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1. 发明专利

TWI380545B 突波吸收器及其製造方法 SURGE ABSORBER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
简体标题：突波吸收器及其制造方法 SURGE ABSORBER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI380545B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW093105209
申请日：2004-02-27
申请人：三菱綜合材料股份有限公司
发明人：社藤康弘 , 栗原卓 , 尾木剛 , 植田稔晃 , 足立美紀 , 李成圭
IPC分类号： H01T
CPC分类号： H01T4/12
摘要：本發明係具備於周圍經由放電間隙而所分割形成導電性覆膜之絕緣性構件，和與此絕緣性構件對向配置且接觸於導電性覆膜之一對端子電極，和於兩端配置此等一對端子電極且於內部將絶緣性構件與密封氣體一同密封之絶緣性管的突波吸收器，至少於導電性覆膜之端面與端子電極之間，設有導電性部。結果，能夠便宜提供具備穩定之性能及品質與耐久性佳之突波吸收器。
简体摘要：本发明系具备于周围经由放电间隙而所分割形成导电性覆膜之绝缘性构件，和与此绝缘性构件对向配置且接触于导电性覆膜之一对端子电极，和于两端配置此等一对端子电极且于内部将绝缘性构件与密封气体一同密封之绝缘性管的突波吸收器，至少于导电性覆膜之端面与端子电极之间，设有导电性部。结果，能够便宜提供具备稳定之性能及品质与耐久性佳之突波吸收器。

2. 发明专利

TWI378617B 湧浪吸收器有权
简体标题：涌浪吸收器
公开(公告)号：TWI378617B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW093121368
申请日：2004-07-16
申请人：三菱綜合材料股份有限公司
发明人：社藤康弘 , 尾木剛 , 足立美紀 , 李成圭 , 栗原卓 , 植田稔晃
IPC分类号： H01T , H01C
CPC分类号： H01T4/12 , Y10T29/49082 , Y10T29/49107 , Y10T29/49128
摘要：提供一種被覆有在高溫領域下具優異化學性穩定性，且對於主放電電極的附著力優異的氧化物層的湧浪吸收器。
具備中介放電間隙(2)而分割形成有導電性被膜(3)的圓柱狀陶瓷(4)，及相對向配置於圓柱狀陶瓷的兩端且接觸於導電性被膜(3)的一對主放電電極構件(5)，及配置一對主放電電極構件(5)成為相對向而將圓柱狀陶瓷(4)與密封氣體(6)一起密封於內部的筒型陶瓷(7)；在一對主放電電極構件(5)的至少突出支持部(9)的相對向的一面的主放電面(9A)形成有依氧化處理的氧化膜(9B)。
简体摘要：提供一种被覆有在高温领域下具优异化学性稳定性，且对于主放电电极的附着力优异的氧化物层的涌浪吸收器。具备中介放电间隙(2)而分割形成有导电性被膜(3)的圆柱状陶瓷(4)，及相对向配置于圆柱状陶瓷的两端且接触于导电性被膜(3)的一对主放电电极构件(5)，及配置一对主放电电极构件(5)成为相对向而将圆柱状陶瓷(4)与密封气体(6)一起密封于内部的筒型陶瓷(7)；在一对主放电电极构件(5)的至少突出支持部(9)的相对向的一面的主放电面(9A)形成有依氧化处理的氧化膜(9B)。

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