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1. 发明专利

TW200913255A 發光設備及其製造方法 LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光设备及其制造方法 LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200913255A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097115416
申请日：2008-04-25
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大藤將人 OFUJI, MASATO , 安部勝美 ABE, KATSUMI , 林享 HAYASHI, RYO , 佐野政史 SANO, MASAFUMI , 雲見日出也 KUMOMI, HIDEYA
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： H01L27/3246 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5256
摘要：提供一發光設備,其中可實現高清晰度且接線部分的連接可靠度極佳,該發光設備包含:基板;發光元件,該發光元件包括第一電極、發光層、及第二電極,並按該敘述的次序堆疊在該基板上;以及薄膜電晶體,其為n型且包括一通道層及一汲極電極,該發光元件與該薄膜電晶體平行配置,並與該基板接觸;該薄膜電晶體之該通道層的場效遷移率等於或大於1cm^2V^-1s^-1,且該第二電極與該薄膜電晶體的該汲極電極連接。
简体摘要：提供一发光设备,其中可实现高清晰度且接线部分的连接可靠度极佳,该发光设备包含:基板;发光组件,该发光组件包括第一电极、发光层、及第二电极,并按该叙述的次序堆栈在该基板上;以及薄膜晶体管,其为n型且包括一信道层及一汲极电极,该发光组件与该薄膜晶体管平行配置,并与该基板接触;该薄膜晶体管之该信道层的场效迁移率等于或大于1cm^2V^-1s^-1,且该第二电极与该薄膜晶体管的该汲极电极连接。

2. 发明专利

TW200937534A 製造場效電晶體的方法 METHOD FOR MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：制造场效应管的方法 METHOD FOR MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200937534A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097136473
申请日：2008-09-23
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：林享 HAYASHI, RYO , 藪田久人 YABUTA, HISATO , 立石祿則 TATEISHI, YOSHINORI , 加地信幸 KAJI, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：本發明提供一種製造場效電晶體的方法。場效電晶體於基板上包含源極、汲極、氧化物半導體層、絕緣層及閘極。此方法在形成絕緣層於氧化物半導體層之後包含一退火步驟,藉由在含有濕氣的大氣中退火,增加氧化物半導體層之導電性。退火步驟中的蒸氣壓高於退火溫度下大氣中的飽和水蒸氣壓。
简体摘要：本发明提供一种制造场效应管的方法。场效应管于基板上包含源极、汲极、氧化物半导体层、绝缘层及闸极。此方法在形成绝缘层于氧化物半导体层之后包含一退火步骤,借由在含有湿气的大气中退火,增加氧化物半导体层之导电性。退火步骤中的蒸气压高于退火温度下大气中的饱和水蒸气压。

3. 发明专利

TW200923884A 薄膜電晶體電路、發光顯示設備及其驅動方法 THIN FILM TRANSISTOR CIRCUIT, LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS, AND DRIVING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管电路、发光显示设备及其驱动方法 THIN FILM TRANSISTOR CIRCUIT, LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS, AND DRIVING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200923884A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097129849
申请日：2008-08-06
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：清水久惠 SHIMIZU, HISAE , 安部勝美 ABE, KATSUMI , 林享 HAYASHI, RYO
IPC分类号： G09G
CPC分类号： G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
摘要：為抑低在使用時電應力對TFT特性的影響,本發明之發光顯示設備包括有機EL裝置以及用以驅動有機EL裝置之驅動電路。驅動電路包含:複數個像素,各具有薄膜電晶體,其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間的電應力而可逆變化;以及電壓施加單元,其將薄膜電晶體之閘極電位設定成較源極電位高。電壓施加單元在薄膜電晶體未被驅動時施加電應力於閘極端子與源極端子間,以在臨界電壓飽和至電應力的區域驅動薄膜電晶體。
简体摘要：为抑低在使用时电应力对TFT特性的影响,本发明之发光显示设备包括有机EL设备以及用以驱动有机EL设备之驱动电路。驱动电路包含:复数个像素,各具有薄膜晶体管,其临界电压因施加于闸极端子与源极端子间的电应力而可逆变化;以及电压施加单元,其将薄膜晶体管之闸极电位设置成较源极电位高。电压施加单元在薄膜晶体管未被驱动时施加电应力于闸极端子与源极端子间,以在临界电压饱和至电应力的区域驱动薄膜晶体管。

