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1. 发明专利

TWI623633B 用於材料沈積之方法和裝置以及供體器件有权
简体标题：用于材料沉积之方法和设备以及供体器件
公开(公告)号：TWI623633B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103135014
申请日：2014-10-08
申请人：以色列商奧寶科技股份有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：瑞歐麥克 , ZENOU, MICHAEL , 寇特勒茲維 , KOTLER, ZVI
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/28

2. 发明专利

TW201536139A 印刷電路軌跡線之修復审中-公开
简体标题：印刷电路轨迹线之修复
公开(公告)号：TW201536139A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103143716
申请日：2014-12-15
申请人：奧寶科技有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：奇諾麥克 , ZENOU, MICHAEL , 寇特勒茲維 , KOTLER, ZVI , 奈吉德蕭山納 , NAGID, SHOSHANA
IPC分类号： H05K3/22 , B23K26/32
摘要：本發明提供一種用於材料沈積之方法，其包括提供具有對置之第一表面及第二表面及形成於該第二表面上之一施體膜的一透明施體基板。該施體膜具有一厚度δ及一熱擴散率α且藉由一熱擴散時間來特徵化。該施體基板定位成接近一受體基板，其中該第二表面面朝該受體基板。引導具有僅為該施體膜之該熱擴散時間之兩倍的一脈衝持續時間的雷射輻射之脈衝穿過該施體基板之該第一表面，且撞擊在該施體膜上以誘發熔融材料之液滴自該施體膜噴射至該受體基板上。
简体摘要：本发明提供一种用于材料沉积之方法，其包括提供具有对置之第一表面及第二表面及形成于该第二表面上之一施体膜的一透明施体基板。该施体膜具有一厚度δ及一热扩散率α且借由一热扩散时间来特征化。该施体基板定位成接近一受体基板，其中该第二表面面朝该受体基板。引导具有仅为该施体膜之该热扩散时间之两倍的一脉冲持续时间的激光辐射之脉冲穿过该施体基板之该第一表面，且撞击在该施体膜上以诱发熔融材料之液滴自该施体膜喷射至该受体基板上。

3. 发明专利

TWI651992B 印刷電路軌跡線之修復有权
简体标题：印刷电路轨迹线之修复
公开(公告)号：TWI651992B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW103143716
申请日：2014-12-15
申请人：奧寶科技有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：奇諾麥克 , ZENOU, MICHAEL , 寇特勒茲維 , KOTLER, ZVI , 奈吉德蕭山納 , NAGID, SHOSHANA
IPC分类号： H05K3/22 , B23K26/32

4. 发明专利

TW201639654A 斜角雷射誘發向前轉印（ＬＩＦＴ）噴射裝置审中-公开
简体标题：斜角激光诱发向前转印（ＬＩＦＴ）喷射设备
公开(公告)号：TW201639654A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105101749
申请日：2016-01-20
申请人：奧寶科技有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：沙諾麥可 , ZENOU, MICHAEL , 寇特勒茲維 , KOTLER, ZVI
IPC分类号： B23K26/57
CPC分类号： C23C18/14 , B23K26/0648 , B23K26/342 , B23K2203/00 , B23K2203/42
摘要：本發明係關於一種用於在受體表面上沈積材料之裝置，其包括具有對置第一及第二表面之透明供體基板，使得該第二表面之至少一部分不平行於該受體表面，且該透明供體基板包括在該第二表面上之供體膜。該裝置另外包括光學裝配件，其經組態以引導一束輻射穿過該供體基板之第一表面，且撞擊在不平行於該受體表面之該第二表面部分上之位置處的該供體膜上，以誘發熔融材料小滴自該供體膜噴出至該受體表面上。
简体摘要：本发明系关于一种用于在受体表面上沉积材料之设备，其包括具有对置第一及第二表面之透明供体基板，使得该第二表面之至少一部分不平行于该受体表面，且该透明供体基板包括在该第二表面上之供体膜。该设备另外包括光学装配件，其经组态以引导一束辐射穿过该供体基板之第一表面，且撞击在不平行于该受体表面之该第二表面部分上之位置处的该供体膜上，以诱发熔融材料小滴自该供体膜喷出至该受体表面上。

5. 发明专利

TW201525166A 用於材料沈積之方法和裝置以及供體器件审中-公开
简体标题：用于材料沉积之方法和设备以及供体器件
公开(公告)号：TW201525166A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103135014
申请日：2014-10-08
申请人：奧寶科技股份有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：瑞歐麥克 , ZENOU, MICHAEL , 寇特勒茲維 , KOTLER, ZVI
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/28
CPC分类号： H01L21/268 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B41M5/025 , B41M2205/08 , C23C26/02 , H01G7/021 , H01G7/026 , H01L21/02601 , H01L21/02612 , H01L21/288 , H05K3/1241 , H05K3/225
摘要：一種用於材料沈積之方法包含：提供一透明供體基板(56,60)，該透明供體基板具有相對之一第一表面與一第二表面以及位於該第二表面上之多個供體膜(62,64)，該等供體膜分別包含不同之材料。將該供體基板靠近一受體基板(41)定位，使該第二表面面朝該受體基板。引導雷射輻射之脈波穿過該供體基板之該第一表面並照射於該等供體膜上，以誘發複數個熔融之小滴自該等供體膜噴至該受體基板上，該等熔融之小滴含有該等不同材料之一整體混合物。
简体摘要：一种用于材料沉积之方法包含：提供一透明供体基板(56,60)，该透明供体基板具有相对之一第一表面与一第二表面以及位于该第二表面上之多个供体膜(62,64)，该等供体膜分别包含不同之材料。将该供体基板靠近一受体基板(41)定位，使该第二表面面朝该受体基板。引导激光辐射之脉波穿过该供体基板之该第一表面并照射于该等供体膜上，以诱发复数个熔融之小滴自该等供体膜喷至该受体基板上，该等熔融之小滴含有该等不同材料之一整体混合物。

