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1. 发明专利

TWI572942B 用於提供液晶顯示面板經偏極補償之多光譜雷射修補的系統及方法有权
简体标题：用于提供液晶显示皮肤经偏极补偿之多光谱激光修补的系统及方法
公开(公告)号：TWI572942B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW103105465
申请日：2014-02-19
申请人：電子科學工業股份有限公司 , ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：可丁尼詹姆士 , CORDINGLEY, JAMES
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/1362
CPC分类号： G01N21/95 , G02F1/1309 , G02F1/133514 , G02F2201/508

2. 发明专利

TW200534947A 在均質和非均質基材鑽穿孔的方法 METHODS OF DRILLING THROUGH-HOLES IN HOMOGENOUS AND NON-HOMOGENEOUS SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：在均质和非均质基材钻穿孔的方法 METHODS OF DRILLING THROUGH-HOLES IN HOMOGENOUS AND NON-HOMOGENEOUS SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200534947A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW093110858
申请日：2004-04-19
申请人：電子科學工業股份有限公司 ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：約翰達維農 DAVIGNON, JOHN J. , 類維生 LEI, WEISHENG
IPC分类号： B23K
摘要：本發明揭示一種相異直徑孔洞之鑽孔方法，已改善主要表面品質之穿孔(14)係藉著該方法形成在一目標材料(8)中，該方法涉及鑽出一直徑少於該穿孔之想要直徑之定位孔(10)，及然後鑽出一具有該想要直徑之穿孔。該定位孔形成一通道，而於雷射鑽孔期間所產生之熱能可由該通道擴散進入該環境，藉此減少擴散進入該周圍目標材料基質之熱能數量及對目標材料基質之受熱影響區之熱損壞程度。該定位孔亦形成一通道，而所燒蝕之目標材料可經過該通道移除，藉此增加整個穿孔產量。定位孔之形成減少形成該穿孔剩餘部份所需之熱能，並藉此對該周圍之目標材料基質導致更少之熱損壞。
简体摘要：本发明揭示一种相异直径孔洞之钻孔方法，已改善主要表面品质之穿孔(14)系借着该方法形成在一目标材料(8)中，该方法涉及钻出一直径少于该穿孔之想要直径之定位孔(10)，及然后钻出一具有该想要直径之穿孔。该定位孔形成一信道，而于激光钻孔期间所产生之热能可由该信道扩散进入该环境，借此减少扩散进入该周围目标材料基质之热能数量及对目标材料基质之受热影响区之热损坏程度。该定位孔亦形成一信道，而所烧蚀之目标材料可经过该信道移除，借此增加整个穿孔产量。定位孔之形成减少形成该穿孔剩余部份所需之热能，并借此对该周围之目标材料基质导致更少之热损坏。

3. 发明专利

TW201502649A 用於提供液晶顯示面板經偏極補償之多光譜雷射修補的系統及方法审中-公开
简体标题：用于提供液晶显示皮肤经偏极补偿之多光谱激光修补的系统及方法
公开(公告)号：TW201502649A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103105465
申请日：2014-02-19
申请人：電子科學工業股份有限公司 , ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：可丁尼詹姆士 , CORDINGLEY, JAMES
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/1362
CPC分类号： G01N21/95 , G02F1/1309 , G02F1/133514 , G02F2201/508
摘要：一種用來修補包含偏光膜的液晶顯示面板的系統被揭示。該系統包括一雷射修補光學系統、一測量光學系統、及一處理器。該雷射修補光學系統包括一偏極單元，用來修改一沿著一朝向工件導引的雷射輸出路徑的雷射修補光束的偏極。該測量光學系統包括一照明源，用來沿著一測量照明路徑提供測量照明，及一用來偵測被反射的測量照明之偵測器。該處理器調整該偏極單元以回應該被反射的測量照明。
简体摘要：一种用来修补包含偏光膜的液晶显示皮肤的系统被揭示。该系统包括一激光修补光学系统、一测量光学系统、及一处理器。该激光修补光学系统包括一偏极单元，用来修改一沿着一朝向工件导引的激光输出路径的激光修补光束的偏极。该测量光学系统包括一照明源，用来沿着一测量照明路径提供测量照明，及一用来侦测被反射的测量照明之侦测器。该处理器调整该偏极单元以回应该被反射的测量照明。

4. 发明专利

TWI428970B 超短雷射脈衝之晶圓刻劃方法有权
简体标题：超短激光脉冲之晶圆刻划方法
公开(公告)号：TWI428970B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW096118204
申请日：2007-05-22
申请人：電子科學工業股份有限公司 , ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：傑佛瑞亞伯洛 , ALBELO, JEFFREY A. , 彼得皮洛葛夫斯基 , PIROGOVSKY, PETER
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： B23K26/364 , B23K26/0624 , B23K26/384 , B23K26/386 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50

