专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI429797B 第 III 族氮化物半導體結晶基板及半導體元件有权
简体标题：第 III 族氮化物半导体结晶基板及半导体组件
公开(公告)号：TWI429797B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW097144554
申请日：2008-11-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：岡久拓司 , OKAHISA, TAKUJI , 川瀨智博 , KAWASE, TOMOHIRO , 上村智喜 , UEMURA, TOMOKI , 西岡志行 , NISHIOKA, MUNEYUKI , 荒川聰 , ARAKAWA, SATOSHI
IPC分类号： C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B25/02 , C30B29/403

2. 发明专利

TWI408263B ＡｌｘＧａｙＩｎ１-ｘ-ｙＮ基板、ＡｌｘＧａｙＩｎ１-ｘ-ｙＮ基板之清潔方法、ＡｌＮ基板及ＡｌＮ基板之清潔方法有权
简体标题：ＡｌｘＧａｙＩｎ１-ｘ-ｙＮ基板、ＡｌｘＧａｙＩｎ１-ｘ-ｙＮ基板之清洁方法、ＡｌＮ基板及ＡｌＮ基板之清洁方法
公开(公告)号：TWI408263B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW094118827
申请日：2005-06-07
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：上村智喜 , UEMURA, TOMOKI , 石橋惠二 , ISHIBASHI, KEIJI , 藤原伸介 , FUJIWARA, SHINSUKE , 中幡英章 , NAKAHATA, HIDEAKI
IPC分类号： C30B29/40 , C30B33/00 , H01L21/30
CPC分类号： C30B33/00 , Y10T428/21

3. 发明专利

TW200946724A 第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板及半導體元件 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板及半导体组件 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200946724A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097144554
申请日：2008-11-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：岡久拓司 , 川瀨智博 , 上村智喜 , 西岡志行 , 荒川聰
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B25/02 , C30B29/403
摘要：一種第III族氮化物半導體結晶基板，其係具有25mm以上、160mm以下之直徑的第III族氮化物半導體結晶基板(20a)。第III族氮化物半導體結晶基板(20a)之電阻率為1×10 -4 Ωcm以上、0.1Ωcm以下。第III族氮化物半導體結晶基板(20a)之直徑方向之電阻率之分布為-30％以上、30％以下。第III族氮化物半導體結晶基板(20a)之厚度方向之電阻率之分布為-16％以上、16％以下。
简体摘要：一种第III族氮化物半导体结晶基板，其系具有25mm以上、160mm以下之直径的第III族氮化物半导体结晶基板(20a)。第III族氮化物半导体结晶基板(20a)之电阻率为1×10 -4 Ωcm以上、0.1Ωcm以下。第III族氮化物半导体结晶基板(20a)之直径方向之电阻率之分布为-30％以上、30％以下。第III族氮化物半导体结晶基板(20a)之厚度方向之电阻率之分布为-16％以上、16％以下。

4. 发明专利

TW200940756A 第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶之成長方法、第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板之製造方法及第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING METHOD, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶之成长方法、第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板之制造方法及第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING METHOD, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200940756A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097144556
申请日：2008-11-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：岡久拓司 , 川瀨智博 , 上村智喜 , 西岡志行 , 荒川聰
IPC分类号： C30B , C23C
CPC分类号： H01L21/02576 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：一種第III族氮化物半導體結晶之成長方法，其包含以下步驟：首先，準備底層基板(步驟S1)；然後，藉由氣相成長法而於底層基板上，以四氟化矽氣體作為摻雜氣體從而使得摻雜有矽之第III族氮化物半導體結晶成長(步驟S2)。
简体摘要：一种第III族氮化物半导体结晶之成长方法，其包含以下步骤：首先，准备底层基板(步骤S1)；然后，借由气相成长法而于底层基板上，以四氟化硅气体作为掺杂气体从而使得掺杂有硅之第III族氮化物半导体结晶成长(步骤S2)。

5. 发明专利

TW201029046A 氮化鎵基板、氮化鎵基板之製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：氮化镓基板、氮化镓基板之制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201029046A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098102255
申请日：2009-01-21
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：上村智喜 , 石橋惠二 , 中西文毅
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： C30B29/406 , C30B23/002 , C30B25/16 , H01L29/2003 , H01L29/872
摘要：本發明提供一種氮化鎵基板、氮化鎵基板之製造方法及半導體裝置，其能抑制結晶性或電特性之偏差，且可減少結晶面翹曲之產生，能以高良率製造具有良好特性之半導體裝置。該製造方法中，在GaN結晶11之成長過程中，使石英反應管2之差壓為-1500Pa以上-500Pa以下。所得GaN基板13之主面14上存在第1區域15、及面方位與第1區域15不同之成長異常部顯現的第2區域16，最大長度為3μm以上之第2區域16之總面積為主面14之面積的1/100以下，其密度為0.5個/cm 2 以上100個/cm 2 以下。在GaN基板13上，GaN結晶11成長時之應變得到緩和而減少了結晶面翹曲之產生，同時亦抑制了結晶性或電特性之偏差。
简体摘要：本发明提供一种氮化镓基板、氮化镓基板之制造方法及半导体设备，其能抑制结晶性或电特性之偏差，且可减少结晶面翘曲之产生，能以高良率制造具有良好特性之半导体设备。该制造方法中，在GaN结晶11之成长过程中，使石英反应管2之差压为-1500Pa以上-500Pa以下。所得GaN基板13之主面14上存在第1区域15、及面方位与第1区域15不同之成长异常部显现的第2区域16，最大长度为3μm以上之第2区域16之总面积为主面14之面积的1/100以下，其密度为0.5个/cm 2 以上100个/cm 2 以下。在GaN基板13上，GaN结晶11成长时之应变得到缓和而减少了结晶面翘曲之产生，同时亦抑制了结晶性或电特性之偏差。

6. 发明专利

TW200943390A 第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶之成長方法、第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板之製造方法及第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING METHOD, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶之成长方法、第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板之制造方法及第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING METHOD, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200943390A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097144553
申请日：2008-11-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：岡久拓司 , 川瀨智博 , 上村智喜 , 西岡志行 , 荒川聰
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/02576 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：一種第III族氮化物半導體結晶之成長方法，其實施以下步驟：首先，準備底層基板(步驟S1)；然後，藉由氣相成長法而於底層基板上，將四氯化矽(SiCl4)氣體用作摻雜氣體從而使得摻雜有矽之第1個第III族氮化物半導體結晶成長(步驟S2)。該第1個第III族氮化物半導體結晶之成長速度為200 (μm/h)以上、2000 (μm/h)以下。
简体摘要：一种第III族氮化物半导体结晶之成长方法，其实施以下步骤：首先，准备底层基板(步骤S1)；然后，借由气相成长法而于底层基板上，将四氯化硅(SiCl4)气体用作掺杂气体从而使得掺杂有硅之第1个第III族氮化物半导体结晶成长(步骤S2)。该第1个第III族氮化物半导体结晶之成长速度为200 (μm/h)以上、2000 (μm/h)以下。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式