6. 发明专利

TWI406806B 用於微加工一材料之方法與裝置有权
简体标题：用于微加工一材料之方法与设备
公开(公告)号：TWI406806B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW096122741
申请日：2007-06-23
申请人：奧寶科技股份有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：斯威寇特勒 , KOTLER, ZVI , 依萊哲利浦曼 , LIPMAN, ELIEZER , 歌蘭海尼納 , HANINA, GOLAN , 波瑞斯格陵伯格 , GREENBERG, BORIS , 麥克西瑙 , ZENOU, MICHAEL
IPC分类号： B81C1/00 , B23K26/04 , G06F17/50 , H05K3/32 , G06K9/00

7. 发明专利

TWI636717B 兩步驟直接寫入之雷射金屬化有权
简体标题：两步骤直接写入之激光金属化
公开(公告)号：TWI636717B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103105324
申请日：2014-02-18
申请人：奧寶科技有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：沙諾麥可 , ZENOU, MICHAEL , 亞特曼馬克 , ALTMAN, MARC , 羅特曼克勞帝歐 , ROTTMAN, CLAUDIO , 寇特勒茲維 , KOTLER, ZVI
IPC分类号： H05K3/12 , H05K3/22 , B05D3/06 , B05D5/12

8. 发明专利

TW201604296A 藉由雷射誘發向前轉印以列印三維結構审中-公开
简体标题：借由激光诱发向前转印以打印三维结构
公开(公告)号：TW201604296A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104116705
申请日：2015-05-25
申请人：奧寶科技有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：森諾麥可 , ZENOU, MICHAEL , 寇特勒茲維 , KOTLER, ZVI
IPC分类号： C23C14/28 , C23C14/06 , B33Y10/00 , B33Y30/00
CPC分类号： B23K26/34 , B23K26/0063 , B23K2203/10 , B23K2203/14 , C23C14/048 , C23C14/08 , C23C26/02 , H01C17/06 , H05K1/167 , H05K3/101 , H05K3/18 , H05K2203/0315 , H05K2203/087 , H05K2203/107 , H05K2203/128
摘要：本發明係關於一種用於材料沈積之方法，其包括提供具有相對的第一與第二表面及在該第二表面上形成之包括金屬之供體膜(36)的透明供體基板(34)。在含氧氛圍中接近受體基板(22)定位該供體基板，其中該第二表面面向該受體基板。引導雷射輻射脈衝通過該供體基板之該第一表面且沖射於該供體膜上，以便誘發熔融材料之液滴(44)自該供體膜噴射至該受體基板上，從而在該受體基板上形成該金屬之粒子(46)，其外層(54)包含該金屬之氧化物。
简体摘要：本发明系关于一种用于材料沉积之方法，其包括提供具有相对的第一与第二表面及在该第二表面上形成之包括金属之供体膜(36)的透明供体基板(34)。在含氧氛围中接近受体基板(22)定位该供体基板，其中该第二表面面向该受体基板。引导激光辐射脉冲通过该供体基板之该第一表面且冲射于该供体膜上，以便诱发熔融材料之液滴(44)自该供体膜喷射至该受体基板上，从而在该受体基板上形成该金属之粒子(46)，其外层(54)包含该金属之氧化物。

9. 发明专利

TW201543978A 脈衝模式之直接寫入雷射金屬化审中-公开
简体标题：脉冲模式之直接写入激光金属化
公开(公告)号：TW201543978A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104111474
申请日：2015-04-09
申请人：奧寶科技有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：奇諾麥克 , ZENOU, MICHAEL , 寇特勒茲維 , KOTLER, ZVI , 安克利強納森 , ANKRI, JONATHAN , 洛尼莫亞伯拉罕 , ROTNEMER, ABRAHAM , 厄梅克歐利 , ERMAK, OLEG
IPC分类号： H05K3/12 , B22F3/105
CPC分类号： H05K3/1283 , H01L21/705 , H05K3/12 , H05K3/38 , H05K2203/107 , H05K2203/1492
摘要：本發明揭示一種用於製造之方法，該方法包含：用一基質(28)塗佈一基板(22)，該基質含有欲在該基板上經圖案化之一材料。藉由引導一脈衝能量光束照射於一圖案之一軌跡上以便在未完全燒結該圖案中之該材料之情況下致使沿著該圖案將該材料黏附至該基板從而將該圖案固定於該基質中。將在該固定圖案之外的該基板上剩餘之該基質移除，及在移除該基質之後燒結該圖案中之該材料。
简体摘要：本发明揭示一种用于制造之方法，该方法包含：用一基质(28)涂布一基板(22)，该基质含有欲在该基板上经图案化之一材料。借由引导一脉冲能量光束照射于一图案之一轨迹上以便在未完全烧结该图案中之该材料之情况下致使沿着该图案将该材料黏附至该基板从而将该图案固定于该基质中。将在该固定图案之外的该基板上剩余之该基质移除，及在移除该基质之后烧结该图案中之该材料。

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