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1. 发明专利

TW332347B 化合物半導體氣相磊晶製程失效
简体标题：化合物半导体气相磊晶制程
公开(公告)号：TW332347B
公开(公告)日：1998-05-21
申请号：TW086103683
申请日：1997-03-24
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：纈明伯 , 三浦祥紀 , 元木健作 , 岡久拓司 , 松島政人 , 關壽 , 綦津充
IPC分类号： H01L , C30B
摘要：本發明係提供一種製程，在基底（１）上形成高品質銦鎵氮化物ＩｎxＧａ1-xＮ（其中，０＜ｘ＜１）磊晶化合物半導體層。
包含三氯化銦（ＩｎＣｌ3）之第一氣體及包含氨（ＮＨ3）之第二氣體會被導入加熱至第一溫度之反應室（５６），並藉由氮（Ｎ2)載送氣體而在基底（１）上磊晶生長氮化銦（ＩｎＮ）以形成ＩｎＮ緩衝層。
之後，包含氯化氫（ＨＣｌ）和鎵（Ｇａ）之第三氣體會與第一和第二氣體一起被導入加熱至高於第一溫度之第二溫度的室（５６）中，且藉由Ｎ2氣，於緩衝層上生長磊晶的ＩｎxＧａ1-xＮ層。
藉由使用氦（Ｈｅ）以取代Ｎ2 作為載送氣體，可取得具有更均勻品質之ＩｎxＧａ1-xＮ層。此外，可將ＩｎＮ層改成ＧａＮ緩衝層。
简体摘要：本发明系提供一种制程，在基底（１）上形成高品质铟镓氮化物ＩｎxＧａ1-xＮ（其中，０＜ｘ＜１）磊晶化合物半导体层。包含三氯化铟（ＩｎＣｌ3）之第一气体及包含氨（ＮＨ3）之第二气体会被导入加热至第一温度之反应室（５６），并借由氮（Ｎ2)载送气体而在基底（１）上磊晶生长氮化铟（ＩｎＮ）以形成ＩｎＮ缓冲层。之后，包含氯化氢（ＨＣｌ）和镓（Ｇａ）之第三气体会与第一和第二气体一起被导入加热至高于第一温度之第二温度的室（５６）中，且借由Ｎ2气，于缓冲层上生长磊晶的ＩｎxＧａ1-xＮ层。借由使用氦（Ｈｅ）以取代Ｎ2 作为载送气体，可取得具有更均匀品质之ＩｎxＧａ1-xＮ层。此外，可将ＩｎＮ层改成ＧａＮ缓冲层。

2. 发明专利

TWI429797B 第 III 族氮化物半導體結晶基板及半導體元件有权
简体标题：第 III 族氮化物半导体结晶基板及半导体组件
公开(公告)号：TWI429797B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW097144554
申请日：2008-11-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：岡久拓司 , OKAHISA, TAKUJI , 川瀨智博 , KAWASE, TOMOHIRO , 上村智喜 , UEMURA, TOMOKI , 西岡志行 , NISHIOKA, MUNEYUKI , 荒川聰 , ARAKAWA, SATOSHI
IPC分类号： C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B25/02 , C30B29/403

3. 发明专利

TW200943390A 第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶之成長方法、第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板之製造方法及第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING METHOD, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶之成长方法、第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板之制造方法及第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING METHOD, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200943390A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097144553
申请日：2008-11-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：岡久拓司 , 川瀨智博 , 上村智喜 , 西岡志行 , 荒川聰
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/02576 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：一種第III族氮化物半導體結晶之成長方法，其實施以下步驟：首先，準備底層基板(步驟S1)；然後，藉由氣相成長法而於底層基板上，將四氯化矽(SiCl4)氣體用作摻雜氣體從而使得摻雜有矽之第1個第III族氮化物半導體結晶成長(步驟S2)。該第1個第III族氮化物半導體結晶之成長速度為200 (μm/h)以上、2000 (μm/h)以下。
简体摘要：一种第III族氮化物半导体结晶之成长方法，其实施以下步骤：首先，准备底层基板(步骤S1)；然后，借由气相成长法而于底层基板上，将四氯化硅(SiCl4)气体用作掺杂气体从而使得掺杂有硅之第1个第III族氮化物半导体结晶成长(步骤S2)。该第1个第III族氮化物半导体结晶之成长速度为200 (μm/h)以上、2000 (μm/h)以下。

