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    • 8. 发明专利
    • 使用不連續雷射刻劃線之方法及結構
    • 使用不连续激光刻划线之方法及结构
    • TW201330082A
    • 2013-07-16
    • TW101146041
    • 2012-12-07
    • ESI派羅弗特尼克斯雷射股份有限公司ESI-PYROPHOTONICS LASERS INC.
    • 瑞考 馬修REKOW, MATTHEW
    • H01L21/304H01L31/042
    • H01L31/022425H01L21/42H01L31/022458H01L31/046H01L31/0463Y02E10/50
    • 一種薄膜光伏打裝置包括一基板及一耦接至該基板之第一導電層。該第一導電層包括延伸穿過該第一導電層之一第一部分至該基板之一部分的至少一個第一凹槽。該裝置亦包括耦接至該第一導電層之一剩餘部分及該基板之該部分的至少一個半導體層。該至少一個半導體層包括複數個不重疊通孔,各通孔延伸穿過該至少一個半導體層之一部分至該第一導電層之一部分。該裝置進一步包括一耦接至該至少一個半導體層之一剩餘部分及該第一導電層之各部分的第二導電層。該第二導電層包括延伸穿過該第二導電層之一部分至該至少一個半導體層之一部分的至少一個第二凹槽。
    • 一种薄膜光伏打设备包括一基板及一耦接至该基板之第一导电层。该第一导电层包括延伸穿过该第一导电层之一第一部分至该基板之一部分的至少一个第一凹槽。该设备亦包括耦接至该第一导电层之一剩余部分及该基板之该部分的至少一个半导体层。该至少一个半导体层包括复数个不重叠通孔,各通孔延伸穿过该至少一个半导体层之一部分至该第一导电层之一部分。该设备进一步包括一耦接至该至少一个半导体层之一剩余部分及该第一导电层之各部分的第二导电层。该第二导电层包括延伸穿过该第二导电层之一部分至该至少一个半导体层之一部分的至少一个第二凹槽。