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1. 发明专利

TWI480284B 三甲基矽烷之純化方法有权
简体标题：三甲基硅烷之纯化方法
公开(公告)号：TWI480284B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW102105882
申请日：2013-02-20
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：手島卓也 , TESHIMA, TAKUYA , 柴山茂朗 , SHIBAYAMA, TAKAAKI , 中村陽介 , NAKAMURA, YOSUKE , 平岡知之 , HIRAOKA, TOMOYUKI
IPC分类号： C07F7/08
CPC分类号： C07F7/20 , C07F7/0896

2. 发明专利

TW201700443A 乾式蝕刻氣體及乾式蝕刻方法审中-公开
简体标题：干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
公开(公告)号：TW201700443A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105110371
申请日：2016-03-31
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：中村陽介 , NAKAMURA, YOSUKE , 藤原昌生 , FUJIWARA, MASAKI , 大森啟之 , OOMORI, HIROYUKI , 八尾章史 , YAO, AKIFUMI
IPC分类号： C07C21/18 , C09K13/00 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： C09K13/08 , C07C17/383 , C07C21/18 , H01L21/3065 , H01L21/31116
摘要：本發明揭示一種乾式蝕刻氣體，其包含純度為99.5質量%以上，且混人於氣體中之Fe、Ni、Cr、Al及Mo之各金屬成分之濃度之和為500質量ppb以下之1,3,3,3-四氟丙烯。該乾式蝕刻氣體較佳為進而氮含量為0.5體積%以下，水分含量為0.05質量%以下，於使用使乾式蝕刻氣體電漿化而獲得之電漿氣體之乾式蝕刻中，能夠提高矽系材料相對於遮罩之蝕刻選擇性。
简体摘要：本发明揭示一种干式蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量%以上，且混人于气体中之Fe、Ni、Cr、Al及Mo之各金属成分之浓度之和为500质量ppb以下之1,3,3,3-四氟丙烯。该干式蚀刻气体较佳为进而氮含量为0.5体积%以下，水分含量为0.05质量%以下，于使用使干式蚀刻气体等离子化而获得之等离子气体之干式蚀刻中，能够提高硅系材料相对于遮罩之蚀刻选择性。

3. 发明专利

TWI613180B 乾式蝕刻氣體及乾式蝕刻方法有权
简体标题：干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
公开(公告)号：TWI613180B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105110371
申请日：2016-03-31
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：中村陽介 , NAKAMURA, YOSUKE , 藤原昌生 , FUJIWARA, MASAKI , 大森啟之 , OOMORI, HIROYUKI , 八尾章史 , YAO, AKIFUMI
IPC分类号： C07C21/18 , C09K13/00 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： C09K13/08 , C07C17/383 , C07C21/18 , H01L21/3065 , H01L21/31116

4. 发明专利

TWI422712B 氟氣體生成裝置失效
简体标题：氟气体生成设备
公开(公告)号：TWI422712B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW099141778
申请日：2010-12-01
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：八尾章史 , YAO, AKIFUMI , 宮崎達夫 , MIYAZAKI, TATSUO , 中村陽介 , NAKAMURA, YOSUKE , 中原啟太 , NAKAHARA, KEITA , 德永敦之 , TOKUNAGA, NOBUYUKI
IPC分类号： C25B9/06 , C25B1/24 , C25B15/02 , C01B7/20
CPC分类号： C25B1/245

5. 发明专利

TW201339167A 三甲基矽烷之純化方法审中-公开
简体标题：三甲基硅烷之纯化方法
公开(公告)号：TW201339167A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102105882
申请日：2013-02-20
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：手島卓也 , TESHIMA, TAKUYA , 柴山茂朗 , SHIBAYAMA, TAKAAKI , 中村陽介 , NAKAMURA, YOSUKE , 平岡知之 , HIRAOKA, TOMOYUKI
IPC分类号： C07F7/08
CPC分类号： C07F7/20 , C07F7/0896
摘要：本發明揭示一種三甲基矽烷之純化方法，其包括以下步驟：(1)準備至少添附有氧化銅(II)及氧化鋅之活性碳；(2)使三甲基矽烷吸附於上述活性碳上；(3)使含有矽烷、甲基矽烷、或二甲基矽烷作為雜質之三甲基矽烷接觸上述(2)之步驟結束後之活性碳，使該雜質吸附於上述活性碳上而自三甲基矽烷中除去。藉由該方法，可抑制活性碳之發熱而高效率地除去二甲基矽烷等雜質。
简体摘要：本发明揭示一种三甲基硅烷之纯化方法，其包括以下步骤：(1)准备至少添附有氧化铜(II)及氧化锌之活性碳；(2)使三甲基硅烷吸附于上述活性碳上；(3)使含有硅烷、甲基硅烷、或二甲基硅烷作为杂质之三甲基硅烷接触上述(2)之步骤结束后之活性碳，使该杂质吸附于上述活性碳上而自三甲基硅烷中除去。借由该方法，可抑制活性碳之发热而高效率地除去二甲基硅烷等杂质。

6. 发明专利

TW201129724A 氟氣體生成裝置失效
简体标题：氟气体生成设备
公开(公告)号：TW201129724A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099141778
申请日：2010-12-01
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：八尾章史 , 宮崎達夫 , 中村陽介 , 中原啟太 , 德永敦之
IPC分类号： C25B , C01B
CPC分类号： C25B1/245
摘要：本發明係一種氟氣體生成裝置，其係藉由對熔鹽中之氟化氫進行電解而生成氟氣體者，其包含：電解槽，其於熔鹽液面上分離而劃分有引導由浸漬於熔鹽中之陽極所生成之以氟氣體作為主成分之主產氣體的第1氣室、與引導由浸漬於熔鹽中之陰極所生成之以氫氣體作為主成分之副產氣體的第2氣室；氟化氫供給源，其儲存有用以補充至電解槽中之氟化氫；純化裝置，其捕獲自電解槽之熔鹽氣化而混入至自上述陽極生成之主產氣體中之氟化氫氣體以將氟氣體純化；及回收設備，其將由純化裝置所捕獲之氟化氫輸送並回收至電解槽或氟化氫供給源中。
简体摘要：本发明系一种氟气体生成设备，其系借由对熔盐中之氟化氢进行电解而生成氟气体者，其包含：电解槽，其于熔盐液面上分离而划分有引导由浸渍于熔盐中之阳极所生成之以氟气体作为主成分之主产气体的第1气室、与引导由浸渍于熔盐中之阴极所生成之以氢气体作为主成分之副产气体的第2气室；氟化氢供给源，其存储有用以补充至电解槽中之氟化氢；纯化设备，其捕获自电解槽之熔盐气化而混入至自上述阳极生成之主产气体中之氟化氢气体以将氟气体纯化；及回收设备，其将由纯化设备所捕获之氟化氢输送并回收至电解槽或氟化氢供给源中。

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