4. 发明专利

TW341731B 磊晶晶圓及其製法失效
简体标题：磊晶晶圆及其制法
公开(公告)号：TW341731B
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：TW085110661
申请日：1996-08-31
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：三浦祥紀 , 元木健作 , 岡久拓司 , 松島政人 , 綦津充
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：本發明之目的在提供一種在高溫下可進行磊晶成長( epitaxial growth)之磊晶晶圓及其製法。
磊晶晶圓具備有：含有As或P之化合物半導體基板1；以及，成為包覆基板1表面1a及背面1b之狀態，由GaN、 l nN或AlN，甚至含有Al、Ga、In及N之氮化物混晶材料製成之包覆層2。
至於，磊晶晶圓之製法係包括：將含有As或P之基板1之至少表裏兩面，以含有GaN, InN或AlN，或含有Al及Ga及In及N之氮化物混晶材料製成之包覆層2包覆，而使該被覆層2在300℃以上，800℃以下之成長溫度在基板1上成長之步驟，以及，
將表裏兩面成長有包覆層之基板在700℃以上﹐不到1200℃之溫度退火(annealing)處理之步驟。
简体摘要：本发明之目的在提供一种在高温下可进行磊晶成长( epitaxial growth)之磊晶晶圆及其制法。磊晶晶圆具备有：含有As或P之化合物半导体基板1；以及，成为包覆基板1表面1a及背面1b之状态，由GaN、 l nN或AlN，甚至含有Al、Ga、In及N之氮化物混晶材料制成之包覆层2。至于，磊晶晶圆之制法系包括：将含有As或P之基板1之至少表里两面，以含有GaN, InN或AlN，或含有Al及Ga及In及N之氮化物混晶材料制成之包覆层2包覆，而使该被覆层2在300℃以上，800℃以下之成长温度在基板1上成长之步骤，以及，将表里两面成长有包覆层之基板在700℃以上﹐不到1200℃之温度退火(annealing)处理之步骤。

5. 发明专利

TWI375994B 磊晶基板及半導體元件 EPITAXIAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT 失效
简体标题：磊晶基板及半导体组件 EPITAXIAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
公开(公告)号：TWI375994B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW094126535
申请日：2005-08-04
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：木山誠 , 岡久拓司 , 櫻田隆
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/41741 , H01L29/4238 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要：在消特基二極體11中，氮化鎵支撐基台13包括一第一表面13a和位於該第一表面相反側的一第二表面13b，而且有超過1×1018cm－3的載子濃度。氮化鎵磊晶層15係配置於該第一表面13a上。歐姆電極17係配置於該第二表面13b上。消特基電極19係配置於氮化鎵磊晶層15上。氮化鎵磊晶層15的厚度D1至少5微米且不超過1000微米。並且，氮化鎵磊晶層15的載子密度至少1×1014cm－3且不超過1×1017cm－3。
简体摘要：在消特基二极管11中，氮化镓支撑基台13包括一第一表面13a和位于该第一表面相反侧的一第二表面13b，而且有超过1×1018cm－3的载子浓度。氮化镓磊晶层15系配置于该第一表面13a上。欧姆电极17系配置于该第二表面13b上。消特基电极19系配置于氮化镓磊晶层15上。氮化镓磊晶层15的厚度D1至少5微米且不超过1000微米。并且，氮化镓磊晶层15的载子密度至少1×1014cm－3且不超过1×1017cm－3。

