係以３００～７００ｇ／ｃｍ^2之高研磨壓力及５０～１５０ｍ／ｍｉｎ之基準相對速度進行，在該研磨過程之終段，進行朝２～４倍相對速度之急加速及朝１／２～１／１０之低研磨壓力之急速減壓者。
简体摘要：本发明系有关一种晶圆研磨方法，系相对以一定压力加压下旋转之板片上保持的硅晶圆，在其与贴着于以一定相对速度作相对运动之研磨固定盘上的研磨布之间，介在研磨剂，并借由复数个研磨阶段之研磨过程，实施机械化学研磨之晶圆之研磨方法；为了提供与习用三阶段研磨过程所能获得之晶圆同等的品质之二阶段研磨过程中之晶圆研磨方法，上述研磨过程系由一次研磨过程与精磨过程之二阶段研磨过程所构成，上述一次研磨过程系以３００～７００ｇ／ｃｍ^2之高研磨压力及５０～１５０ｍ／ｍｉｎ之基准相对速度进行，在该研磨过程之终段，进行朝２～４倍相对速度之急加速及朝１／２～１／１０之低研磨压力之急速减压者。

4. 发明专利

TW556265B SOI晶圓之雷射標誌印字方法,SOI晶圓及其製造方法有权
简体标题： SOI晶圆之激光标志印字方法,SOI晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TW556265B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW091119431
申请日：2002-08-27
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：富澤進一 , 田中好一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/76251 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：完成SOI晶圓10後，在SOI層12表面或基底晶圓11表面上的平台B3中任何一方印字雷射標誌B1、B2；或除去接合晶圓中覆蓋基底晶圓11a上的雷射標誌印字部C1部分，形成露出雷射標誌印字部C1的開口部，或結合基底晶圓11b與結合晶圓20之前，在基底晶圓11b表面中與結合晶圓20未重疊之領域D1，事先印字雷射標誌D2、或結合事先印字有雷射標誌E1的基底晶圓11c、及結合晶圓21c之前，除去重疊於雷射標誌E1的印字部的部分121c。
简体摘要：完成SOI晶圆10后，在SOI层12表面或基底晶圆11表面上的平台B3中任何一方印字激光标志B1、B2；或除去接合晶圆中覆盖基底晶圆11a上的激光标志印字部C1部分，形成露出激光标志印字部C1的开口部，或结合基底晶圆11b与结合晶圆20之前，在基底晶圆11b表面中与结合晶圆20未重叠之领域D1，事先印字激光标志D2、或结合事先印字有激光标志E1的基底晶圆11c、及结合晶圆21c之前，除去重叠于激光标志E1的印字部的部分121c。

5. 发明专利

TW410404B 處理薄片周邊部份之方法及其裝置失效
简体标题：处理薄片周边部份之方法及其设备
公开(公告)号：TW410404B
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：TW088108127
申请日：1999-05-18
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：田中好一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24D5/02 , B24B1/00 , B24B9/065
摘要：一種處理薄片周邊部份之方法包含下列步驟:以一具有圓形自由端及突出至該薄片以便處理該薄片之接觸周邊部份之工具處理部件接觸該薄片;及在該工具及薄片之一之方向中移動至少選自該工具及薄片之另一個，該移動平行於該薄片之主要表面及位於該另一個之方向中，該移動方向正交於該薄片之主要表面，以便將該薄片周邊部份及該工具處理部件間之一接觸點改變至另一接觸點，及處理該薄片周邊部份之已改變接觸點。
简体摘要：一种处理薄片周边部份之方法包含下列步骤:以一具有圆形自由端及突出至该薄片以便处理该薄片之接触周边部份之工具处理部件接触该薄片;及在该工具及薄片之一之方向中移动至少选自该工具及薄片之另一个，该移动平行于该薄片之主要表面及位于该另一个之方向中，该移动方向正交于该薄片之主要表面，以便将该薄片周边部份及该工具处理部件间之一接触点改变至另一接触点，及处理该薄片周边部份之已改变接触点。

6. 发明专利

TW393368B 拋光墊、用以處理拋光墊的方法及裝置、及拋光方法有权
简体标题：抛光垫、用以处理抛光垫的方法及设备、及抛光方法
公开(公告)号：TW393368B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW088103624
申请日：1999-03-09
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：田中好一 , 森田幸治 , 高久勉
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/26 , B24B39/00 , B24D18/0009
摘要：一種拋光墊，供待拋光之工件壓向其表面，其包括在高於拋光工件之操作溫度及／或等於或高於拋光工件之操作壓力的條件下壓縮所得到的結構。一種拋光工件的方法，包括使用拋光墊拋光工件的步驟。
简体摘要：一种抛光垫，供待抛光之工件压向其表面，其包括在高于抛光工件之操作温度及／或等于或高于抛光工件之操作压力的条件下压缩所得到的结构。一种抛光工件的方法，包括使用抛光垫抛光工件的步骤。

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