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1. 发明专利

TW200532050A 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW200532050A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW093138792
申请日：2004-12-14
申请人：三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：河野雄一 KAWANO, YUICHI , 島津正 SHIMAZU, TADASHI , 西森年彥 NISHIMORI, TOSHIHIKO , 吉田和人 YOSHIDA, KAZUTO
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01J37/32477 , C23C16/4401
摘要：本發明提供可以抑制粒子產生，同時可以減輕清潔處理之負擔之薄膜製造裝置。為此，在薄膜製造裝置中設置不使薄膜成分黏附到真空腔室(1)之內壁面上之陶瓷製內筒(20)，並使該內筒(20)與真空腔室(1)之接觸面積較小，該薄膜製造裝置為：從氣體噴管(14)將氣體(13)供應到真空腔室(1)之內部，同時對高頻天線(7)供電以使該氣體(13)電漿化，從而在基板(6)上形成薄膜(15)之裝置。
简体摘要：本发明提供可以抑制粒子产生，同时可以减轻清洁处理之负担之薄膜制造设备。为此，在薄膜制造设备中设置不使薄膜成分黏附到真空腔室(1)之内壁面上之陶瓷制内筒(20)，并使该内筒(20)与真空腔室(1)之接触面积较小，该薄膜制造设备为：从气体喷管(14)将气体(13)供应到真空腔室(1)之内部，同时对高频天线(7)供电以使该气体(13)等离子化，从而在基板(6)上形成薄膜(15)之设备。

2. 发明专利

TW200822220A 電漿處理方法及電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW200822220A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096127583
申请日：2007-07-27
申请人：三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：島津正 SHIMAZU, TADASHI , 井上雅彥 INOUE, MASAHIKO , 西森年彥 NISHIMORI, TOSHIHIKO , 河野雄一 KAWANO, YUICHI
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/505 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274
摘要：本發明之目的在於提供可成膜具有高壓縮應力之氮化矽膜之電漿處理方法及電漿處理裝置。為此,在藉含有矽與氫之原料氣體與氮氣之電漿,使氮化矽膜成長在處理對象之基板之電漿處理方法中,在氮化矽膜成長之期間,將切斷原料氣體中之氫與氮氣之鍵狀態之N-H鍵結用之離子能量施加至處理對象之前述基板,以降低氮化矽膜之膜中所含之N-H鍵結量。
简体摘要：本发明之目的在于提供可成膜具有高压缩应力之氮化硅膜之等离子处理方法及等离子处理设备。为此,在藉含有硅与氢之原料气体与氮气之等离子,使氮化硅膜成长在处理对象之基板之等离子处理方法中,在氮化硅膜成长之期间,将切断原料气体中之氢与氮气之键状态之N-H键结用之离子能量施加至处理对象之前述基板,以降低氮化硅膜之膜中所含之N-H键结量。

3. 发明专利

TW200913061A 半導體裝置之製造方法、半導體裝置用絕緣膜及其製造裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、半导体设备用绝缘膜及其制造设备
公开(公告)号：TW200913061A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097120780
申请日：2008-06-04
申请人：三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. , 三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION , 日本觸媒股份有限公司 NIPPON SHOKUBAI CO., LTD.
发明人：藤原敏人 FUJIWARA, TOSHIHITO , 西森年彥 NISHIMORI, TOSHIHIKO , 渡邊俊哉 WATANABE, TOSHIYA , 保田直紀 YASUDA, NAOKI , 信時英治 NOBUTOKI, HIDEHARU , 熊田輝彥 KUMADA, TERUHIKO , 水島千帆 MIZUSHIMA, CHIHO , 神山卓也 KAMIYAMA, TAKUYA , 山本哲也 YAMAMOTO, TETSUYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02118 , C23C16/342 , C23C16/505 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/312 , H01L21/76801
摘要：本發明提供一種具備低介電常數、低漏電流、高機械强度之特性,該等特性之經時變化小,且具耐水性的半導體裝置用絕緣膜及其製造裝置以及使用有該半導體裝置用絕緣膜的半導體裝置之製造方法。該半導體裝置之製造方法包含以下步驟:成膜步驟,將含有載體氣體與使含有硼氮炔骨架系分子之材料氣化而成之原料氣體的混合原料氣體,供給至腔室內,使混合氣體成為電漿狀態,向載置於腔室內之基板施加偏壓,以硼氮炔骨架系分子為基本單元進行氣相聚合,於載置於腔室內之基板上形成半導體裝置用絕緣膜;及反應促進步驟,於成膜步驟之後,將對基板施加之偏壓設為與成膜步驟中之偏壓不同的大小,僅逐漸減少供給使含有硼氮炔骨架系分子之材料氣化而成之原料氣體,利用以載體氣體為主之電漿處理該膜。
简体摘要：本发明提供一种具备低介电常数、低漏电流、高机械强度之特性,该等特性之经时变化小,且具耐水性的半导体设备用绝缘膜及其制造设备以及使用有该半导体设备用绝缘膜的半导体设备之制造方法。该半导体设备之制造方法包含以下步骤:成膜步骤,将含有载体气体与使含有硼氮炔骨架系分子之材料气化而成之原料气体的混合原料气体,供给至腔室内,使混合气体成为等离子状态,向载置于腔室内之基板施加偏压,以硼氮炔骨架系分子为基本单元进行气相聚合,于载置于腔室内之基板上形成半导体设备用绝缘膜;及反应促进步骤,于成膜步骤之后,将对基板施加之偏压设为与成膜步骤中之偏压不同的大小,仅逐渐减少供给使含有硼氮炔骨架系分子之材料气化而成之原料气体,利用以载体气体为主之等离子处理该膜。

