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1. 发明专利

TW201406807A 高分子化合物及使用該高分子化合物的發光元件审中-公开
简体标题：高分子化合物及使用该高分子化合物的发光组件
公开(公告)号：TW201406807A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102121316
申请日：2013-06-17
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：淺田浩平 , ASADA, KOHEI , 大內一榮 , OHUCHI, KAZUEI , 後藤修 , GOTO, OSAMU
IPC分类号： C08G61/10 , C08G73/06 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0043 , C07F5/04 , C08G61/10 , C08G61/122 , C08G2261/12 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/18 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3221 , C08G2261/95 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1059 , C09K2211/1416 , C09K2211/185 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0085 , H01L51/0095 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/20
摘要：本發明提供一種包含下述一般式(1)所示的基作為重複單元之高分子化合物； [式(1)中，R1a表示烷基、芳基、1價芳香族雜環基或芳烷基，該等基可具有取代基；複數個R1a可為相同，亦可為相異；X1a表示選自下述式(1a)至(1c)所成群的基] [式(1a)至(1c)中，R1c表示芳基或1價芳香族雜環基，該等基可具有取代基；R1d至R1f分別獨立表示烷基、芳基、1價芳香族雜環基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代胺基、取代羰基、取代羧基、氟原子或氰基；式(1b)中之R1d及R1e可互相結合而與分別結合的碳原子一起形成環；式(1c)中之R1d及R1e可互相結合而與分別結合的碳原子一起形成環，R1f及R1g可互相結合而與分別結合的碳原子一起形成環，R1d及R1f可互相結合而與分別結合的碳原子一起形成環，R1e及R1g可互相結合而與分別結合的碳原子一起形成環]。
简体摘要：本发明提供一种包含下述一般式(1)所示的基作为重复单元之高分子化合物； [式(1)中，R1a表示烷基、芳基、1价芳香族杂环基或芳烷基，该等基可具有取代基；复数个R1a可为相同，亦可为相异；X1a表示选自下述式(1a)至(1c)所成群的基] [式(1a)至(1c)中，R1c表示芳基或1价芳香族杂环基，该等基可具有取代基；R1d至R1f分别独立表示烷基、芳基、1价芳香族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代胺基、取代羰基、取代羧基、氟原子或氰基；式(1b)中之R1d及R1e可互相结合而与分别结合的碳原子一起形成环；式(1c)中之R1d及R1e可互相结合而与分别结合的碳原子一起形成环，R1f及R1g可互相结合而与分别结合的碳原子一起形成环，R1d及R1f可互相结合而与分别结合的碳原子一起形成环，R1e及R1g可互相结合而与分别结合的碳原子一起形成环]。

2. 发明专利

TWI600675B 高分子化合物及使用該高分子化合物的發光元件有权
简体标题：高分子化合物及使用该高分子化合物的发光组件
公开(公告)号：TWI600675B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW102121316
申请日：2013-06-17
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：淺田浩平 , ASADA, KOHEI , 大內一榮 , OHUCHI, KAZUEI , 後藤修 , GOTO, OSAMU
IPC分类号： C08G61/10 , C08G73/06 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0043 , C07F5/04 , C08G61/10 , C08G61/122 , C08G2261/12 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/18 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3221 , C08G2261/95 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1059 , C09K2211/1416 , C09K2211/185 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0085 , H01L51/0095 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/20

3. 发明专利

TWI525122B 高分子化合物及其製造方法，以及發光元件有权
简体标题：高分子化合物及其制造方法，以及发光组件
公开(公告)号：TWI525122B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW100143893
申请日：2011-11-30
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：後藤修 , GOTO, OSAMU , 加古芙美子 , KAKO, FUMIKO , 曾我雅之 , SOGA, MASAYUKI , 大內一榮 , OHUCHI, KAZUEI
IPC分类号： C08G61/12 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0043 , C08G61/12 , C08G2261/124 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/374 , C08G2261/411 , C08G2261/5242 , C08G2261/95 , C08K5/34 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0085 , H01L51/50