4. 发明专利

TW200908222A 反向器製造方法及反向器 INVERTER MANUFACTURING METHOD AND INVERTER 审中-公开
简体标题：反向器制造方法及反向器 INVERTER MANUFACTURING METHOD AND INVERTER
公开(公告)号：TW200908222A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097117638
申请日：2008-05-14
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大藤將人 OFUJI, MASATO , 安部勝美 ABE, KATSUMI , 林享 HAYASHI, RYO , 佐野政史 SANO, MASAFUMI , 雲見日出也 KUMOMI, HIDEYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1233
摘要：為了設置能夠容易製造之增强型-空乏型(E/D)反向器,在本發明中,反向器係由氧化物半導體所組成,其中通道層包括選自In(銦)、Ga(鎵)、及Zn(鋅)的至少其中之一元素,並形成在同一基板上,反向器是具有複數薄膜電晶體之E/D反向器,反向器的製造方法之特徵為包含以下步驟:形成第一電晶體和第二電晶體,第一和第二電晶體的通道層之厚度彼此不同;及對第一和第二電晶體之通道層的至少其中之一執行熱處理。
简体摘要：为了设置能够容易制造之增强型-空乏型(E/D)反向器,在本发明中,反向器系由氧化物半导体所组成,其中信道层包括选自In(铟)、Ga(镓)、及Zn(锌)的至少其中之一元素,并形成在同一基板上,反向器是具有复数薄膜晶体管之E/D反向器,反向器的制造方法之特征为包含以下步骤:形成第一晶体管和第二晶体管,第一和第二晶体管的信道层之厚度彼此不同;及对第一和第二晶体管之信道层的至少其中之一运行热处理。

5. 发明专利

TW200901481A 薄膜電晶體製造方法及顯示裝置 THIN-FILM TRANSISTOR FABRICATION PROCESS AND DISPLAY DEVICE 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管制造方法及显示设备 THIN-FILM TRANSISTOR FABRICATION PROCESS AND DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TW200901481A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097105794
申请日：2008-02-19
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：佐野政史 SANO, MASAFUMI , 林享 HAYASHI, RYO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225
摘要：於薄膜電晶體製造之方法,將閘極電極4形成在基板1上。該方法包含以下步驟:將該閘極電極4形成在該基板1上;以覆蓋該閘極電極4的方式形成金屬氧化物層7;形成源極電極6及汲極電極5;及於惰性氣體中實施熱處理以使部份的該金屬氧化物層7改變成通道區。
简体摘要：于薄膜晶体管制造之方法,将闸极电极4形成在基板1上。该方法包含以下步骤:将该闸极电极4形成在该基板1上;以覆盖该闸极电极4的方式形成金属氧化物层7;形成源极电极6及汲极电极5;及于惰性气体中实施热处理以使部份的该金属氧化物层7改变成信道区。

