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    • 1. 发明专利
    • 半導體裝置之製造方法
    • 半导体设备之制造方法
    • TW201517146A
    • 2015-05-01
    • TW103122452
    • 2014-06-30
    • 三菱電機股份有限公司MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
    • 綿谷力WATATANI, CHIKARA根岸将人NEGISHI, MASATO
    • H01L21/304
    • H01L21/78
    • 本發明為得到一種不依賴劈開刀片的位置控制精確度,就可以對於劈開目標位置實現高位置精確度的劈開之半導體裝置之製造方法。 在半導體基板2的第1主面形成複數個電極5。將覆蓋位於複數個電極5間的劈開目標位置之劈開誘導圖案8形成在半導體基板2的第1主面。劈開誘導圖案8係在劈開目標位置6具有凹部9,並且由與半導體基板2不同的材質構成。在與半導體基板2的第1主面相反側之第2主面中,在與劈開目標位置6對向的位置形成劃溝7。在形成有劃溝7及劈開誘導圖案8之半導體基板2的第1主面按壓劈開刀片4而劈開半導體基板2。
    • 本发明为得到一种不依赖噼开刀片的位置控制精确度,就可以对于噼开目标位置实现高位置精确度的噼开之半导体设备之制造方法。 在半导体基板2的第1主面形成复数个电极5。将覆盖位于复数个电极5间的噼开目标位置之噼开诱导图案8形成在半导体基板2的第1主面。噼开诱导图案8系在噼开目标位置6具有凹部9,并且由与半导体基板2不同的材质构成。在与半导体基板2的第1主面相反侧之第2主面中,在与噼开目标位置6对向的位置形成划沟7。在形成有划沟7及噼开诱导图案8之半导体基板2的第1主面按压噼开刀片4而噼开半导体基板2。