5. 发明专利

TWI493016B 含金屬錯合物及有機化合物之組成物及使用該組成物而成的發光元件有权
简体标题：含金属错合物及有机化合物之组成物及使用该组成物而成的发光组件
公开(公告)号：TWI493016B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW098120973
申请日：2009-06-23
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：淺田浩平 , ASADA, KOHEI , 後藤修 , GOTO, OSAMU , 關根千津 , SEKINE, CHIZU
IPC分类号： C09K11/06 , C07F15/00 , C08G61/00 , C08J5/18 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0085 , C08G61/12 , C08G61/122 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/5242 , C08K5/3437 , C08L65/00 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0071 , H01L51/50 , H01L2251/308 , H01L2251/552 , Y10S428/917

7. 发明专利

TW201133133A 化合物 COMPOUND 审中-公开
公开(公告)号：TW201133133A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099139660
申请日：2010-11-18
申请人：財團法人九州先端科學技術研究所 , 松下電器產業股份有限公司 , 住友化學股份有限公司
发明人：新海征治 , 原口修一 , 白木智丈 , 小川雅司 , 中谷修平 , 坂上惠 , 後藤修 , 柿本秀信
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/027 , C07F7/12 , C07F7/1836 , G03F7/0046 , G03F7/0755 , H01L51/0056 , H01L51/0095
摘要：本發明之課題係經由照射光而進行功能性薄膜之微細圖案化時，可抑制照射光之層之基底層之特性降低及功能性薄膜之特性降低。解決課題之手段係：包含屬於具感光性之基並且可進行光二聚反應之基之感光性基和具親液性之基的化合物(A)、與包含屬於具感光性之基並且可進行光二聚反應之基的感光性基和具撥液性之基之化合物(B)，經由照射光進行二聚反應而得之化合物。
简体摘要：本发明之课题系经由照射光而进行功能性薄膜之微细图案化时，可抑制照射光之层之基底层之特性降低及功能性薄膜之特性降低。解决课题之手段系：包含属于具感光性之基并且可进行光二聚反应之基之感光性基和具亲液性之基的化合物(A)、与包含属于具感光性之基并且可进行光二聚反应之基的感光性基和具拨液性之基之化合物(B)，经由照射光进行二聚反应而得之化合物。

8. 发明专利

TW201139502A 高分子化合物的製造方法 METHOD FOR PRODUCING HIGH-POLYMER COMPOUND 审中-公开
简体标题：高分子化合物的制造方法 METHOD FOR PRODUCING HIGH-POLYMER COMPOUND
公开(公告)号：TW201139502A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100106349
申请日：2011-02-25
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：後藤修 , 福島大介 , 中谷智也
IPC分类号： C08G , B01J
CPC分类号： C08G61/12 , C08G61/02 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/411
摘要：本發明解決的課題，在於提供一種以短時間聚合所得之高分子化合物的分子量變高之高分子化合物的製造方法。解決課題的手段係具有式(2)所示的重複單元之高分子化合物的製造方法，其包含將具有至少2個的含有硼原子的第1官能基之第1芳香族化合物及具有至少2個的可與第1官能基反應之第二官能基之第二芳香族化合物，在有機溶劑、鈀錯合物、鹼及式(1)所示的化合物之存在下聚合之步驟。
[式中，R a 、R b 、R c 、R d 、R e 及R f 可為相同或相異，分別表示氫原子或一價的有機基，或者R a 至R f 內的2個連結形成非芳香族性的環，其餘可為相同或相異，分別表示氫原子或一價的有機基。]　－Ar－ (2) [式中，Ar表示從芳香族化合物除去2個氫原子後之二價基。]
简体摘要：本发明解决的课题，在于提供一种以短时间聚合所得之高分子化合物的分子量变高之高分子化合物的制造方法。解决课题的手段系具有式(2)所示的重复单元之高分子化合物的制造方法，其包含将具有至少2个的含有硼原子的第1官能基之第1芳香族化合物及具有至少2个的可与第1官能基反应之第二官能基之第二芳香族化合物，在有机溶剂、钯错合物、碱及式(1)所示的化合物之存在下聚合之步骤。 [式中，R a 、R b 、R c 、R d 、R e 及R f 可为相同或相异，分别表示氢原子或一价的有机基，或者R a 至R f 内的2个链接形成非芳香族性的环，其余可为相同或相异，分别表示氢原子或一价的有机基。]　－Ar－ (2) [式中，Ar表示从芳香族化合物除去2个氢原子后之二价基。]

