专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI692901B 鋰離子二次電池用負極及含有其之鋰離子二次電池，暨鋰離子二次電池用負極之製造方法有权
简体标题：锂离子二次电池用负极及含有其之锂离子二次电池，暨锂离子二次电池用负极之制造方法
公开(公告)号：TWI692901B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105124758
申请日：2016-08-04
申请人：日商三井化學股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS, INC. , 日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西浦克典 , NISHIURA, KATSUNORI , 猿山雅亮 , SARUYAMA, MASAKI , 坂田佳廣 , SAKATA, YOSHIHIRO , 大西仁志 , ONISHI, HITOSHI , 江田昭 , EDA, AKIRA , 大橋健 , OHASHI, KEN , 古屋昌浩 , FURUYA, MASAHIRO , 廣瀨貴一 , HIROSE, TAKAKAZU , 吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI
IPC分类号： H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M10/052

2. 发明专利

TW201717455A 鋰離子二次電池用負極及含有其之鋰離子二次電池，暨鋰離子二次電池用負極之製造方法审中-公开
简体标题：锂离子二次电池用负极及含有其之锂离子二次电池，暨锂离子二次电池用负极之制造方法
公开(公告)号：TW201717455A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105124758
申请日：2016-08-04
申请人：三井化學股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS, INC. , 信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西浦克典 , NISHIURA, KATSUNORI , 猿山雅亮 , SARUYAMA, MASAKI , 坂田佳廣 , SAKATA, YOSHIHIRO , 大西仁志 , ONISHI, HITOSHI , 江田昭 , EDA, AKIRA , 大橋健 , OHASHI, KEN , 古屋昌浩 , FURUYA, MASAHIRO , 廣瀨貴一 , HIROSE, TAKAKAZU , 吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI
IPC分类号： H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M10/052
CPC分类号： H01M4/13 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0566
摘要：本發明之課題在於提供初次充放電效率高、能量密度高之鋰離子二次電池用負極、以及含有其之鋰離子二次電池、以及可將鋰等鹼金屬或鹼土族金屬效率佳地摻雜的鋰離子二次電池用負極之製造方法。為了解決上述課題，本發明為一種鋰離子二次電池用負極，係具有至少含有下述者的負極混合材層：含有可吸藏鋰之矽或錫的合金系材料(A)；碳粒子(B)；含有醯亞胺鍵結的聚合物(C)；與多環芳香族化合物(D)；上述負極混合材層中之上述含有醯亞胺鍵結的聚合物(C)的量為3質量%以上且13質量%以下。
简体摘要：本发明之课题在于提供初次充放电效率高、能量密度高之锂离子二次电池用负极、以及含有其之锂离子二次电池、以及可将锂等碱金属或碱土族金属效率佳地掺杂的锂离子二次电池用负极之制造方法。为了解决上述课题，本发明为一种锂离子二次电池用负极，系具有至少含有下述者的负极混合材层：含有可吸藏锂之硅或锡的合金系材料(A)；碳粒子(B)；含有酰亚胺键结的聚合物(C)；与多环芳香族化合物(D)；上述负极混合材层中之上述含有酰亚胺键结的聚合物(C)的量为3质量%以上且13质量%以下。

3. 发明专利

TW201504144A 氧化矽的製造裝置及製造方法审中-公开
简体标题：氧化硅的制造设备及制造方法
公开(公告)号：TW201504144A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103111460
申请日：2014-03-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：川田敦雄 , KAWADA, NOBUO , 大橋健 , OHASHI, KEN
IPC分类号： C01B33/113 , H01M4/48
CPC分类号： H01M4/485 , C01B33/113 , H01M10/052
摘要：本發明是有關於一種氧化矽的製造裝置，具備：將包含二氧化矽粉末的混合原料粉末反應使生成氧化矽氣體的反應室、及在此反應室內供給上述混合原料粉末的原料供給機構、及將上述氧化矽氣體作為氧化矽固體朝其表面析出的2個以上的基體、及朝上述基體析出氧化矽固體的析出室、及將上述氧化矽氣體從上述反應室朝上述析出室搬運的搬運管、及回收室、及將氧化矽固體被析出的基體配置的準備室，上述析出室及回收室是透過回收室側閘門閥被連結，上述析出室及準備室是透過準備室側閘門閥被連結。依據本發明，可以效率且長時間穩定地將高純度的氧化矽連續地製造。
简体摘要：本发明是有关于一种氧化硅的制造设备，具备：将包含二氧化硅粉末的混合原料粉末反应使生成氧化硅气体的反应室、及在此反应室内供给上述混合原料粉末的原料供给机构、及将上述氧化硅气体作为氧化硅固体朝其表面析出的2个以上的基体、及朝上述基体析出氧化硅固体的析出室、及将上述氧化硅气体从上述反应室朝上述析出室搬运的搬运管、及回收室、及将氧化硅固体被析出的基体配置的准备室，上述析出室及回收室是透过回收室侧闸门阀被链接，上述析出室及准备室是透过准备室侧闸门阀被链接。依据本发明，可以效率且长时间稳定地将高纯度的氧化硅连续地制造。

