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1. 发明专利

TWI670767B 晶圓之表面處理方法及用於該方法之組合物有权
简体标题：晶圆之表面处理方法及用于该方法之组合物
公开(公告)号：TWI670767B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107112874
申请日：2018-04-16
申请人：日商中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：高田朋宏 , TAKATA, TOMOHIRO , 照井貴陽 , TERUI, YOSHIHARU
IPC分类号： H01L21/306 , C09K3/18

2. 发明专利

TWI510543B 膜形成用組合物及其膜、以及使用其之有機半導體元件之製造方法有权
简体标题：膜形成用组合物及其膜、以及使用其之有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI510543B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103124602
申请日：2014-07-17
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：小森谷治彥 , KOMORIYA, HARUHIKO , 照井貴陽 , TERUI, YOSHIHARU , 小林史人 , KOBAYASHI, FUMITO , 原由香里 , HARA, YUKARI , 原育成 , HARA, IKUNARI
IPC分类号： C08L45/00 , C08L29/04 , C08K5/06 , H01L21/28 , H01L21/027 , B29C59/02 , H01L21/312 , H01L21/306 , H01L51/00 , H01L27/32 , H01L51/50 , G09F9/30 , G02F1/13
CPC分类号： H01L51/56 , C08F232/04 , C08K5/02 , C08K5/06 , C09D5/00 , C09D7/20 , C09D127/12 , C09D129/10 , C09D145/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , H01L27/3241 , H01L51/0017 , H01L51/0018 , H01L51/0019 , H01L51/0052 , H01L51/0558 , H01L51/5012 , C08F216/14

3. 发明专利

TW201512283A 膜形成用組合物及其膜、以及使用其之有機半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：膜形成用组合物及其膜、以及使用其之有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201512283A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103124602
申请日：2014-07-17
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：小森谷治彥 , KOMORIYA, HARUHIKO , 照井貴陽 , TERUI, YOSHIHARU , 小林史人 , KOBAYASHI, FUMITO , 原由香里 , HARA, YUKARI , 原育成 , HARA, IKUNARI
IPC分类号： C08L45/00 , C08L29/04 , C08K5/06 , H01L21/28 , H01L21/027 , B29C59/02 , H01L21/312 , H01L21/306 , H01L51/00 , H01L27/32 , H01L51/50 , G09F9/30 , G02F1/13
CPC分类号： H01L51/56 , C08F232/04 , C08K5/02 , C08K5/06 , C09D5/00 , C09D7/20 , C09D127/12 , C09D129/10 , C09D145/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , H01L27/3241 , H01L51/0017 , H01L51/0018 , H01L51/0019 , H01L51/0052 , H01L51/0558 , H01L51/5012 , C08F216/14
摘要：本發明之膜形成用組合物含有包含式(1)所表示之重複單元及通式(2)所表示之重複單元之氟樹脂、及氟系溶劑。 (R1為碳數1~15之直鏈狀、碳數3~15之支鏈狀或碳數3~15之環狀之烴基，烴基中之氫原子之至少1個可經氟原子或氯原子取代，亦可具有羥基) 該組合物可於有機半導體膜上形成氟樹脂膜，且於光微影法等中獲得有機半導體之精緻圖案時，對蝕刻溶劑具有耐性，對有機半導體元件之製造方法有用。
简体摘要：本发明之膜形成用组合物含有包含式(1)所表示之重复单元及通式(2)所表示之重复单元之氟树脂、及氟系溶剂。 (R1为碳数1~15之直链状、碳数3~15之支链状或碳数3~15之环状之烃基，烃基中之氢原子之至少1个可经氟原子或氯原子取代，亦可具有羟基) 该组合物可于有机半导体膜上形成氟树脂膜，且于光微影法等中获得有机半导体之精致图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，对有机半导体组件之制造方法有用。

