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1. 发明专利

TW201417151A 用於半導體裝置性能改善的塗層审中-公开
简体标题：用于半导体设备性能改善的涂层
公开(公告)号：TW201417151A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101145105
申请日：2012-11-30
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：賀小明 , 張力 , 陳星建 , 倪圖強 , 徐朝陽
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C14/028 , C23C14/0694 , C23C14/083 , C23C14/32 , C23C14/5873 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32559 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , Y10T29/49888
摘要：一種等離子體處理腔室，其具有增強型塗層的氣體噴淋頭和延伸的下電極。所述延伸的下電極可由聚焦環、覆蓋環和等離子體約束環的一個或多個組成。延伸的下電極可利用一個一片式的複合覆蓋環製成。所述複合覆蓋環可由Al2O3製成並具有抗等離子體Y2O3塗層。所述等離子體約束環可以包括一流量均衡化離子遮罩裝置，其也可具有抗等離子體塗層。所述延伸電極的抗等離子體塗層可具有配合氣體噴淋頭的成份。
简体摘要：一种等离子体处理腔室，其具有增强型涂层的气体喷淋头和延伸的下电极。所述延伸的下电极可由聚焦环、覆盖环和等离子体约束环的一个或多个组成。延伸的下电极可利用一个一片式的复合覆盖环制成。所述复合覆盖环可由Al2O3制成并具有抗等离子体Y2O3涂层。所述等离子体约束环可以包括一流量均衡化离子遮罩设备，其也可具有抗等离子体涂层。所述延伸电极的抗等离子体涂层可具有配合气体喷淋头的成份。

2. 发明专利

TWI513496B 自清潔真空處理腔室有权
简体标题：自清洁真空处理腔室
公开(公告)号：TWI513496B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW103136432
申请日：2014-10-22
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：張力 , 賀小明 , 李俊良 , 倪圖強
IPC分类号： B01D15/20 , C23C16/56 , B08B9/08

3. 发明专利

TWI570767B 電漿處理腔室及其直流電極和加熱裝置的複合元件有权
简体标题：等离子处理腔室及其直流电极和加热设备的复合组件
公开(公告)号：TWI570767B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW103143958
申请日：2014-12-16
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：張力 , 梁潔 , 左濤濤 , 賀小明 , 倪圖強
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/20

4. 发明专利

TWI516462B 製備半導體反應腔室部件的方法及部件有权
简体标题：制备半导体反应腔室部件的方法及部件
公开(公告)号：TWI516462B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW103114005
申请日：2014-04-17
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：張力 , 賀小明 , 蒲遠 , 倪圖強 , 彭帆
IPC分类号： C04B35/64 , H01L21/3065

5. 发明专利

TW201545199A 電漿處理腔室及其直流電極和加熱裝置的複合元件审中-公开
简体标题：等离子处理腔室及其直流电极和加热设备的复合组件
公开(公告)号：TW201545199A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103143958
申请日：2014-12-16
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：張力 , 梁潔 , 左濤濤 , 賀小明 , 倪圖強
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/20
摘要：本發明提供了一種電漿處理腔室及其直流電極和加熱裝置的複合元件，其中，所述電漿處理腔室下部包括一基台，基台下方設置有若干冷卻液通道，在所述冷卻液通道上方設置有一隔熱層，其特徵在於，在所述隔熱層上方設置有絕緣層，在所述絕緣層上方設置有電熱合金製成的複合元件，同時充當直流電極和加熱裝置。本發明提供的電漿處理腔室及其直流電極和加熱裝置的複合元件能夠同時充當直流電極和加熱裝置，並且同時發揮兩者的作用而不相互串擾，簡化了機構，節約了能源。
简体摘要：本发明提供了一种等离子处理腔室及其直流电极和加热设备的复合组件，其中，所述等离子处理腔室下部包括一基台，基台下方设置有若干冷却液信道，在所述冷却液信道上方设置有一隔热层，其特征在于，在所述隔热层上方设置有绝缘层，在所述绝缘层上方设置有电热合金制成的复合组件，同时充当直流电极和加热设备。本发明提供的等离子处理腔室及其直流电极和加热设备的复合组件能够同时充当直流电极和加热设备，并且同时发挥两者的作用而不相互串扰，简化了机构，节约了能源。

6. 发明专利

TWI470681B 用於半導體裝置性能改善的塗層有权
简体标题：用于半导体设备性能改善的涂层
公开(公告)号：TWI470681B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101145105
申请日：2012-11-30
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：賀小明 , 張力 , 陳星建 , 倪圖強 , 徐朝陽
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C14/028 , C23C14/0694 , C23C14/083 , C23C14/32 , C23C14/5873 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32559 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , Y10T29/49888

