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1. 发明专利

TW200416981A 包封半導體晶片用之封裝及半導體裝置 PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR CHIP, AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：包封半导体芯片用之封装及半导体设备 PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR CHIP, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200416981A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092127661
申请日：2003-10-06
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：齊藤裕久 SAITO, HIROHISA , 築野孝 TSUNO, TAKASHI , 河合千尋 KAWAI, CHIHIRO , 田中基義 TANAKA, MOTOYOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/38 , H01L23/057 , H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/1423 , H01L2924/00
摘要：本發明係提出一種半導體封裝，使得半導體晶片能正確運算且具有長期間之高穩定性，其係藉有效傳遞半導體晶片運算所產生之熱量至散熱片而達成。包封半導體晶片用之封裝包括：基板2，其上表面之上具有裝設空間，供安裝半導體晶片1使用；框架3，係提供以環繞基板2之上表面之上的裝設空間，且在一側上具有供輸入／輸出端子5使用之接頭3a；輸入／輸出端子5，為連接至接頭3a；其特徵在於：基板2、或基板2之一部、或基板2與框架3、或基板與框架之一部係由金屬與金剛石之複合物形成，其中母體材料具有金剛石粒，透過金屬碳化物相接合，並且滲以銅及／或銀或由金剛石粒及銅組成之金屬與金剛石燒結體。再者，該金屬與金剛石複合物之表面係鍍以金。
简体摘要：本发明系提出一种半导体封装，使得半导体芯片能正确运算且具有长期间之高稳定性，其系藉有效传递半导体芯片运算所产生之热量至散热片而达成。包封半导体芯片用之封装包括：基板2，其上表面之上具有装设空间，供安装半导体芯片1使用；框架3，系提供以环绕基板2之上表面之上的装设空间，且在一侧上具有供输入／输出端子5使用之接头3a；输入／输出端子5，为连接至接头3a；其特征在于：基板2、或基板2之一部、或基板2与框架3、或基板与框架之一部系由金属与金刚石之复合物形成，其中母体材料具有金刚石粒，透过金属碳化物相接合，并且渗以铜及／或银或由金刚石粒及铜组成之金属与金刚石烧结体。再者，该金属与金刚石复合物之表面系镀以金。

2. 发明专利

TW200642751A 面發光裝置审中-公开
简体标题：面发光设备
公开(公告)号：TW200642751A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW095102856
申请日：2006-01-25
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：河合千尋 KAWAI, CHIHIRO , 井上龍一 INOUE, RYUICHI
IPC分类号： B01J
CPC分类号： C02F1/325 , A61L9/205 , B01D39/2051 , B01D39/2093 , B01D53/885 , B01D2239/0442 , B01D2255/802 , B01D2257/302 , B01D2257/404 , B01D2257/502 , B01D2257/90 , B01D2257/91 , B01J31/06 , B01J35/004 , B01J37/0215 , C02F1/725 , C02F2201/3222 , C02F2305/10 , G02B6/001 , G02B6/0038 , G02B6/0085 , Y02W10/37
摘要：本發明係提供一種能夠有效利用背光之特徵，且可主要放射用以激發光觸媒之紫外光的面發光裝置。進而，提供一種能夠有效利用背光之特徵，且可作為可使流體透過之適濾器而發揮功能之、緊密且薄型的面發光裝置。該面發光裝置具有光源、及於側面配置有該光源之導光板，該導光板之表面或背面中之至少一方為放射來自光源之光的發光面，導光板之發光面及配置有光源之側面以外的面形成為遮光面，並且，該面發光裝置放射峰值波長為388nm以下之光，或上述導光板形成為多孔體。該面發光裝置亦可形成為於導光板具有複數個貫通孔，而貫通孔之形成面為發光面者。
简体摘要：本发明系提供一种能够有效利用背光之特征，且可主要放射用以激发光触媒之紫外光的面发光设备。进而，提供一种能够有效利用背光之特征，且可作为可使流体透过之适滤器而发挥功能之、紧密且薄型的面发光设备。该面发光设备具有光源、及于侧面配置有该光源之导光板，该导光板之表面或背面中之至少一方为放射来自光源之光的发光面，导光板之发光面及配置有光源之侧面以外的面形成为遮光面，并且，该面发光设备放射峰值波长为388nm以下之光，或上述导光板形成为多孔体。该面发光设备亦可形成为于导光板具有复数个贯通孔，而贯通孔之形成面为发光面者。

