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    • 3. 发明专利
    • 光阻圖案的製造程序及光阻組成物
    • 光阻图案的制造进程及光阻组成物
    • TW201821455A
    • 2018-06-16
    • TW106114967
    • 2017-05-05
    • 住友化學股份有限公司SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
    • 増山達郎MASUYAMA, TATSURO市川幸司ICHIKAWA, KOJI
    • C08F220/18C08F220/28G03F7/004G03F7/038G03F7/16G03F7/20G03F7/32G03F7/38
    • 一種製造光阻圖案的程序,係包含步驟(1)至(5):(1)施用光阻組成物於基板上,該光阻組成物係包含酸產生劑及包含具酸不穩定基之結構單元的樹脂;(2)乾燥所施用之組成物,以形成組成物層;(3)曝光該組成物層;(4)加熱經曝光之組成物層;以及(5)使用包含乙酸丁酯之顯影劑將經加熱之組成物層顯影,其中,該樹脂與乙酸丁酯間之漢森溶解度參數的距離為3.3至4.3,該距離係自式(1)計算者:R=(4×(δ dR-15.8)2+(δ pR-3.7)2+(δ hR-6.3)2)1/2 (1) 式中,δ dR係表示該樹脂之分散參數,δ pR係表示該樹脂之極性參數,δ hR係表示該樹脂之氫鍵結參數,且R係表示該距離,以及該光阻圖案相對於該組成物層之膜留存率係調節為65%或更高。
    • 一种制造光阻图案的进程,系包含步骤(1)至(5):(1)施用光阻组成物于基板上,该光阻组成物系包含酸产生剂及包含具酸不稳定基之结构单元的树脂;(2)干燥所施用之组成物,以形成组成物层;(3)曝光该组成物层;(4)加热经曝光之组成物层;以及(5)使用包含乙酸丁酯之显影剂将经加热之组成物层显影,其中,该树脂与乙酸丁酯间之汉森溶解度参数的距离为3.3至4.3,该距离系自式(1)计算者:R=(4×(δ dR-15.8)2+(δ pR-3.7)2+(δ hR-6.3)2)1/2 (1) 式中,δ dR系表示该树脂之分散参数,δ pR系表示该树脂之极性参数,δ hR系表示该树脂之氢键结参数,且R系表示该距离,以及该光阻图案相对于该组成物层之膜留存率系调节为65%或更高。