4. 发明专利

TWI229142B 磁控濺鍍裝置與使用此磁控濺鍍裝置的空白光罩的製造方法有权
简体标题：磁控溅镀设备与使用此磁控溅镀设备的空白光罩的制造方法
公开(公告)号：TWI229142B
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：TW090132064
申请日：2001-12-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊政孝 WATANABE, MASATAKA , 岡崎智 OKAZAKI, SATOSHI , 金子英雄 KANEKO, HIDEO , 大橋健 , 小林秀樹 HIDEKI KOBAYASHI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3408
摘要：促使在磁控濺鍍裝置，雖使用粗厚之標靶亦能進行不致發生未腐蝕部及其隨伴之微粒子生成的良好成膜。
提供一種含有：進行濺鍍反應所用之容器10、與設置於該容器內之靶電極5、與被設置呈對向於該靶電極之基板電極6、與被設置呈包圍於該靶電極側面之環狀圓筒磁鐵2、以及被設置於該靶電極之標靶設置面之相反側，且由該靶電極予以磁化於垂直方向並沿該靶電極圓周方向轉動之半圓板狀磁鐵1的磁控濺鍍裝置8。藉此，能使粗厚平板標靶表面3發生所定磁場成分，而可進行良好之成膜。
简体摘要：促使在磁控溅镀设备，虽使用粗厚之标靶亦能进行不致发生未腐蚀部及其随伴之微粒子生成的良好成膜。提供一种含有：进行溅镀反应所用之容器10、与设置于该容器内之靶电极5、与被设置呈对向于该靶电极之基板电极6、与被设置呈包围于该靶电极侧面之环状圆筒磁铁2、以及被设置于该靶电极之标靶设置面之相反侧，且由该靶电极予以磁化于垂直方向并沿该靶电极圆周方向转动之半圆板状磁铁1的磁控溅镀设备8。借此，能使粗厚平板标靶表面3发生所定磁场成分，而可进行良好之成膜。

5. 发明专利

TW436821B 稀土金屬元素/ 鐵/硼為基底之永久磁體及彼之製法失效
简体标题：稀土金属元素/ 铁/硼为基底之永久磁体及彼之制法
公开(公告)号：TW436821B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW088122167
申请日：1999-12-16
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大橋健 , 野村忠雄
IPC分类号： H01F
CPC分类号： B82Y25/00 , H01F1/0576 , H01F1/0579
摘要：本發明揭示具有如從合金的淬火薄帶製備的毫微米組成物結構之相對塊狀形式的磁性向異之稀土金屬元素/鐵/硼為基底之永久磁體的製備方法。此方法包括加熱淬火的薄帶粉末至允許部分形成低熔點的鑭/鐵或稀土金屬元素/銅合金液相之溫度及利用將粉末在熱阻抗下通過在壓縮滾筒對之間的間隙使淬火的薄帶粉末接受單軸熱變形處理。
简体摘要：本发明揭示具有如从合金的淬火薄带制备的毫微米组成物结构之相对块状形式的磁性向异之稀土金属元素/铁/硼为基底之永久磁体的制备方法。此方法包括加热淬火的薄带粉末至允许部分形成低熔点的镧/铁或稀土金属元素/铜合金液相之温度及利用将粉末在热阻抗下通过在压缩滚筒对之间的间隙使淬火的薄带粉末接受单轴热变形处理。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式