3. 发明专利

TW200611962A 螢光體、其製法及使用其之發光裝置审中-公开
简体标题：萤光体、其制法及使用其之发光设备
公开(公告)号：TW200611962A
公开(公告)日：2006-04-16
申请号：TW094129394
申请日：2005-08-26
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：河合千尋 KAWAI, CHIHIRO , 井上龍一 INOUE, RYUICHI
IPC分类号： C09K , H01J
CPC分类号： C09K11/584 , C09K11/54 , C09K11/565 , C09K11/586 , C09K11/7792 , H05B33/14
摘要：本發明係有關一種發光材料，特別是有關一種放射紫外線區域之光之螢光體，其目的係特別在於提供一種具有B–Cu型發光功能之ZnS螢光體、其製造方法、使用該螢光體之螢光燈及面發光裝置等。根據本發明，提供一種螢光體，其特徵在於：通式以Zn(1–x)AxS：E,D表示；該通式中，A為選自由Be、Mg、Ca、Sr及Ba所組成之群中之至少一種2A族元素，E為含有Cu或Ag之活化劑，D為含有選自3B族及7B族元素之至少一種之共活化劑，x為滿足0≦x＜1之混晶比例；且具有Blue–Cu型發光功能。由於活化劑以共活化劑之莫耳濃度以上之莫耳濃度使其含有，可獲得更短波長之發光，因此較佳。作為活化劑，除了Cu、Ag各個以外，亦適合使用Ag及Au。
简体摘要：本发明系有关一种发光材料，特别是有关一种放射紫外线区域之光之萤光体，其目的系特别在于提供一种具有B–Cu型发光功能之ZnS萤光体、其制造方法、使用该萤光体之萤光灯及面发光设备等。根据本发明，提供一种萤光体，其特征在于：通式以Zn(1–x)AxS：E,D表示；该通式中，A为选自由Be、Mg、Ca、Sr及Ba所组成之群中之至少一种2A族元素，E为含有Cu或Ag之活化剂，D为含有选自3B族及7B族元素之至少一种之共活化剂，x为满足0≦x＜1之混晶比例；且具有Blue–Cu型发光功能。由于活化剂以共活化剂之莫耳浓度以上之莫耳浓度使其含有，可获得更短波长之发光，因此较佳。作为活化剂，除了Cu、Ag各个以外，亦适合使用Ag及Au。

4. 发明专利

TW200613517A 螢光體及其製造方法及使用該螢光體之粒子分散型電激發光裝置审中-公开
简体标题：萤光体及其制造方法及使用该萤光体之粒子分散型电激发光设备
公开(公告)号：TW200613517A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094121341
申请日：2005-06-24
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：河合千尋 KAWAI, CHIHIRO , 井上龍一 INOUE, RYUICHI
IPC分类号： C09K , H05B
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00
摘要：本發明之目的在於提供一種EL用螢光體，其於螢光體內部固有含有奈米碳管、碳奈米角等碳成分之導電相。內部固有導電相之螢光體係以Ag或Cu激勵之ZnS作為主要成分之硫化物，特別是通式為Zn(1–x)AxS：Ag／Cu,D(式中之A為選自由Be、Mg、Ca、Sr以及Ba所組成之群中之至少一種之2A族元素，D為共激勵劑，係選自由3B族以及7B族元素組成之群中之至少一種，0≦x＜1)之螢光體，或者，係以Eu^2＋、Gd^3＋、Yb^2＋等稀土類離子激勵之B–N–O、Si–O–N、Al–O–N、Ga–O–N、Al–Ga–O–N、In–Ga–O–N、In–Al–O–N系之非晶系之氧氮化物系螢光體。本發明亦提供一種粒子分散型EL裝置，以上述螢光體製作之面發光體藉由內部固有導電相，而以電場激發以高發光強度發出紫外線或其附近之可見光線。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种EL用萤光体，其于萤光体内部固有含有奈米碳管、碳奈米角等碳成分之导电相。内部固有导电相之萤光体系以Ag或Cu激励之ZnS作为主要成分之硫化物，特别是通式为Zn(1–x)AxS：Ag／Cu,D(式中之A为选自由Be、Mg、Ca、Sr以及Ba所组成之群中之至少一种之2A族元素，D为共激励剂，系选自由3B族以及7B族元素组成之群中之至少一种，0≦x＜1)之萤光体，或者，系以Eu^2＋、Gd^3＋、Yb^2＋等稀土类离子激励之B–N–O、Si–O–N、Al–O–N、Ga–O–N、Al–Ga–O–N、In–Ga–O–N、In–Al–O–N系之非晶系之氧氮化物系萤光体。本发明亦提供一种粒子分散型EL设备，以上述萤光体制作之面发光体借由内部固有导电相，而以电场激发以高发光强度发出紫外线或其附近之可见光线。

