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1. 发明专利

TW200908222A 反向器製造方法及反向器 INVERTER MANUFACTURING METHOD AND INVERTER 审中-公开
简体标题：反向器制造方法及反向器 INVERTER MANUFACTURING METHOD AND INVERTER
公开(公告)号：TW200908222A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097117638
申请日：2008-05-14
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大藤將人 OFUJI, MASATO , 安部勝美 ABE, KATSUMI , 林享 HAYASHI, RYO , 佐野政史 SANO, MASAFUMI , 雲見日出也 KUMOMI, HIDEYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1233
摘要：為了設置能夠容易製造之增强型-空乏型(E/D)反向器,在本發明中,反向器係由氧化物半導體所組成,其中通道層包括選自In(銦)、Ga(鎵)、及Zn(鋅)的至少其中之一元素,並形成在同一基板上,反向器是具有複數薄膜電晶體之E/D反向器,反向器的製造方法之特徵為包含以下步驟:形成第一電晶體和第二電晶體,第一和第二電晶體的通道層之厚度彼此不同;及對第一和第二電晶體之通道層的至少其中之一執行熱處理。
简体摘要：为了设置能够容易制造之增强型-空乏型(E/D)反向器,在本发明中,反向器系由氧化物半导体所组成,其中信道层包括选自In(铟)、Ga(镓)、及Zn(锌)的至少其中之一元素,并形成在同一基板上,反向器是具有复数薄膜晶体管之E/D反向器,反向器的制造方法之特征为包含以下步骤:形成第一晶体管和第二晶体管,第一和第二晶体管的信道层之厚度彼此不同;及对第一和第二晶体管之信道层的至少其中之一运行热处理。

2. 发明专利

TW200845377A 主動矩陣顯示設備 ACTIVE MATRIX DISPLAY APPARATUS 审中-公开
简体标题：主动矩阵显示设备 ACTIVE MATRIX DISPLAY APPARATUS
公开(公告)号：TW200845377A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097103112
申请日：2008-01-28
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大藤將人 OFUJI, MASATO , 安部勝美 ABE, KATSUMI , 佐野政史 SANO, MASAFUMI , 雲見日出也 KUMOMI, HIDEYA , 林享 HAYASHI, RYO
IPC分类号： H01L , G09F
CPC分类号： H01L27/3265 , H01L27/3248 , H01L2227/323 , H01L2251/5323
摘要：一種主動矩陣顯示設備,包括一電晶體20、一儲存電容器30和一發光元件40,該電晶體、儲存電容器和發光元件皆形成在一基板10上。電晶體20具有一源電極21、一汲電極22和一閘電極23。儲存電容器30,具有一第一電極31、一介電質層32和一第二電極33的一多重層結構,該第一電極、介電質層和第二電極以此順序堆疊在基板10上。發光元素40,具有一第三電極41、一發光層42和一第四電極43的一多重層結構,該第三電極、發光層和第四電極以此順序堆疊在基板10上。第一電極31連結至閘電極23,且至少一部份的儲存電容器30配置在基板10和發光元件40之間。基板10、第一電極31、第二電極33和該第三電極41,其全部皆由可傳輸可見光的一材料而形成。
简体摘要：一种主动矩阵显示设备,包括一晶体管20、一存储电容器30和一发光组件40,该晶体管、存储电容器和发光组件皆形成在一基板10上。晶体管20具有一源电极21、一汲电极22和一闸电极23。存储电容器30,具有一第一电极31、一介电质层32和一第二电极33的一多重层结构,该第一电极、介电质层和第二电极以此顺序堆栈在基板10上。发光元素40,具有一第三电极41、一发光层42和一第四电极43的一多重层结构,该第三电极、发光层和第四电极以此顺序堆栈在基板10上。第一电极31链接至闸电极23,且至少一部份的存储电容器30配置在基板10和发光组件40之间。基板10、第一电极31、第二电极33和该第三电极41,其全部皆由可传输可见光的一材料而形成。

3. 发明专利

TW200913255A 發光設備及其製造方法 LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光设备及其制造方法 LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200913255A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097115416
申请日：2008-04-25
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大藤將人 OFUJI, MASATO , 安部勝美 ABE, KATSUMI , 林享 HAYASHI, RYO , 佐野政史 SANO, MASAFUMI , 雲見日出也 KUMOMI, HIDEYA
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： H01L27/3246 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5256
摘要：提供一發光設備,其中可實現高清晰度且接線部分的連接可靠度極佳,該發光設備包含:基板;發光元件,該發光元件包括第一電極、發光層、及第二電極,並按該敘述的次序堆疊在該基板上;以及薄膜電晶體,其為n型且包括一通道層及一汲極電極,該發光元件與該薄膜電晶體平行配置,並與該基板接觸;該薄膜電晶體之該通道層的場效遷移率等於或大於1cm^2V^-1s^-1,且該第二電極與該薄膜電晶體的該汲極電極連接。
简体摘要：提供一发光设备,其中可实现高清晰度且接线部分的连接可靠度极佳,该发光设备包含:基板;发光组件,该发光组件包括第一电极、发光层、及第二电极,并按该叙述的次序堆栈在该基板上;以及薄膜晶体管,其为n型且包括一信道层及一汲极电极,该发光组件与该薄膜晶体管平行配置,并与该基板接触;该薄膜晶体管之该信道层的场效迁移率等于或大于1cm^2V^-1s^-1,且该第二电极与该薄膜晶体管的该汲极电极连接。

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