5. 发明专利

TW200809938A 超短雷射脈衝之晶圓刻劃方法 ULTRASHORT LASER PULSE WAFER SCRIBING 审中-公开
简体标题：超短激光脉冲之晶圆刻划方法 ULTRASHORT LASER PULSE WAFER SCRIBING
公开(公告)号：TW200809938A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096118204
申请日：2007-05-22
申请人：電子科學工業股份有限公司 ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：傑佛瑞亞伯洛 ALBELO, JEFFREY A. , 彼得皮洛葛夫斯基 PIROGOVSKY, PETER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/364 , B23K26/0624 , B23K26/384 , B23K26/386 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50
摘要：一種用短雷射脈衝來刻劃(scribing)晶圓(200)用以降低目標物質的剝離(ablation)門檻値的系統及方法被提供。在一疊物質層(202,204,206,208)中,一根據雷射脈衝寬度的最小雷射剝離門檻値可針對每一層(202,204,206,208)來決定。該等最小雷射剝離門檻値中的最大者被選取且一或多雷射脈衝的光束被產生,其具有一範圍是在該被選取的雷射剝離門檻値與該被選取的雷射剝離門檻値的十倍之間之注量(fluence)。在一實施例中,使用的雷射脈衝寬度是在約0.1微微秒(picosecond)至約1000微微秒的範圍內。此外,或在另一實施例中,一高脈衝重複頻率被選取用以提高刻劃速度。在一實施例中,該脈衝重複頻率是在約100kHz至約100MHz的範圍之間。
简体摘要：一种用短激光脉冲来刻划(scribing)晶圆(200)用以降低目标物质的剥离(ablation)门槛値的系统及方法被提供。在一叠物质层(202,204,206,208)中,一根据激光脉冲宽度的最小激光剥离门槛値可针对每一层(202,204,206,208)来决定。该等最小激光剥离门槛値中的最大者被选取且一或多激光脉冲的光束被产生,其具有一范围是在该被选取的激光剥离门槛値与该被选取的激光剥离门槛値的十倍之间之注量(fluence)。在一实施例中,使用的激光脉冲宽度是在约0.1微微秒(picosecond)至约1000微微秒的范围内。此外,或在另一实施例中,一高脉冲重复频率被选取用以提高刻划速度。在一实施例中,该脉冲重复频率是在约100kHz至约100MHz的范围之间。

6. 发明专利

TW200802583A 使用短脈衝之紅外線雷射晶圓刻劃方法 INFRARED LASER WAFER SCRIBING USING SHORT PULSES 审中-公开
简体标题：使用短脉冲之红外线激光晶圆刻划方法 INFRARED LASER WAFER SCRIBING USING SHORT PULSES
公开(公告)号：TW200802583A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096118205
申请日：2007-05-22
申请人：電子科學工業股份有限公司 ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：詹姆士歐布萊恩 O'BRIEN, JAMES N. , 彼得皮洛葛夫斯基 PIROGOVSKY, PETER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/38 , B23K26/0624 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50
摘要：用於切割晶圓(300)的系統及方法被提供,用來有效率地剝離鈍態/封包層(passivation/encapulationlayer)(302,304)同時減少或消除在該鈍態/封包層中之碎屑及裂痕。短雷射脈衝被用來提供高的波峰功率並降低剝離門檻値。在一實施例中,刻劃是用一q開關CO2雷射來實施的。
简体摘要：用于切割晶圆(300)的系统及方法被提供,用来有效率地剥离钝态/封包层(passivation/encapulationlayer)(302,304)同时减少或消除在该钝态/封包层中之碎屑及裂痕。短激光脉冲被用来提供高的波峰功率并降低剥离门槛値。在一实施例中,刻划是用一q开关CO2激光来实施的。

7. 发明专利

TWI608886B 用於提供聲光束偏轉器與聲光調變器使用期間之溫度穩定性之系統與方法有权
简体标题：用于提供声光束偏转器与声光调制器使用期间之温度稳定性之系统与方法
公开(公告)号：TWI608886B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW101124282
申请日：2012-07-05
申请人：電子科學工業股份有限公司 , ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：可丁尼詹姆士 , CORDINGLEY, JAMES , 梅特斯夫丁米翠 , MALTSEV, DIMITRY
IPC分类号： B23K26/02 , G02F1/11 , G02F1/33
CPC分类号： G02F1/33 , G02F1/113 , G02F2203/21

