专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI356809B 用於形成多孔膜的組成物，此組成物的製造方法，多孔膜以及半導體裝置 POROUS-FILM-FORMING COMPOSITION, PREPARATION METHOD OF THE COMPOSITION, POROUS FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：用于形成多孔膜的组成物，此组成物的制造方法，多孔膜以及半导体设备 POROUS-FILM-FORMING COMPOSITION, PREPARATION METHOD OF THE COMPOSITION, POROUS FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI356809B
公开(公告)日：2012-01-21
申请号：TW094101189
申请日：2005-01-14
申请人：信越化學工業股份有限公司 , 松下電器產業股份有限公司
发明人：荻原勤 , 八木橋不二夫 , 濱田吉隆 , 淺野健 , 岩淵元亮 , 笹子勝 , 中川秀夫
IPC分类号： C01B , C09D , H05K
CPC分类号： H01L21/02126 , C08G77/06 , C08G77/08 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
摘要：本發明提供了一種用於形成具有優良機械強度和介電常數的多孔膜的塗布液以及用於以半導體製程中常用方法輕易形成膜厚度可自由控制的膜的塗布液。更具體來說，本發明提供了一種製備用於形成多孔膜的組成物的方法，該方法包含製備聚矽氧烷粒子、二氧化矽粒子或沸石粒子（組分A）的步驟、賦予組分A交聯性的步驟、和暫時終止交聯性的步驟；以及用該方法可得到的用於形成多孔膜的組成物。此外，本發明也提供了一種形成多孔膜的方法，該方法包括藉由製備組分A的步驟、賦予組分A交聯性的步驟、和加入交聯性抑制劑以暫時終止交聯性的步驟來製備用於形成多孔膜的組成物；將用於形成多孔膜的組成物施用於基板上形成膜，乾燥該膜，藉由加熱該乾燥膜而去除交聯性抑制劑並同時使粒子交聯。
简体摘要：本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液以及用于以半导体制程中常用方法轻易形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备用于形成多孔膜的组成物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子（组分A）的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的用于形成多孔膜的组成物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括借由制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备用于形成多孔膜的组成物；将用于形成多孔膜的组成物施用于基板上形成膜，干燥该膜，借由加热该干燥膜而去除交联性抑制剂并同时使粒子交联。

2. 发明专利

TWI328600B 形成多孔膜之組成物、多孔膜和其形成方法、層間絕緣膜及半導體裝置 COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, POROUS FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME, INTERLEVEL INSULATOR FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：形成多孔膜之组成物、多孔膜和其形成方法、层间绝缘膜及半导体设备 COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, POROUS FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME, INTERLEVEL INSULATOR FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI328600B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：TW093108145
申请日：2004-03-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , 松下電器產業股份有限公司
发明人：荻原勤 , 八木橋不二夫 , 濱田吉隆 , 淺野健 , 岩淵元亮 , 中川秀夫 , 笹子勝
IPC分类号： C09D , H01L
CPC分类号： H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
摘要：根據本發明，利用一般之半導體製程，可容易地製備所欲控制膜厚的薄膜。本發明提供形成多孔膜的塗覆液，該多孔膜具有優良的介電常數及機械性質。具體地，形成多孔膜的塗覆液包含縮合產物，所述縮合產物是由一或多種通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的矽酸鹽化合物與一或多種通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有機矽酸鹽化合物縮合而得。因此，可製造用於半導體製程具有足夠之機械強度和介電常數的多孔絕緣膜。
简体摘要：根据本发明，利用一般之半导体制程，可容易地制备所欲控制膜厚的薄膜。本发明提供形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械性质。具体地，形成多孔膜的涂覆液包含缩合产物，所述缩合产物是由一或多种通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物与一或多种通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物缩合而得。因此，可制造用于半导体制程具有足够之机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。