6. 发明专利

TW200847441A 使用氧化物半導體來製造薄膜電晶體之方法及顯示裝置 METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR AND DISPLAY APPARATUS 审中-公开
简体标题：使用氧化物半导体来制造薄膜晶体管之方法及显示设备 METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR AND DISPLAY APPARATUS
公开(公告)号：TW200847441A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096145935
申请日：2007-12-03
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大村秀之 OMURA, HIDEYUKI , 林享 HAYASHI, RYO , 加地信幸 KAJI, NOBUYUKI , 藪田久人 YABUTA, HISATO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225
摘要：一種薄膜電晶體係藉由下述步驟來予以製造:在基板上形成閘極電極;在閘極電極上形成第一絕緣膜;以非晶氧化物在第一絕緣膜上形成氧化物半導體層;圖型化第一絕緣膜;圖型化氧化物半導體層;在含有氧化氣體的氛圍中,在氧化物半導體層上形成第二絕緣膜;圖型化第二絕緣膜以曝露氧化物半導體層中的接觸區對;在接觸區對上形成電極層;及,圖型化電極層以形成源極電極和汲極電極。
简体摘要：一种薄膜晶体管系借由下述步骤来予以制造:在基板上形成闸极电极;在闸极电极上形成第一绝缘膜;以非晶氧化物在第一绝缘膜上形成氧化物半导体层;图型化第一绝缘膜;图型化氧化物半导体层;在含有氧化气体的氛围中,在氧化物半导体层上形成第二绝缘膜;图型化第二绝缘膜以曝露氧化物半导体层中的接触区对;在接触区对上形成电极层;及,图型化电极层以形成源极电极和汲极电极。

7. 发明专利

TW200915577A 使用氧化半導體之薄膜電晶體的製造方法 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR 审中-公开
简体标题：使用氧化半导体之薄膜晶体管的制造方法 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：TW200915577A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097119915
申请日：2008-05-29
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大村秀之 OMURA, HIDEYUKI , 林享 HAYASHI, RYO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78618
摘要：一種薄膜電晶體的製造方法,該薄膜電晶體具有至少閘極電極、閘極絕緣膜、氧化物半導體層、第一絕緣膜、源極電極、汲極電極,及第二絕緣膜於基板上,該方法包含:形成該閘極電極於該基板上;形成該閘極絕緣膜於該閘極電極上;形成包含非晶氧化物的半導體層於該閘極絕緣膜上;使該閘極絕緣膜圖案化;使該氧化物半導體層圖案化;藉由在不包含氧化氣體的氛圍中形成該第一絕緣膜於該氧化物半導體層上,以降低該氧化物半導體層的電阻;使該第一絕緣膜圖案化,且形成一接觸孔於該源極電極及該汲極電極與該氧化物半導體層之間;透過該接觸孔而形成源極電極層及汲極電極層於該氧化物半導體層之中;透過該接觸孔而形成該源極電極及汲極電極,且允許該第一絕緣膜被暴露;使所暴露之該第一絕緣膜圖案化,且允許該氧化物半導體層之通道區被暴露;以及藉由在包含氧化氣體的氛圍中形成第二絕緣膜於包含該氧化物半導體層之通道區的表面上,以增加該通道區之電阻。
简体摘要：一种薄膜晶体管的制造方法,该薄膜晶体管具有至少闸极电极、闸极绝缘膜、氧化物半导体层、第一绝缘膜、源极电极、汲极电极,及第二绝缘膜于基板上,该方法包含:形成该闸极电极于该基板上;形成该闸极绝缘膜于该闸极电极上;形成包含非晶氧化物的半导体层于该闸极绝缘膜上;使该闸极绝缘膜图案化;使该氧化物半导体层图案化;借由在不包含氧化气体的氛围中形成该第一绝缘膜于该氧化物半导体层上,以降低该氧化物半导体层的电阻;使该第一绝缘膜图案化,且形成一接触孔于该源极电极及该汲极电极与该氧化物半导体层之间;透过该接触孔而形成源极电极层及汲极电极层于该氧化物半导体层之中;透过该接触孔而形成该源极电极及汲极电极,且允许该第一绝缘膜被暴露;使所暴露之该第一绝缘膜图案化,且允许该氧化物半导体层之信道区被暴露;以及借由在包含氧化气体的氛围中形成第二绝缘膜于包含该氧化物半导体层之信道区的表面上,以增加该信道区之电阻。