4. 发明专利

TWI288186B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI288186B
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：TW093138792
申请日：2004-12-14
申请人：三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：河野雄一 KAWANO, YUICHI , 島津正 SHIMAZU, TADASHI , 西森年彥 NISHIMORI, TOSHIHIKO , 吉田和人 YOSHIDA, KAZUTO
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01J37/32477 , C23C16/4401
摘要：本發明提供可以抑制粒子產生，同時可以減輕清潔處理之負擔之薄膜製造裝置。為此，在薄膜製造裝置中設置不使薄膜成分黏附到真空腔室(1)之內壁面上之陶瓷製內筒(20)，並使該內筒(20)與真空腔室(1)之接觸面積較小，該薄膜製造裝置為：從氣體噴管(14)將氣體(13)供應到真空腔室(1)之內部，同時對高頻天線(7)供電以使該氣體(13)電漿化，從而在基板(6)上形成薄膜(15)之裝置。
简体摘要：本发明提供可以抑制粒子产生，同时可以减轻清洁处理之负担之薄膜制造设备。为此，在薄膜制造设备中设置不使薄膜成分黏附到真空腔室(1)之内壁面上之陶瓷制内筒(20)，并使该内筒(20)与真空腔室(1)之接触面积较小，该薄膜制造设备为：从气体喷管(14)将气体(13)供应到真空腔室(1)之内部，同时对高频天线(7)供电以使该气体(13)等离子化，从而在基板(6)上形成薄膜(15)之设备。

5. 发明专利

TWI253478B 阻障金屬膜生產設備及生產方法、金屬膜生產方法、及金屬膜生產設備 BARRIER METAL FILM PRODUCTION APPARATUS, BARRIER METAL FILM PRODUCTION METHOD, METAL FILM PRODUCTION METHOD, AND METAL FILM PRODUCTION APPARATUS 有权
简体标题：阻障金属膜生产设备及生产方法、金属膜生产方法、及金属膜生产设备 BARRIER METAL FILM PRODUCTION APPARATUS, BARRIER METAL FILM PRODUCTION METHOD, METAL FILM PRODUCTION METHOD, AND METAL FILM PRODUCTION APPARATUS
公开(公告)号：TWI253478B
公开(公告)日：2006-04-21
申请号：TW091124537
申请日：2002-10-23
申请人：三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人： 本仁志 HITOSHI SAKAMOTO , 八幡直樹 YAHATA, NAOKI , 松田龍一 RYUICHI MATSUDA , 大庭義行 OOBA, YOSHIYUKI , 西森年彥 NISHIMORI, TOSHIHIKO
IPC分类号： H05H , C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/7685 , C23C8/36 , C23C16/14 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/4488 , C23C16/452 , C23C16/507 , C23C16/56 , C23F4/00 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76876 , H01L21/76888 , H01L2221/1078
摘要：一Cl2氣體電漿被產生於製程室內之基材及金屬件間的一位置。該金屬件係被以Cl2氣體電漿加以蝕刻，以形成一前驅物。一氮氣被激勵並與收納有該基材的製程室分隔。一金屬氮化物係於激勵氮氣及前驅物之反應下形成並在基材上形成為一薄膜。在金屬氮化物之薄膜形成後，該前驅物的一金屬元素係被形成為在該基材上之金屬氮化物上之一膜。以此方式，一具有優良埋入特性及非常薄的阻障金屬膜可以在高速下生產，並且，金屬之擴散被抑制，同時，對金屬之黏著力也被改良。
進行一表面處理，用以相對於該阻障金屬膜基質內部，降低阻障金屬膜的表面層的氮含量。結果，一氧化物層係形成於該表面上，以改良可濕潤性，及羥基被形成於表面上，以增加親水性。因此，具有優良埋入特性及很小厚度之阻障金屬膜係以高速生產，並具有對金屬有增加之黏著力。
進行一表面處理，用以去除於阻障金屬膜之表面TaN層中之N原子，以降低表面層相對於阻障金屬基質內部的氮含量。結果，金屬層係被實質形成在該表面層上，及實質金屬層及金屬氮化物層係以單一層厚度被形成。以此方式，生產一具有很小厚度之阻障金屬膜，其可防止金屬的擴散並維持對金屬的黏著力，並穩定化金屬配線製程。
简体摘要：一Cl2气体等离子被产生于制程室内之基材及金属件间的一位置。该金属件系被以Cl2气体等离子加以蚀刻，以形成一前驱物。一氮气被激励并与收纳有该基材的制程室分隔。一金属氮化物系于激励氮气及前驱物之反应下形成并在基材上形成为一薄膜。在金属氮化物之薄膜形成后，该前驱物的一金属元素系被形成为在该基材上之金属氮化物上之一膜。以此方式，一具有优良埋入特性及非常薄的阻障金属膜可以在高速下生产，并且，金属之扩散被抑制，同时，对金属之黏着力也被改良。进行一表面处理，用以相对于该阻障金属膜基质内部，降低阻障金属膜的表面层的氮含量。结果，一氧化物层系形成于该表面上，以改良可湿润性，及羟基被形成于表面上，以增加亲水性。因此，具有优良埋入特性及很小厚度之阻障金属膜系以高速生产，并具有对金属有增加之黏着力。进行一表面处理，用以去除于阻障金属膜之表面TaN层中之N原子，以降低表面层相对于阻障金属基质内部的氮含量。结果，金属层系被实质形成在该表面层上，及实质金属层及金属氮化物层系以单一层厚度被形成。以此方式，生产一具有很小厚度之阻障金属膜，其可防止金属的扩散并维持对金属的黏着力，并稳定化金属配线制程。

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