9. 发明专利

TW201131784A 半導體裝置、薄膜電晶體及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FUNCTIONAL FILM, A THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备、薄膜晶体管及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FUNCTIONAL FILM, A THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING SAME
公开(公告)号：TW201131784A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099139661
申请日：2010-11-18
申请人：財團法人九州先端科學技術研究所 , 松下電器產業股份有限公司 , 住友化學股份有限公司
发明人：新海征治 , 原口修一 , 白木智丈 , 小川雅司 , 中谷修平 , 坂上惠 , 後藤修 , 柿本秀信
IPC分类号： H01L , C07F , C07C
CPC分类号： H01L51/0512 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , G03F7/0046 , H01L27/3246 , H01L51/0558 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H05B33/10
摘要：本發明之課題係藉由塗佈法於期望之區域形成功能性薄膜,而提供一種特性及壽命良好之半導體裝置、薄膜電晶體及其製造方法。解決課題之手段係一種半導體裝置,其係具備:基板、形成於前述基板上之第1電極、形成於前述第1電極之上方之功能性薄膜、以及設置於前述功能性薄膜之上方之第2電極,於前述功能性薄膜之形成區域之周圍,復具備含有含氟的基與��共軛系統經由環烯烴構造或環烷烴構造結合之化合物之膜。
简体摘要：本发明之课题系借由涂布法于期望之区域形成功能性薄膜,而提供一种特性及寿命良好之半导体设备、薄膜晶体管及其制造方法。解决课题之手段系一种半导体设备,其系具备:基板、形成于前述基板上之第1电极、形成于前述第1电极之上方之功能性薄膜、以及设置于前述功能性薄膜之上方之第2电极,于前述功能性薄膜之形成区域之周围,复具备含有含氟的基与��共轭系统经由环烯烃构造或环烷烃构造结合之化合物之膜。

10. 发明专利

TW201008975A 共聚物及使用該共聚物之高分子發光元件 COPOLYMER AND HIGH POLYMER LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：共聚物及使用该共聚物之高分子发光组件 COPOLYMER AND HIGH POLYMER LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW201008975A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098119497
申请日：2009-06-11
申请人：住友化學股份有限公司 , 薩美甚股份有限公司
发明人：後藤修 , 淺田浩平
IPC分类号： C08G , C08L , C08J , C09K , H01L , G02F
CPC分类号： H01L51/0036 , C08G61/12 , C08G61/126 , C08G2261/3162 , C08G2261/3223 , C09K11/06 , C09K2211/1483 , G02F1/133602 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/5012
摘要：一種共聚物，係具有式(I-1)表示的反覆單元所成的嵌段(A')，及/或含有式(I-1)表示的反覆單元與式(II)表示的反覆單元的嵌段(A)的共聚物。
[式中，X 1 、X 2 及X 3 可以是相同或不相同，而表示氧原子、硫原子或-C(R 7 )=C(R 8 )-，R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 及R 8 可以是相同或不相同，而表示氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1價雜環基、雜環硫基、胺基、矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、氰基或硝基，m及n可以是相同或不相同，而表示2或3。多數個R 1 可以是相同或不相同。多數個R 2 可以是相同或不相同。多數個R 5 可以是相同或不相同。多數個R 6 可以是相同或不相同。多數個X 1 可以是相同或不相同。多數個X 3 可以是相同或不相同。]-(Ar 1 )- (II)[式中，Ar 1 表示伸芳基。]
简体摘要：一种共聚物，系具有式(I-1)表示的反复单元所成的嵌段(A')，及/或含有式(I-1)表示的反复单元与式(II)表示的反复单元的嵌段(A)的共聚物。 [式中，X 1 、X 2 及X 3 可以是相同或不相同，而表示氧原子、硫原子或-C(R 7 )=C(R 8 )-，R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 及R 8 可以是相同或不相同，而表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、胺基、硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，m及n可以是相同或不相同，而表示2或3。多数个R 1 可以是相同或不相同。多数个R 2 可以是相同或不相同。多数个R 5 可以是相同或不相同。多数个R 6 可以是相同或不相同。多数个X 1 可以是相同或不相同。多数个X 3 可以是相同或不相同。]-(Ar 1 )- (II)[式中，Ar 1 表示伸芳基。]

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