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1. 发明专利

TW489519B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW489519B
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW090108082
申请日：2001-04-04
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：大中道崇浩 , 清水悟
IPC分类号： H01L
摘要：本發明是一種半導體裝置，在矽基板2形成溝，在該溝形成溝道分離氧化膜3。在該溝道分離氧化膜3上形成浮動閘極電極1Oa~10d和控制閘極電極12a~12d。在被浮動閘極電極等包夾之區域形成開口部3a，用來使矽基板2之表面露出。以埋入到開口部3a和覆蓋在控制閘極電極之方式，形成BPTEOS膜16。在該BPTEOS膜16埋入之開口部3a形成空隙20。利用該空隙20用來抑制在矽基板產生結晶缺陷，藉以獲得能夠確保高動作可靠度之高良率之半導體裝置。
简体摘要：本发明是一种半导体设备，在硅基板2形成沟，在该沟形成沟道分离氧化膜3。在该沟道分离氧化膜3上形成浮动闸极电极1Oa~10d和控制闸极电极12a~12d。在被浮动闸极电极等包夹之区域形成开口部3a，用来使硅基板2之表面露出。以埋入到开口部3a和覆盖在控制闸极电极之方式，形成BPTEOS膜16。在该BPTEOS膜16埋入之开口部3a形成空隙20。利用该空隙20用来抑制在硅基板产生结晶缺陷，借以获得能够确保高动作可靠度之高良率之半导体设备。

2. 发明专利

TW384545B 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW384545B
公开(公告)日：2000-03-11
申请号：TW087101905
申请日：1998-02-11
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：大中道崇浩 , 味香夏夫
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/11517 , G11C16/26 , H01L27/115
摘要：本發明揭示一種形成於半導體基扳上之非揮發性半導體記憶裝置，其具有一包含行列狀複數記憶格之記憶格陣列，被分成各別含有上述記憶格之複數區段，記憶格陣列具有複數之主元線，副元線群，複數之字線以及被設於副元線與字線之交點之複數之記憶格各含記憶格電晶體，記憶格電晶體具有源極領域、汲極領域、通道領域、電荷積蓄電極以及控制電極，上述記憶格陣列又具有複數之雙極性電晶體，連接機構，記憶格選擇機構，資料讀出機構以及寫入機構。
依照本發明之非揮發性半導體記憶裝置，在寫入/抹除動作時，由於元線之構造為由主元線與副元線所構成之階層構造，有可能抑制汲極擾亂，另在讀出動作時，由於流於副元線之電流被雙極性電晶體放大，即使在低電源電壓動作時亦有可能實現高速動作。
简体摘要：本发明揭示一种形成于半导体基扳上之非挥发性半导体记忆设备，其具有一包含行列状复数记忆格之记忆格数组，被分成各别含有上述记忆格之复数区段，记忆格数组具有复数之主元线，副元线群，复数之字线以及被设于副元线与字线之交点之复数之记忆格各含记忆格晶体管，记忆格晶体管具有源极领域、汲极领域、信道领域、电荷积蓄电极以及控制电极，上述记忆格数组又具有复数之双极性晶体管，连接机构，记忆格选择机构，数据读出机构以及写入机构。依照本发明之非挥发性半导体记忆设备，在写入/抹除动作时，由于元线之构造为由主元线与副元线所构成之阶层构造，有可能抑制汲极扰乱，另在读出动作时，由于流于副元线之电流被双极性晶体管放大，即使在低电源电压动作时亦有可能实现高速动作。

3. 发明专利

TW478028B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW478028B
公开(公告)日：2002-03-01
申请号：TW090106622
申请日：2001-03-21
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：清水悟 , 大中道崇浩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823425 , H01L21/823468
摘要：主要目的是提供一種改進得基板中不產生結晶缺陷的半導體裝置。
其解決手段為，在半導體基板(1)的表面中，在第一疊層閘極(20a)與第二疊層閘極(20b)之間設有源極區(2)。在第一和第二疊層閘極(20a、20b)的汲極區(3a、3b)側的側壁設有側壁間隔層(18)。第一和第二疊層閘極(20a、20b)的源極區(2)側的側壁不設置側壁間隔層。
简体摘要：主要目的是提供一种改进得基板中不产生结晶缺陷的半导体设备。其解决手段为，在半导体基板(1)的表面中，在第一叠层闸极(20a)与第二叠层闸极(20b)之间设有源极区(2)。在第一和第二叠层闸极(20a、20b)的汲极区(3a、3b)侧的侧壁设有侧壁间隔层(18)。第一和第二叠层闸极(20a、20b)的源极区(2)侧的侧壁不设置侧壁间隔层。

