专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201404866A 附有被覆膜的矽酸鹽螢光體粒子的製造方法审中-公开
简体标题：附有被覆膜的硅酸盐萤光体粒子的制造方法
公开(公告)号：TW201404866A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101126127
申请日：2012-07-20
申请人：住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：高梨昌二 , TAKANASHI, SHOJI , 高塚裕二 , TAKATSUKA, YUJI
IPC分类号： C09K11/59 , C09K11/64 , H01L33/50
摘要：本發明提供一種製造不使螢光強度降低且具有高的耐濕性及耐水性的具備被覆膜的矽酸鹽螢光體粒子的方法。於矽酸鹽螢光體粒子的表面上形成經部分水解的鋁有機金屬化合物的基底層後，於基底層上利用將矽烷有機金屬化合物的水解縮合物濃縮而成的第1被覆液來形成被膜，於大氣環境下以110℃~350℃進行加熱處理而形成第1被覆膜。於該第1被覆膜上進一步被覆末端具有Si-OH基的二甲基矽氧烷，於大氣環境下以250℃~300℃進行加熱處理而形成第2被覆膜。
简体摘要：本发明提供一种制造不使萤光强度降低且具有高的耐湿性及耐水性的具备被覆膜的硅酸盐萤光体粒子的方法。于硅酸盐萤光体粒子的表面上形成经部分水解的铝有机金属化合物的基底层后，于基底层上利用将硅烷有机金属化合物的水解缩合物浓缩而成的第1被覆液来形成被膜，于大气环境下以110℃~350℃进行加热处理而形成第1被覆膜。于该第1被覆膜上进一步被覆末端具有Si-OH基的二甲基硅氧烷，于大气环境下以250℃~300℃进行加热处理而形成第2被覆膜。

2. 发明专利

TW201302979A 具有被覆膜的鹼土金屬矽酸鹽螢光體粒子的製造方法审中-公开
简体标题：具有被覆膜的碱土金属硅酸盐萤光体粒子的制造方法
公开(公告)号：TW201302979A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101119140
申请日：2012-05-29
申请人：住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：高梨昌二 , TAKANASHI, SHOJI , 高塚裕二 , TAKATSUKA, YUJI
IPC分类号： C09K11/55 , C09K11/59
CPC分类号： C09K11/025 , C09K11/7734
摘要：本發明提供一種具有被覆膜的鹼土金屬矽酸鹽螢光體粒子的製造方法，其具備具有高耐濕性及耐水性的被覆膜，且可提高發光特性。該製造方法是利用鍶化合物的濃度相對於上述螢光體粒子而為1質量%~15質量%且PH值為6以上10以下的鹼土金屬化合物溶液，對包含鍶的鹼土金屬矽酸鹽螢光體粒子進行前處理。然後，在經前處理的螢光體粒子的表面形成鋁有機金屬化合物的基底層，被覆包含一部分水解的矽烷有機金屬化合物的水解縮合物的被覆材料後，進行乾燥及熱處理，在表面形成包含以Si及O為主成分的非晶質無機化合物的被覆膜。
简体摘要：本发明提供一种具有被覆膜的碱土金属硅酸盐萤光体粒子的制造方法，其具备具有高耐湿性及耐水性的被覆膜，且可提高发光特性。该制造方法是利用锶化合物的浓度相对于上述萤光体粒子而为1质量%~15质量%且PH值为6以上10以下的碱土金属化合物溶液，对包含锶的碱土金属硅酸盐萤光体粒子进行前处理。然后，在经前处理的萤光体粒子的表面形成铝有机金属化合物的基底层，被覆包含一部分水解的硅烷有机金属化合物的水解缩合物的被覆材料后，进行干燥及热处理，在表面形成包含以Si及O为主成分的非晶质无机化合物的被覆膜。

3. 发明专利

TWI504724B 附有被覆膜的矽酸鹽螢光體粒子的製造方法有权
简体标题：附有被覆膜的硅酸盐萤光体粒子的制造方法
公开(公告)号：TWI504724B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101126127
申请日：2012-07-20
申请人：住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：高梨昌二 , TAKANASHI, SHOJI , 高塚裕二 , TAKATSUKA, YUJI
IPC分类号： C09K11/59 , C09K11/64 , H01L33/50

4. 发明专利

TWI448535B Ｅｕ賦活鹼土類金屬矽酸鹽螢光體之製造方法有权
简体标题：Ｅｕ赋活碱土类金属硅酸盐萤光体之制造方法
公开(公告)号：TWI448535B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW100118260
申请日：2011-05-25
申请人：住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：垣花真人 , KAKIHANA, MASATO , 高塚裕二 , TAKATSUKA, YUJI , 鈴木奈織美 , SUZUKI, NAOMI
IPC分类号： C09K11/59 , C04B35/622 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/7734

5. 发明专利

TWI646870B 導電性基板、導電性基板之製造方法有权
简体标题：导电性基板、导电性基板之制造方法
公开(公告)号：TWI646870B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103137778
申请日：2014-10-31
申请人：住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：渡邊宏幸 , WATANABE, HIROYUKI , 山岸浩一 , YAMAGISHI, KOICHI , 永田純一 , NAGATA, JUNICHI , 高塚裕二 , TAKATSUKA, YUJI , 橫林貞之 , YOKOBAYASHI, SADAYUKI
IPC分类号： H05K1/02 , B32B7/02 , B32B9/00 , B32B15/08 , G06F3/041 , H01B5/14

6. 发明专利

TWI512081B 具有被覆膜的鹼土金屬矽酸鹽螢光體粒子的製造方法有权
简体标题：具有被覆膜的碱土金属硅酸盐萤光体粒子的制造方法
公开(公告)号：TWI512081B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101119140
申请日：2012-05-29
申请人：住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：高梨昌二 , TAKANASHI, SHOJI , 高塚裕二 , TAKATSUKA, YUJI
IPC分类号： C09K11/55 , C09K11/59
CPC分类号： C09K11/025 , C09K11/7734