8. 发明专利

TWI313206B 相異直徑孔洞之鑽孔方法 A DIFFERENTIAL DIAMETER HOLE DRILLING METHOD 有权
简体标题：相异直径孔洞之钻孔方法 A DIFFERENTIAL DIAMETER HOLE DRILLING METHOD
公开(公告)号：TWI313206B
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW093110858
申请日：2004-04-19
申请人：電子科學工業股份有限公司 ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：約翰達維農 DAVIGNON, JOHN J. , 類維生 LEI, WEISHENG
IPC分类号： B23K
摘要：本發明揭示一種相異直徑孔洞之鑽孔方法,已改善主要表面品質之穿孔(14)係藉著該方法形成在一目標材料(8)中,該方法涉及鑽出一直徑少於該穿孔之想要直徑之定位孔(10),及然後鑽出一具有該想要直徑之穿孔。
該定位孔形成一通道,而於雷射鑽孔期間所產生之熱能可由該通道擴散進入該環境,藉此減少擴散進入該周圍目標材料基質之熱能數量及對目標材料基質之受熱影響區之熱損壞程度。該定位孔亦形成一通道,而所燒蝕之目標材料可經過該通道移除,藉此增加整個穿孔產量。定位孔之形成減少形成該穿孔剩餘部份所需之熱能,並藉此對該周圍之目標材料基質導致更少之熱損壞。
简体摘要：本发明揭示一种相异直径孔洞之钻孔方法,已改善主要表面品质之穿孔(14)系借着该方法形成在一目标材料(8)中,该方法涉及钻出一直径少于该穿孔之想要直径之定位孔(10),及然后钻出一具有该想要直径之穿孔。该定位孔形成一信道,而于激光钻孔期间所产生之热能可由该信道扩散进入该环境,借此减少扩散进入该周围目标材料基质之热能数量及对目标材料基质之受热影响区之热损坏程度。该定位孔亦形成一信道,而所烧蚀之目标材料可经过该信道移除,借此增加整个穿孔产量。定位孔之形成减少形成该穿孔剩余部份所需之热能,并借此对该周围之目标材料基质导致更少之热损坏。

9. 发明专利

TWI415180B 使用短脈衝之紅外線雷射晶圓刻劃方法有权
简体标题：使用短脉冲之红外线激光晶圆刻划方法
公开(公告)号：TWI415180B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW096118205
申请日：2007-05-22
申请人：電子科學工業股份有限公司 , ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：詹姆士歐布萊恩 , O'BRIEN, JAMES N. , 彼得皮洛葛夫斯基 , PIROGOVSKY, PETER
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B23K26/38 , B23K26/0624 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50

10. 发明专利

TW200908153A 使用橫向分佈在掃描窗中之雷射脈衝以處理半導體結構的系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR STRUCTURES USING LASER PULSES LATERALLY DISTRIBUTED IN A SCANNING WINDOW 审中-公开
简体标题：使用横向分布在扫描窗中之激光脉冲以处理半导体结构的系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR STRUCTURES USING LASER PULSES LATERALLY DISTRIBUTED IN A SCANNING WINDOW
公开(公告)号：TW200908153A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097110364
申请日：2008-03-24
申请人：電子科學工業股份有限公司 ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：凱利布魯倫 BRULAND, KELLY J. , 馬克昂瑞斯 UNRATH, MARK A. , 道格拉斯荷格蘭 HOLMGREN, DOUGLAS E.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K2201/40
摘要：使用一序列的雷射脈衝,處理在一半導體基板之上或其中之結構的系統及方法。在一實施例中,一偏轉器係組態以將該等雷射脈衝選擇地偏轉至一處理窗中。該處理窗係在該半導體基板上掃描,使得複數之橫向間隔列的結構,同時地通過該處理窗。隨著處理窗掃描,該偏轉器將該序列的雷射脈衝選擇地偏轉至該處理窗中的該等橫向間隔列之中。因此,複數列的結構可在一單一掃描中被處理。
简体摘要：使用一串行的激光脉冲,处理在一半导体基板之上或其中之结构的系统及方法。在一实施例中,一偏转器系组态以将该等激光脉冲选择地偏转至一处理窗中。该处理窗系在该半导体基板上扫描,使得复数之横向间隔列的结构,同时地通过该处理窗。随着处理窗扫描,该偏转器将该串行的激光脉冲选择地偏转至该处理窗中的该等横向间隔列之中。因此,复数列的结构可在一单一扫描中被处理。

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