4. 发明专利

TW485613B 非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：非挥发性半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW485613B
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：TW090109987
申请日：2001-04-26
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：福本敦 , 清水悟 , 大中道崇浩
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法；也就是說，本發明之非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法，係在半導體基板1之主表面上，透過閘極絕緣膜5，而形成記憶單元閘極2。在記憶單元閘極2之兩側，形成源極區域3和汲極區域4。源極區域3係具有p-雜質區域3a和n+雜質區域3b，而汲極區域4係具有p-雜質區域4a和n+雜質區域4b。接著，p-雜質區域3a之濃度係高於p-雜質區域4a之濃度，而n+雜質區域3b之濃度係也高於n+雜質區域4b之濃度。
简体摘要：本发明系关于一种非挥发性半导体记忆设备及其制造方法；也就是说，本发明之非挥发性半导体记忆设备及其制造方法，系在半导体基板1之主表面上，透过闸极绝缘膜5，而形成记忆单元闸极2。在记忆单元闸极2之两侧，形成源极区域3和汲极区域4。源极区域3系具有p-杂质区域3a和n+杂质区域3b，而汲极区域4系具有p-杂质区域4a和n+杂质区域4b。接着，p-杂质区域3a之浓度系高于p-杂质区域4a之浓度，而n+杂质区域3b之浓度系也高于n+杂质区域4b之浓度。

5. 发明专利

TW419824B 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW419824B
公开(公告)日：2001-01-21
申请号：TW087104347
申请日：1998-03-24
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：大中道崇浩 , 味香夏夫
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/11517 , G11C16/26 , H01L27/115
摘要：本發明之目的是提供非揮發性半導體記憶裝置，即使在低電源電壓時亦可以確保寫入動作和讀出動作之邊限。
本發明之解決手段是在非揮發性半導體記憶裝置l000之記憶單元陣列中設有雙極電品體BTl以其基極連接到2個記憶單元電晶體MC1a和MClb之源極之間之連接點。雙極電晶體 BTl之射極之電位位準被記憶單元SL解碼器132控制。雙極電晶體BTl之集極被保持在接地電位。在讀出動作時控制射極電位使雙極電晶體BTl變成ON狀態，在記憶單元電晶體之通道流動之電流被雙極電晶體BTl放大藉以進行讀出。
简体摘要：本发明之目的是提供非挥发性半导体记忆设备，即使在低电源电压时亦可以确保写入动作和读出动作之边限。本发明之解决手段是在非挥发性半导体记忆设备l000之记忆单元数组中设有双极电品体BTl以其基极连接到2个记忆单元晶体管MC1a和MClb之源极之间之连接点。双极晶体管 BTl之射极之电位位准被记忆单元SL译码器132控制。双极晶体管BTl之集极被保持在接地电位。在读出动作时控制射极电位使双极晶体管BTl变成ON状态，在记忆单元晶体管之信道流动之电流被双极晶体管BTl放大借以进行读出。

6. 发明专利

TW395056B 記憶單元及具備記憶單元之非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：记忆单元及具备记忆单元之非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW395056B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW087100331
申请日：1998-01-07
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：大中道崇浩 , 味香夏夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11517 , G11C16/0433 , H01L27/115
摘要：本發明之目的是提供非揮發性半導體記憶裝置，可以使用低電壓電源以高可靠度進行高速之讀出動作，和可以以低成本製造。
本發明之解決手段是使記憶單元陣列104包含有記憶單元電晶體MC，和與各個記憶單元電晶體對應之單元選擇電晶體MS。記憶單元SG解碼器114將電位供給到與被選擇列對應之單元選擇線ＭL。單元選擇電晶體ＭS依照單元選擇線ＭL之電位，使經由記憶單元電晶體在位元線與源極線之間流動之電流之導通路徑進行開閉。其結果是在讀出動作時，可以抑制流自非選擇之記憶單元電晶體之洩漏電流之影響。
简体摘要：本发明之目的是提供非挥发性半导体记忆设备，可以使用低电压电源以高可靠度进行高速之读出动作，和可以以低成本制造。本发明之解决手段是使记忆单元数组104包含有记忆单元晶体管MC，和与各个记忆单元晶体管对应之单元选择晶体管MS。记忆单元SG译码器114将电位供给到与被选择列对应之单元选择线ＭL。单元选择晶体管ＭS依照单元选择线ＭL之电位，使经由记忆单元晶体管在比特线与源极线之间流动之电流之导通路径进行开闭。其结果是在读出动作时，可以抑制流自非选择之记忆单元晶体管之泄漏电流之影响。

7. 发明专利

TW338193B 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW338193B
公开(公告)日：1998-08-11
申请号：TW086110542
申请日：1997-07-24
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：大中道崇浩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7883 , H01L29/42324
摘要：〔解決之問題〕
提供一種有可能由透納氧化膜之薄膜化來企求低電壓化及低消耗電力化之非揮發性半導體記憶裝置。〔解決手段〕
使用p型多晶矽為浮閘電極5。再者，將透納氧化膜（第一絕緣膜）4之厚度設定為小於10nm之厚度。
简体摘要：〔解决之问题〕提供一种有可能由透纳氧化膜之薄膜化来企求低电压化及低消耗电力化之非挥发性半导体记忆设备。〔解决手段〕使用p型多晶硅为浮闸电极5。再者，将透纳氧化膜（第一绝缘膜）4之厚度设置为小于10nm之厚度。

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