7. 发明专利

TW201540137A 導電性基板、導電性基板之製造方法审中-公开
简体标题：导电性基板、导电性基板之制造方法
公开(公告)号：TW201540137A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103137778
申请日：2014-10-31
申请人：住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：渡邊宏幸 , WATANABE, HIROYUKI , 山岸浩一 , YAMAGISHI, KOICHI , 永田純一 , NAGATA, JUNICHI , 高塚裕二 , TAKATSUKA, YUJI , 橫林貞之 , YOKOBAYASHI, SADAYUKI
IPC分类号： H05K1/02 , B32B7/02 , B32B9/00 , B32B15/08 , G06F3/041 , H01B5/14
CPC分类号： B32B15/20 , B32B15/04 , B32B2255/06 , B32B2255/20 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2457/208 , G06F3/0412
摘要：本發明提供一種導電性基板，其具備：透明基材；形成於該透明基材的至少一個表面側之銅層；以及形成於該透明基材的至少一個表面側之黑化層，該黑化層含有氧、氮、鎳、及鎢。
简体摘要：本发明提供一种导电性基板，其具备：透明基材；形成于该透明基材的至少一个表面侧之铜层；以及形成于该透明基材的至少一个表面侧之黑化层，该黑化层含有氧、氮、镍、及钨。

8. 发明专利

TW201402784A 矽酸鹽螢光體及其製造方法审中-公开
简体标题：硅酸盐萤光体及其制造方法
公开(公告)号：TW201402784A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101124884
申请日：2012-07-11
申请人：住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：小向哲史 , KOMUKAI, TETSUFUMI , 高塚裕二 , TAKATSUKA, YUJI , 垣花真人 , KAKIHANA, MASATO , 手束聰子 , TEZUKA, SATOKO , 加藤英樹 , KATO, HIDEKI
IPC分类号： C09K11/79
CPC分类号： C09K11/7734
摘要：本發明提供一種於為近紫外LED之發光波長之400 nm左右受到激發而強發光且由激發波長之變化所引起的發光強度變化少之藍色螢光體、及簡便地獲得該螢光體之製造方法。本發明提供一種矽酸鹽螢光體，其係Ba1-xEuxZrSiyO3+2y(其中，0.001≦x≦0.5，2.5≦y≦3)之組成式所表示者，其特徵在於：於粉末X射線繞射圖案中，具有BaZrSi3O9之繞射圖案，激發波長400 nm下之發光強度為激發波長300 nm下之發光強度的40%以上，於激發波長380 nm~420 nm之範圍內，(Iex380 nm-Iex420 nm)/Iex380 nm×100之式所表示的發光強度變化率為30%以下。
简体摘要：本发明提供一种于为近紫外LED之发光波长之400 nm左右受到激发而强发光且由激发波长之变化所引起的发光强度变化少之蓝色萤光体、及简便地获得该萤光体之制造方法。本发明提供一种硅酸盐萤光体，其系Ba1-xEuxZrSiyO3+2y(其中，0.001≦x≦0.5，2.5≦y≦3)之组成式所表示者，其特征在于：于粉末X射线绕射图案中，具有BaZrSi3O9之绕射图案，激发波长400 nm下之发光强度为激发波长300 nm下之发光强度的40%以上，于激发波长380 nm~420 nm之范围内，(Iex380 nm-Iex420 nm)/Iex380 nm×100之式所表示的发光强度变化率为30%以下。

9. 发明专利

TW201202394A Ｅｕ賦活鹼土類金屬矽酸鹽螢光體之製造方法审中-公开
简体标题：Ｅｕ赋活碱土类金属硅酸盐萤光体之制造方法
公开(公告)号：TW201202394A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100118260
申请日：2011-05-25
申请人：住友金屬礦山股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：垣花真人 , 高塚裕二 , 鈴木奈織美
IPC分类号： C09K , C04B , H01L
CPC分类号： C09K11/7734
摘要：本發明之課題係提供一種製造方法：其係於製造全金屬成分元素(Sr、Ba、Eu、Si)與Si之比為4：1或3：1之Eu賦活鹼土類金屬矽酸鹽螢光體時，能較先前方法以更低溫合成化學組成之均勻性較高之前軀體，並對該前軀體進行熱處理，藉此有效率且廉價地製造化學組成均勻且單相之高亮度Eu賦活鹼土類金屬矽酸鹽螢光體。本發明之解決手段係Eu賦活鹼土類金屬矽酸鹽螢光體之製造方法，其特徵為：包括將作為構成金屬成分之鍶、鋇、銪、矽製成水溶液，將上述水溶液加以混合後，保持在30～100℃之液溫，藉此形成全金屬成分之總量均勻分散之狀態之透明凝膠的步驟，作為步驟1。
简体摘要：本发明之课题系提供一种制造方法：其系于制造全金属成分元素(Sr、Ba、Eu、Si)与Si之比为4：1或3：1之Eu赋活碱土类金属硅酸盐萤光体时，能较先前方法以更低温合成化学组成之均匀性较高之前躯体，并对该前躯体进行热处理，借此有效率且廉价地制造化学组成均匀且单相之高亮度Eu赋活碱土类金属硅酸盐萤光体。本发明之解决手段系Eu赋活碱土类金属硅酸盐萤光体之制造方法，其特征为：包括将作为构成金属成分之锶、钡、铕、硅制成水溶液，将上述水溶液加以混合后，保持在30～100℃之液温，借此形成全金属成分之总量均匀分散之状态之透明凝胶的步骤，作为步骤1。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式