4. 发明专利

TW201843731A 晶圓之表面處理方法及用於該方法之組合物审中-公开
简体标题：晶圆之表面处理方法及用于该方法之组合物
公开(公告)号：TW201843731A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107112874
申请日：2018-04-16
申请人：日商中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：高田朋宏 , TAKATA, TOMOHIRO , 照井貴陽 , TERUI, YOSHIHARU
IPC分类号： H01L21/306 , C09K3/18
摘要：本發明之晶圓之表面處理方法之特徵在於：其包含於在表面具有凹凸圖案且至少於該凹部具有Si元素之晶圓之洗淨中，於在上述凹凸圖案之至少凹部保持有液體之狀態下，將組合物之蒸氣供至上述凹凸圖案表面，於晶圓表面使該蒸氣狀態變化為上述組合物之液體狀態，將上述凹部所保持之液體置換為該組合物之液體並保持，藉此至少於上述凹部表面形成撥水性保護膜之步驟，且上述組合物包含：下述通式[1]所表示之矽烷化劑；及沸點低於上述矽烷化劑之沸點之下述通式[2]所表示之含氟醚於總量100質量%之中為99.8～100質量%之溶劑，上述矽烷化劑之量相對於該矽烷化劑與溶劑之總量為2～30質量%，上述組合物發揮與先前同等之撥水性賦予效果，並且能夠於無引起作為保護膜形成成分之矽烷化劑之熱分解之虞的溫度下蒸氣化，即便矽烷化劑之濃度為2質量%以上，亦能夠抑制不溶物之析出或沈澱。
简体摘要：本发明之晶圆之表面处理方法之特征在于：其包含于在表面具有凹凸图案且至少于该凹部具有Si元素之晶圆之洗净中，于在上述凹凸图案之至少凹部保持有液体之状态下，将组合物之蒸气供至上述凹凸图案表面，于晶圆表面使该蒸气状态变化为上述组合物之液体状态，将上述凹部所保持之液体置换为该组合物之液体并保持，借此至少于上述凹部表面形成拨水性保护膜之步骤，且上述组合物包含：下述通式[1]所表示之硅烷化剂；及沸点低于上述硅烷化剂之沸点之下述通式[2]所表示之含氟醚于总量100质量%之中为99.8～100质量%之溶剂，上述硅烷化剂之量相对于该硅烷化剂与溶剂之总量为2～30质量%，上述组合物发挥与先前同等之拨水性赋予效果，并且能够于无引起作为保护膜形成成分之硅烷化剂之热分解之虞的温度下蒸气化，即便硅烷化剂之浓度为2质量%以上，亦能够抑制不溶物之析出或沈淀。

5. 发明专利

TWI509013B 膜形成用組合物及其膜、以及使用其之有機半導體元件之製造方法有权
简体标题：膜形成用组合物及其膜、以及使用其之有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI509013B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW103124603
申请日：2014-07-17
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：照井貴陽 , TERUI, YOSHIHARU , 小森谷治彥 , KOMORIYA, HARUHIKO , 小林史人 , KOBAYASHI, FUMITO , 原由香里 , HARA, YUKARI , 原育成 , HARA, IKUNARI
IPC分类号： C08L33/16 , C08K5/06 , H01L21/28 , H01L21/027 , B29C59/02 , H01L21/312 , H01L21/306 , H01L51/00 , H01L27/32 , H01L51/50 , G09F9/30 , G02F1/13
CPC分类号： H01L51/0018 , C08K5/02 , C08K5/06 , C09D133/16 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , H01L51/0019 , H01L51/0052 , H01L51/0558