6. 发明专利

TW201221710A ＧａＮ結晶自承式（Ｓｅｌｆ－Ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ）基板及其製造方法审中-公开
简体标题：ＧａＮ结晶自承式（Ｓｅｌｆ－Ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ）基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201221710A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100120250
申请日：2011-06-09
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：藤原伸介 , 上松康二 , 笠井仁 , 岡久拓司
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L33/325 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/02664
摘要：本發明提供一種整個表面上黃色發光較少且具有導電性之GaN結晶自承式(Self-Supporting)基板及其製造方法。本GaN結晶自承式基板係藉由對GaN結晶加工而形成者,該GaN結晶係藉由HVPE法,在作為除結晶側面以外之結晶成長面之(0001)面與{10-11}面及{11-22}面中之至少一個面混合存在之狀態下成長之GaN結晶,且於(0001)面成長結晶區域中,碳濃度為5�1016個/cm3以下且矽濃度為5�1017個/cm3以上、2�1018個/cm3以下且氧濃度為1�1017個/cm3以下,於{10-11}面及{11-22}面之至少任一面作為結晶成長面而成長之刻面結晶區域中,碳濃度為3�1016個/cm3以下且矽濃度為5�1017個/cm3以下且氧濃度為5�1017個/cm3以上、5�1018個/cm3以下。
简体摘要：本发明提供一种整个表面上黄色发光较少且具有导电性之GaN结晶自承式(Self-Supporting)基板及其制造方法。本GaN结晶自承式基板系借由对GaN结晶加工而形成者,该GaN结晶系借由HVPE法,在作为除结晶侧面以外之结晶成长面之(0001)面与{10-11}面及{11-22}面中之至少一个面混合存在之状态下成长之GaN结晶,且于(0001)面成长结晶区域中,碳浓度为5�1016个/cm3以下且硅浓度为5�1017个/cm3以上、2�1018个/cm3以下且氧浓度为1�1017个/cm3以下,于{10-11}面及{11-22}面之至少任一面作为结晶成长面而成长之刻面结晶区域中,碳浓度为3�1016个/cm3以下且硅浓度为5�1017个/cm3以下且氧浓度为5�1017个/cm3以上、5�1018个/cm3以下。

7. 发明专利

TW200946724A 第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板及半導體元件 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板及半导体组件 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200946724A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097144554
申请日：2008-11-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：岡久拓司 , 川瀨智博 , 上村智喜 , 西岡志行 , 荒川聰
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B25/02 , C30B29/403
摘要：一種第III族氮化物半導體結晶基板，其係具有25mm以上、160mm以下之直徑的第III族氮化物半導體結晶基板(20a)。第III族氮化物半導體結晶基板(20a)之電阻率為1×10 -4 Ωcm以上、0.1Ωcm以下。第III族氮化物半導體結晶基板(20a)之直徑方向之電阻率之分布為-30％以上、30％以下。第III族氮化物半導體結晶基板(20a)之厚度方向之電阻率之分布為-16％以上、16％以下。
简体摘要：一种第III族氮化物半导体结晶基板，其系具有25mm以上、160mm以下之直径的第III族氮化物半导体结晶基板(20a)。第III族氮化物半导体结晶基板(20a)之电阻率为1×10 -4 Ωcm以上、0.1Ωcm以下。第III族氮化物半导体结晶基板(20a)之直径方向之电阻率之分布为-30％以上、30％以下。第III族氮化物半导体结晶基板(20a)之厚度方向之电阻率之分布为-16％以上、16％以下。

8. 发明专利

TW200940756A 第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶之成長方法、第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板之製造方法及第ＩＩＩ族氮化物半導體結晶基板 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING METHOD, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶之成长方法、第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板之制造方法及第ＩＩＩ族氮化物半导体结晶基板 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING METHOD, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200940756A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097144556
申请日：2008-11-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：岡久拓司 , 川瀨智博 , 上村智喜 , 西岡志行 , 荒川聰
IPC分类号： C30B , C23C
CPC分类号： H01L21/02576 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：一種第III族氮化物半導體結晶之成長方法，其包含以下步驟：首先，準備底層基板(步驟S1)；然後，藉由氣相成長法而於底層基板上，以四氟化矽氣體作為摻雜氣體從而使得摻雜有矽之第III族氮化物半導體結晶成長(步驟S2)。
简体摘要：一种第III族氮化物半导体结晶之成长方法，其包含以下步骤：首先，准备底层基板(步骤S1)；然后，借由气相成长法而于底层基板上，以四氟化硅气体作为掺杂气体从而使得掺杂有硅之第III族氮化物半导体结晶成长(步骤S2)。

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