8. 发明专利

TW200849605A 非晶形氧化物半導體,半導體裝置,及薄膜電晶體 AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：非晶形氧化物半导体,半导体设备,及薄膜晶体管 AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200849605A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097114860
申请日：2008-04-23
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：藪田久人 YABUTA, HISATO , 遠藤文德 ENDO, AYANORI , 加地信幸 KAJI, NOBUYUKI , 林享 HAYASHI, RYO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要：一種非晶形氧化物半導體,包括至少一選自In、Ga、及Zn的元素,並具有InxGayZnz的原子比例,其中,該非晶形氧化物半導體的密度M係藉由關係式(1)表示如下:M≧0.94�(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、以及x+y+z≠0。
简体摘要：一种非晶形氧化物半导体,包括至少一选自In、Ga、及Zn的元素,并具有InxGayZnz的原子比例,其中,该非晶形氧化物半导体的密度M系借由关系式(1)表示如下:M≧0.94�(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、以及x+y+z≠0。

9. 发明专利

TW200841475A 底部閘型薄膜電晶體,其製造方法,及顯示裝置 BOTTOM GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY APPARATUS 审中-公开
简体标题：底部闸型薄膜晶体管,其制造方法,及显示设备 BOTTOM GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY APPARATUS
公开(公告)号：TW200841475A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW096144280
申请日：2007-11-22
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：林享 HAYASHI, RYO , 加地信幸 KAJI, NOBUYUKI , 藪田久人 YABUTA, HISATO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225
摘要：本發明設置一底部閘型薄膜電晶體,其在基板(1)上包括一閘電極(2)、當作閘絕緣膜之一第一絕緣膜(3)、當作通道層之一氧化物半導體層(4)、當作保護層之一第二絕緣膜(5)、一源極電極(6)、及一汲極電極(7),其中氧化物半導體層(4)包括氧化物,此氧化物包括選自銦、鋅、及錫的至少其中之一,和第二絕緣膜(5)包括被形成與該氧化物半導體層(4)接觸之非晶氧化物絕緣體,和包含3.8�10^19分子/立方公分或更多的解吸氣體在其內,溫度程式化解吸質譜儀觀察此解吸氣體係為氧氣。
简体摘要：本发明设置一底部闸型薄膜晶体管,其在基板(1)上包括一闸电极(2)、当作闸绝缘膜之一第一绝缘膜(3)、当作信道层之一氧化物半导体层(4)、当作保护层之一第二绝缘膜(5)、一源极电极(6)、及一汲极电极(7),其中氧化物半导体层(4)包括氧化物,此氧化物包括选自铟、锌、及锡的至少其中之一,和第二绝缘膜(5)包括被形成与该氧化物半导体层(4)接触之非晶氧化物绝缘体,和包含3.8�10^19分子/立方公分或更多的解吸气体在其内,温度进程化解吸质谱仪观察此解吸气体系为氧气。

10. 发明专利

TW200929546A 薄膜電晶體,其之製造方法以及使用其之顯示裝置 THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管,其之制造方法以及使用其之显示设备 THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200929546A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097136880
申请日：2008-09-25
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：島田幹夫 SHIMADA, MIKIO , 林享 HAYASHI, RYO , 雲見日出也 KUMOMI, HIDEYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/16 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L33/0054
摘要：一種電晶體,由閘極(2)、閘極絕緣層(3)、由非晶氧化物形成之半導體層(4)、源極(5)、汲極(6)及保護層(7)構成。保護層(7)設在半導體層(4)上而與半導體層(4)接觸,且半導體層(4)包括:第一層,至少發揮作為通道層之功能;以及第二層,具有較第一層更高的電阻。第一層設在半導體層(4)之閘極(2)側上,且第二層設在半導體層(4)之保護層(7)側上。
简体摘要：一种晶体管,由闸极(2)、闸极绝缘层(3)、由非晶氧化物形成之半导体层(4)、源极(5)、汲极(6)及保护层(7)构成。保护层(7)设在半导体层(4)上而与半导体层(4)接触,且半导体层(4)包括:第一层,至少发挥作为信道层之功能;以及第二层,具有较第一层更高的电阻。第一层设在半导体层(4)之闸极(2)侧上,且第二层设在半导体层(4)之保护层(7)侧上。

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