6. 发明专利

TW201512282A 膜形成用組合物及其膜、以及使用其之有機半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：膜形成用组合物及其膜、以及使用其之有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201512282A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103124603
申请日：2014-07-17
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：照井貴陽 , TERUI, YOSHIHARU , 小森谷治彥 , KOMORIYA, HARUHIKO , 小林史人 , KOBAYASHI, FUMITO , 原由香里 , HARA, YUKARI , 原育成 , HARA, IKUNARI
IPC分类号： C08L33/16 , C08K5/06 , H01L21/28 , H01L21/027 , B29C59/02 , H01L21/312 , H01L21/306 , H01L51/00 , H01L27/32 , H01L51/50 , G09F9/30 , G02F1/13
CPC分类号： H01L51/0018 , C08K5/02 , C08K5/06 , C09D133/16 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , H01L51/0019 , H01L51/0052 , H01L51/0558
摘要：本發明之膜形成用組合物含有包含通式(1)所表示之重複單元之氟樹脂、及氟系溶劑。 (R1分別獨立為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；R2分別獨立為碳數1~15之直鏈狀、碳數3~15之支鏈狀或碳數3~15之環狀之含氟烴基，烴基中之氫原子可經氟原子取代，重複單元中含有至少1個氟原子) 該組合物可於有機半導體膜上形成膜，且於光微影法等中獲得有機半導體之精緻圖案時，對蝕刻溶劑具有耐性，對有機半導體元件之製造方法有用。
简体摘要：本发明之膜形成用组合物含有包含通式(1)所表示之重复单元之氟树脂、及氟系溶剂。 (R1分别独立为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基；R2分别独立为碳数1~15之直链状、碳数3~15之支链状或碳数3~15之环状之含氟烃基，烃基中之氢原子可经氟原子取代，重复单元中含有至少1个氟原子) 该组合物可于有机半导体膜上形成膜，且于光微影法等中获得有机半导体之精致图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，对有机半导体组件之制造方法有用。

7. 发明专利

TWI534542B 含磺胺類之光阻組成物及其使用方法有权
简体标题：含磺胺类之光阻组成物及其使用方法
公开(公告)号：TWI534542B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW100105052
申请日：2011-02-16
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , 中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：桑德斯丹尼爾保羅 , SANDERS, DANIEL PAUL , 藤原昌生 , FUJIWARA, MASAKI , 照井貴陽 , TERUI, YOSHIHARU
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325

8. 发明专利

TW201142512A 含磺胺類之光阻組成物及其使用方法 SULFONAMIDE-CONTAINING PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF USE 审中-公开
简体标题：含磺胺类之光阻组成物及其使用方法 SULFONAMIDE-CONTAINING PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF USE
公开(公告)号：TW201142512A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100105052
申请日：2011-02-16
申请人：萬國商業機器公司 , 中央硝子股份有限公司
发明人：桑德斯丹尼爾保羅 , 藤原昌生 , 照井貴陽
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要：揭示在微影製程中使用的含磺胺類之光阻組成物，其具有高解析度、低模糊成像的改良性質。亦揭示用於抗蝕劑上抗蝕(resist-on-resist)應用的醇溶性光阻。本發明含磺胺類之光阻組成物包括正色調光阻組成物，其包括具有分支連接基團的磺胺類取代重複單元如分子式(I)所示：
简体摘要：揭示在微影制程中使用的含磺胺类之光阻组成物，其具有高分辨率、低模煳成像的改良性质。亦揭示用于抗蚀剂上抗蚀(resist-on-resist)应用的醇溶性光阻。本发明含磺胺类之光阻组成物包括正色调光阻组成物，其包括具有分支连接基团的磺胺类取代重复单元如分子式(I)所示：

10. 发明专利

TWI492980B 含磺胺類之頂塗層及光阻添加組成物與其使用方法失效
简体标题：含磺胺类之顶涂层及光阻添加组成物与其使用方法
公开(公告)号：TWI492980B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW100105053
申请日：2011-02-16
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , 中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：桑德斯丹尼爾保羅 , SANDERS, DANIEL PAUL , 藤原昌生 , FUJIWARA, MASAKI , 照井貴陽 , TERUI, YOSHIHARU
IPC分类号： C08L33/14 , C09D133/14 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C09D133/16 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041

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