4. 发明专利

TWI346253B 防反射膜材料、及使用其之圖型形成方法、基板 ANTIREFLECTION FILM COMPOSITION, PATTERNING PROCESS AND SUBSTRATE USING THE SAME 有权
简体标题：防反射膜材料、及使用其之图型形成方法、基板 ANTIREFLECTION FILM COMPOSITION, PATTERNING PROCESS AND SUBSTRATE USING THE SAME
公开(公告)号：TWI346253B
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW095146913
申请日：2006-12-14
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：岩淵元亮 , 荻原勤 , 淺野健 , 上田貴史
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0752 , C08K3/22 , C09D183/14 , G03F7/091 , C08L83/04
摘要：本發明之課題係提供一種，對光阻膜的蝕刻選擇比高，且藉由形成無機性緻密膜，上層的光阻膜可形成良好的圖型，又可使用濕式剝離(wet stripping)，進而本發明係提供一種保存穩定性高，在蝕刻下層膜時，顯示出優異的乾蝕刻耐性，作為多層光阻膜的光阻中間層膜為恰當之新穎的防反射膜材料，及使用該防反射膜材料於基板上形成防反射膜之圖型形成方法，及以有該防反射膜作為光阻中間層膜的基板。
本發明之解決手段係，一種防反射膜材料，其特徵為，作為用於微影術的多層光阻膜的光阻中間層膜所使用之防反射膜材料中，至少含有將下述一般式(1)所示之具有重覆單位之高分子化合物與鉗合化劑反應所得高分子化合物，與有機溶劑，與酸產生劑。
简体摘要：本发明之课题系提供一种，对光阻膜的蚀刻选择比高，且借由形成无机性致密膜，上层的光阻膜可形成良好的图型，又可使用湿式剥离(wet stripping)，进而本发明系提供一种保存稳定性高，在蚀刻下层膜时，显示出优异的干蚀刻耐性，作为多层光阻膜的光阻中间层膜为恰当之新颖的防反射膜材料，及使用该防反射膜材料于基板上形成防反射膜之图型形成方法，及以有该防反射膜作为光阻中间层膜的基板。本发明之解决手段系，一种防反射膜材料，其特征为，作为用于微影术的多层光阻膜的光阻中间层膜所使用之防反射膜材料中，至少含有将下述一般式(1)所示之具有重复单位之高分子化合物与钳合化剂反应所得高分子化合物，与有机溶剂，与酸产生剂。

5. 发明专利

TWI390353B 蝕刻光罩用含矽膜形成用組成物，蝕刻光罩用含矽膜及使用其之基板加工中間體及被加工基板之加工方法有权
简体标题：蚀刻光罩用含硅膜形成用组成物，蚀刻光罩用含硅膜及使用其之基板加工中间体及被加工基板之加工方法
公开(公告)号：TWI390353B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW095143063
申请日：2006-11-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 淺野健 , ASANO, TAKESHI , 岩淵元亮 , IWABUCHI, MOTOAKI , 上田貴史 , UEDA, TAKAFUMI
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/11 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122

6. 发明专利

TW201026810A 基板之接合方法及三維半導體裝置 SUBSTRATE BONDING METHOD, AND 3-D SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：基板之接合方法及三维半导体设备 SUBSTRATE BONDING METHOD, AND 3-D SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201026810A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098127543
申请日：2009-08-14
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：八木橋不二夫 , 濱田吉隆 , 淺野健
IPC分类号： C09J
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要：本發明解決問題之方法為一種基板之接合方法，其係於接合之基板間夾著黏著層前驅物層並加熱而形成黏著層之基板之接合方法，其特徵為接合的一者或兩者之基板採用在該基板與黏著層前驅物接觸之面預先形成氣體透過層的基板。本發明之效果：依據本發明，即使在接合用材料採用熱硬化時產生較多量氣體的材料之情況下，在形成有半導體裝置之基板間不會引起氣體發生造成之剝離問題，可形成堅固的接合。
简体摘要：本发明解决问题之方法为一种基板之接合方法，其系于接合之基板间夹着黏着层前驱物层并加热而形成黏着层之基板之接合方法，其特征为接合的一者或两者之基板采用在该基板与黏着层前驱物接触之面预先形成气体透过层的基板。本发明之效果：依据本发明，即使在接合用材料采用热硬化时产生较多量气体的材料之情况下，在形成有半导体设备之基板间不会引起气体发生造成之剥离问题，可形成坚固的接合。

7. 发明专利

TWI448526B 基板之接合方法及三維半導體裝置有权
简体标题：基板之接合方法及三维半导体设备
公开(公告)号：TWI448526B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW098127543
申请日：2009-08-14
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：八木橋不二夫 , YAGIHASHI, FUJIO , 濱田吉隆 , HAMADA, YOSHITAKA , 淺野健 , ASANO, TAKESHI
IPC分类号： C09J5/06
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI403851B 防反射膜材料、基板、及圖型之形成方法有权
简体标题：防反射膜材料、基板、及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI403851B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW096102692
申请日：2007-01-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 岩淵元亮 , IWABUCHI, MOTOAKI , 淺野健 , ASANO, TAKESHI , 上田貴史 , UEDA, TAKAFUMI
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0752 , G03F7/0757