7. 发明专利

TWI545688B 一種靜電夾盤及靜電夾盤的製造方法有权
简体标题：一种静电夹盘及静电夹盘的制造方法
公开(公告)号：TWI545688B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW103145981
申请日：2014-12-29
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：張力 , JHANG, LI , 左濤濤 , ZUO, TAO-TAO , 賀小明 , HE, SIAO-MING , 倪圖強 , NI, TU-CIANG
IPC分类号： H01L21/687

8. 发明专利

TW201546950A 一種靜電夾盤及靜電夾盤的製造方法审中-公开
简体标题：一种静电夹盘及静电夹盘的制造方法
公开(公告)号：TW201546950A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW103145981
申请日：2014-12-29
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：張力 , JHANG, LI , 左濤濤 , ZUO, TAO-TAO , 賀小明 , HE, SIAO-MING , 倪圖強 , NI, TU-CIANG
IPC分类号： H01L21/687
摘要：一種靜電夾盤，包括第一絕緣材料層、導電電極、第二絕緣材料層，其中導電電極位於所述第一、二絕緣材料層中間，第二絕緣材料層上表面用於固定待處理基片，所述第二絕緣材料層為氟金雲母。本發明利用氟金雲母，特別是利用物理氣相沉積的氟金雲母作為靜電夾盤的絕緣材料層，可以顯著的降低絕緣層厚度，減小直流電壓幅度，增加絕緣材料層和導電電極之間的吸附力，同時還能保證絕緣材料層的均勻。
简体摘要：一种静电夹盘，包括第一绝缘材料层、导电电极、第二绝缘材料层，其中导电电极位于所述第一、二绝缘材料层中间，第二绝缘材料层上表面用于固定待处理基片，所述第二绝缘材料层为氟金云母。本发明利用氟金云母，特别是利用物理气相沉积的氟金云母作为静电夹盘的绝缘材料层，可以显着的降低绝缘层厚度，减小直流电压幅度，增加绝缘材料层和导电电极之间的吸附力，同时还能保证绝缘材料层的均匀。

9. 发明专利

TW201532482A 電感耦合型等離子體處理腔室及其抗腐蝕絕緣視窗及製造方法审中-公开
简体标题：电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法
公开(公告)号：TW201532482A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103142791
申请日：2014-12-09
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：張力 , 賀小明
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/67 , C23C4/10
摘要：本發明提供了一種等離子處理腔室及其抗腐蝕元件及製造方法，所述元件上利用燒結方法在其面對等離子體的一面塗覆有一層釔化物塗層。本發明尤其適用於電感耦合型等離子體處理腔室的絕緣視窗。本發明提供的電感耦合型等離子體處理腔室的絕緣視窗塗層組織緻密穩定，無顆粒污染風險，並且造價低。並且，由於塗層厚度可控，與氧化鋁基地的絕緣視窗熱匹配性能好，因此不會發生熱致開裂等問題。
简体摘要：本发明提供了一种等离子处理腔室及其抗腐蚀组件及制造方法，所述组件上利用烧结方法在其面对等离子体的一面涂覆有一层钇化物涂层。本发明尤其适用于电感耦合型等离子体处理腔室的绝缘窗口。本发明提供的电感耦合型等离子体处理腔室的绝缘窗口涂层组织致密稳定，无颗粒污染风险，并且造价低。并且，由于涂层厚度可控，与氧化铝基地的绝缘窗口热匹配性能好，因此不会发生热致开裂等问题。

10. 发明专利

TW201529141A 自清潔真空處理腔室审中-公开
简体标题：自清洁真空处理腔室
公开(公告)号：TW201529141A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103136432
申请日：2014-10-22
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：張力 , 賀小明 , 李俊良 , 倪圖強
IPC分类号： B01D15/20 , C23C16/56 , B08B9/08
摘要：本發明提供了一種自清潔真空處理腔室，其中，所述真空處理腔室包括一腔體，基片放置於腔體之中進行製程，所述腔體內部區域上設置有二氧化鈦塗層，其中，所述二氧化鈦塗層用於對腔體內部產生的聚合物污染層進行去除，本發明提供的真空處理腔室及其自清潔方法能夠有效去除腔體內部的聚合物污染層，使得聚合物污染層在腔體內壁表面難以沉積，能夠對已沉積的聚合物污染層進行降解，並使已沉積的聚合物污染層的附著性變差。
简体摘要：本发明提供了一种自清洁真空处理腔室，其中，所述真空处理腔室包括一腔体，基片放置于腔体之中进行制程，所述腔体内部区域上设置有二氧化钛涂层，其中，所述二氧化钛涂层用于对腔体内部产生的聚合物污染层进行去除，本发明提供的真空处理腔室及其自清洁方法能够有效去除腔体内部的聚合物污染层，使得聚合物污染层在腔体内壁表面难以沉积，能够对已沉积的聚合物污染层进行降解，并使已沉积的聚合物污染层的附着性变差。

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