5. 发明专利

TW200613045A 面發光裝置、及使用其之過濾器、光輔助型陶瓷過濾器审中-公开
简体标题：面发光设备、及使用其之过滤器、光辅助型陶瓷过滤器
公开(公告)号：TW200613045A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094119086
申请日：2005-06-09
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：河合千尋 KAWAI, CHIHIRO , 井上龍一 INOUE, RYUICHI
IPC分类号： B01D , A61L , C02F
CPC分类号： B01J21/063 , A01M29/12 , A61L9/205 , B01D39/083 , B01D39/2051 , B01D39/2068 , B01D53/228 , B01D53/885 , B01D63/065 , B01D63/066 , B01D69/12 , B01D69/14 , B01D71/024 , B01D2239/0442 , B01D2239/045 , B01D2239/0478 , B01D2239/065 , B01D2239/1216 , B01D2255/802 , B01D2313/345 , B01D2325/02 , B01D2325/10 , B01J19/123 , B01J35/004 , B01J35/04 , B01J37/0215 , B01J2219/0875 , B01J2219/0877 , B01J2219/0892 , C02F1/30 , C02F1/32 , C02F1/725 , C02F2305/10
摘要：本發明提供一種面發光裝置，其係不使用紫外線燈或紫外線LED等外部紫外線光源，且即使是無法以外部光源處理之紫外線吸收激烈的污濁流體之情形，亦可有效地引起觸媒反應。再者，本發明之目的在於提供一種陶瓷過濾器，其係可容易地以低成本製作，配置有光觸媒，具有分解有機物或者殺死細菌或病毒等之功能。一種面發光裝置，其特徵在於包含：面發光體，其具有以電致發光放射可見光或紫外線之功能，於與面發光體之面垂直方向形成有成為流體之流路之複數貫通孔。另外，一種光輔助型陶瓷過濾器，其包含：陶瓷過濾器，其具有複數流路；及配置於其側面之光觸媒層及面發光體。
简体摘要：本发明提供一种面发光设备，其系不使用紫外线灯或紫外线LED等外部紫外线光源，且即使是无法以外部光源处理之紫外线吸收激烈的污浊流体之情形，亦可有效地引起触媒反应。再者，本发明之目的在于提供一种陶瓷过滤器，其系可容易地以低成本制作，配置有光触媒，具有分解有机物或者杀死细菌或病毒等之功能。一种面发光设备，其特征在于包含：面发光体，其具有以电致发光放射可见光或紫外线之功能，于与面发光体之面垂直方向形成有成为流体之流路之复数贯通孔。另外，一种光辅助型陶瓷过滤器，其包含：陶瓷过滤器，其具有复数流路；及配置于其侧面之光触媒层及面发光体。

6. 发明专利

TW200421577A 用於容納半導體晶片之封裝、其製造方法以及半導體裝置 PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR CHIP, FABRICATION METHOD THEREOF AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：用于容纳半导体芯片之封装、其制造方法以及半导体设备 PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR CHIP, FABRICATION METHOD THEREOF AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200421577A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW092135332
申请日：2003-12-15
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 亞來多材料股份有限公司 A. L. M. T. CORP.
发明人：齊藤裕久 SAITO, HIROHISA , 築野孝 TSUNO, TAKASHI , 河合千尋 KAWAI, CHIHIRO , 西田慎也 NISHIDA, SHINYA , 田中基義 TANAKA, MOTOYOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/3732 , H01L24/28 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/8319 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01074 , H01L2924/01032 , H01L2924/01079 , H01L2924/0105 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要：本發明提供一種用於容納半導體晶片之經濟型封裝體，其可以藉由將半導體晶片在操作時所產生的熱轉移到封裝放置基板，而允許半導體晶片長期正常且穩定的操作。一種用於容納半導體晶片之封裝體，具有：基板，基板的上表面提供可以將半導體晶片放置在其上之放置空間，而另一面則提供具有穿透孔或凹槽之螺絲底座部分；支架，其被提供在基板的上表面之上，以圍住放置空間，而其側面或上面具有用於輸入/輸出端子之接合點；及輸入/輸出端子，其被連接到接合點，其中至少一部分在半導體晶片放置空間下方之基板，包含滲入基底模型所製成之金屬-鑽合混合物，其中鑽石顆粒係經由具有含銅和/或銀之金屬當作主要成份之金屬碳化物接合，及含有由金屬所構成之螺絲底座部分的其他部分。
简体摘要：本发明提供一种用于容纳半导体芯片之经济型封装体，其可以借由将半导体芯片在操作时所产生的热转移到封装放置基板，而允许半导体芯片长期正常且稳定的操作。一种用于容纳半导体芯片之封装体，具有：基板，基板的上表面提供可以将半导体芯片放置在其上之放置空间，而另一面则提供具有穿透孔或凹槽之螺丝底座部分；支架，其被提供在基板的上表面之上，以围住放置空间，而其侧面或上面具有用于输入/输出端子之接合点；及输入/输出端子，其被连接到接合点，其中至少一部分在半导体芯片放置空间下方之基板，包含渗入基底模型所制成之金属-钻合混合物，其中钻石颗粒系经由具有含铜和/或银之金属当作主要成份之金属碳化物接合，及含有由金属所构成之螺丝底座部分的其他部分。

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