9. 发明专利

TWI368627B 含矽防反射膜形成用組成物、含矽防反射膜、以及使用其之基板加工中間體及被加工基板之加工方法 SILICON-CONTAINING ANTIREFLECTIVE COATING FORMING COMPOSITION, SILICON-CONTAINING ANTIREFLECTIVE COATING, SUBSTRATE PROCESSING INTERMEDIATE, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD 有权
简体标题：含硅防反射膜形成用组成物、含硅防反射膜、以及使用其之基板加工中间体及被加工基板之加工方法 SILICON-CONTAINING ANTIREFLECTIVE COATING FORMING COMPOSITION, SILICON-CONTAINING ANTIREFLECTIVE COATING, SUBSTRATE PROCESSING INTERMEDIATE, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TWI368627B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW095143083
申请日：2006-11-21
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：荻原勤 , 岩淵元亮 , 淺野健 , 上田貴史
IPC分类号： C08G , C09D , G03F , H01L
CPC分类号： C08G77/48 , C09D183/14 , G03F7/091
摘要：本發明之解決手段係，在使用波長200nm以下之曝光光之微影術法中，防反射膜形成用組成物，含有至少一種一般式(1)R(6－m)Si2Xm(1)(R為一價烴基，X為烷氧基，烷醯氧基或鹵原子，m為6≧m≧3)所示之具有矽－矽鍵結之水解性矽烷化合物之反應液予以水解縮合而得之含矽聚合物之含矽防反射膜形成用組成物。
本發明之效果係，本發明之組成物，可形成在其上所形成光阻膜之良好的圖型，在與有機材料之間可獲得高蝕刻選擇性。可獲得被加工基板之高加工精度。
简体摘要：本发明之解决手段系，在使用波长200nm以下之曝光光之微影术法中，防反射膜形成用组成物，含有至少一种一般式(1)R(6－m)Si2Xm(1)(R为一价烃基，X为烷氧基，烷酰氧基或卤原子，m为6≧m≧3)所示之具有硅－硅键结之水解性硅烷化合物之反应液予以水解缩合而得之含硅聚合物之含硅防反射膜形成用组成物。本发明之效果系，本发明之组成物，可形成在其上所形成光阻膜之良好的图型，在与有机材料之间可获得高蚀刻选择性。可获得被加工基板之高加工精度。

10. 发明专利

TWI332600B 被覆膜形成用組成物，圖型形成方法，被覆膜及其去除方法有权
简体标题：被覆膜形成用组成物，图型形成方法，被覆膜及其去除方法
公开(公告)号：TWI332600B
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW094118918
申请日：2005-06-08
申请人：信越化學工業股份有限公司 , 國際商業機械公司
发明人：濱田吉隆 , 荻原勤 , 岩淵元亮 , 淺野健 , 上田貴史 , 達克菲佛爾
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/0752 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76808
摘要：本發明之被覆膜形成用組成物，其係含有(A)式(1)、(2)X－Y－SiZ3(1)(Z表示水解性基，X表示未被取代之羥基、取代或未取代之環氧基、取代或未取代之有機交聯性官能基，Y表示單鍵或2價(與構成環氧基之2個碳的兩者結合時為3價)之烴基)RnSiZ4－n(2)(Z表示水解性基，R表示氫原子或1價烴基，n為0~3的整數)所示之水解性矽烷的共水解縮合物，可以式(1)之有機交聯性官能基進行交聯反應之矽酮樹脂(B)交聯劑(C)酸產生劑(D)有機溶劑。
若依本發明之組成物，可得到保存安定性，填充特性、密黏性、塗膜之均一性優，且對剝離液之溶解性高之被覆膜。
简体摘要：本发明之被覆膜形成用组成物，其系含有(A)式(1)、(2)X－Y－SiZ3(1)(Z表示水解性基，X表示未被取代之羟基、取代或未取代之环氧基、取代或未取代之有机交联性官能基，Y表示单键或2价(与构成环氧基之2个碳的两者结合时为3价)之烃基)RnSiZ4－n(2)(Z表示水解性基，R表示氢原子或1价烃基，n为0~3的整数)所示之水解性硅烷的共水解缩合物，可以式(1)之有机交联性官能基进行交联反应之硅酮树脂(B)交联剂(C)酸产生剂(D)有机溶剂。若依本发明之组成物，可得到保存安定性，填充特性、密黏性、涂膜之均一性优，且对剥离液之溶解性高之被覆膜。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式