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1. 发明专利

TWI429075B 雙擴散金氧半導體結構有权
简体标题：双扩散金属氧化物半导体结构
公开(公告)号：TWI429075B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW097141150
申请日：2008-10-27
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林光明 , LIN, KWANG MING , 林明正 , LIN, MING CHENG , 張玉龍 , CHANG, YU LONG
IPC分类号： H01L29/772

2. 发明专利

TWI413215B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI413215B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW098110378
申请日：2009-03-30
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：羅文勳 , LO, WEN SHUN , 劉興潮 , LIU, HSING CHAO , 林明正 , LIN, MING CHENG , 張玉龍 , CHANG, YU LUNG
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/334

3. 发明专利

TWI409912B 高壓半導體元件之間的深溝槽結構的製造方法有权
简体标题：高压半导体组件之间的深沟槽结构的制造方法
公开(公告)号：TWI409912B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW098122527
申请日：2009-07-03
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林明正 , LIN, MING CHENG , 羅文勳 , LO, WEN HSUN , 浦士杰 , PU, SHIH CHIEH , 張玉龍 , CHANG, YU LONG
IPC分类号： H01L21/76

4. 发明专利

TW201103102A 高壓半導體元件之間的深溝槽結構的製造方法 DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES BETWEEN HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF 审中-公开
简体标题：高压半导体组件之间的深沟槽结构的制造方法 DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES BETWEEN HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
公开(公告)号：TW201103102A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW098122527
申请日：2009-07-03
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：林明正 , 羅文勳 , 浦士杰 , 張玉龍
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種高壓半導體元件之間的深溝槽結構，包括一半導體基底，多條相交的深溝槽隔離物設置於該半導體基底中，定義出多個高壓半導體元件區域，以及一島狀物設置於兩條深溝槽隔離物的交截中心處，其中該兩條相交的深溝槽隔離物具有鈍角的斜邊。
简体摘要：本发明提供一种高压半导体组件之间的深沟槽结构，包括一半导体基底，多条相交的深沟槽隔离物设置于该半导体基底中，定义出多个高压半导体组件区域，以及一岛状物设置于两条深沟槽隔离物的交截中心处，其中该两条相交的深沟槽隔离物具有钝角的斜边。

5. 发明专利

TW201036110A 半導體裝置的製造方法 METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法 METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201036110A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098110378
申请日：2009-03-30
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：羅文勳 , 劉興潮 , 林明正 , 張玉龍
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種半導體裝置的製造方法,包括提供一基板,其具有一第一元件區、一第二元件區和一電容區;於上述第二元件區中形成一圖案化第一氧化層;全面性形成一第二氧化層;分別於上述第一元件區、上述第二元件區和上述電容區中的上述第二氧化層上形成複數個圖案化第一導電層和複數個圖案化介電層;於上述電容區中形成一圖案化第二導電層和被上述圖案化第二導電層覆蓋的一圖案化第三氧化層,其中位於上述電容區的上述圖案化第一導電層和上述圖案化第二導電層分別作為一電容器的一下電極和一上電極。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备的制造方法,包括提供一基板,其具有一第一组件区、一第二组件区和一电容区;于上述第二组件区中形成一图案化第一氧化层;全面性形成一第二氧化层;分别于上述第一组件区、上述第二组件区和上述电容区中的上述第二氧化层上形成复数个图案化第一导电层和复数个图案化介电层;于上述电容区中形成一图案化第二导电层和被上述图案化第二导电层覆盖的一图案化第三氧化层,其中位于上述电容区的上述图案化第一导电层和上述图案化第二导电层分别作为一电容器的一下电极和一上电极。

6. 发明专利

TW201017881A 雙擴散金氧半導體結構 LATERAL DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR 审中-公开
简体标题：双扩散金属氧化物半导体结构 LATERAL DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：TW201017881A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW097141150
申请日：2008-10-27
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：林光明 , 林明正 , 張玉龍
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種雙擴散金氧半導體結構，其中金屬化前介電層(pre-metal dielectric layer,PMD)由一高矽含量之矽化物所組成，而內層介電層(inter-layer dielectric layer,ILD)、金屬間介電層(inter-metal dielectric layer,IMD)或保護層(passivation layer)亦可由一高矽含量之矽化物所組成。
简体摘要：本发明提供一种双扩散金属氧化物半导体结构，其中金属化前介电层(pre-metal dielectric layer,PMD)由一高硅含量之硅化物所组成，而内层介电层(inter-layer dielectric layer,ILD)、金属间介电层(inter-metal dielectric layer,IMD)或保护层(passivation layer)亦可由一高硅含量之硅化物所组成。

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