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1. 发明专利

TW451086B 橢圓狀共振裝置失效
简体标题：椭圆状共振设备
公开(公告)号：TW451086B
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：TW089109729
申请日：2000-05-30
申请人：那諾維遜科技股份有限公司 , 西北大學
发明人：秦蜜可 , 侯杉桐
IPC分类号： G02B , G02F
CPC分类号： G02F1/3132 , G02B6/12007 , G02B6/29326 , G02B2006/12109 , G02B2006/12145 , G02B2006/12164 , G02F1/0147 , G02F2203/055
摘要：一橢圓狀共振裝置，其包含一橢圓共振器，該橢圓共振器具有直條部份，以對外部送進之訊號加以耦合，其中該直條部份能將一被耦合訊號之相位不匹配的情況減至最小。該橢圓共振裝置可用於各種不同的裝置中，如通道下降(channel dropping)濾波器、切換器、可調濾波器、相位調變器及一lxN多工器/解多工器。
简体摘要：一椭圆状共振设备，其包含一椭圆共振器，该椭圆共振器具有直条部份，以对外部送进之信号加以耦合，其中该直条部份能将一被耦合信号之相位不匹配的情况减至最小。该椭圆共振设备可用于各种不同的设备中，如信道下降(channel dropping)滤波器、切换器、可调滤波器、相位调制器及一lxN多任务器/解多任务器。

2. 发明专利

TW508461B 局部熱調整之環諧振器失效
简体标题：局部热调整之环谐振器
公开(公告)号：TW508461B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW089124827
申请日：2000-11-22
申请人：那諾維遜科技股份有限公司
发明人：卡德黑阿漢買力 , 克里斯多佛T 尤特西
IPC分类号： G02B , G02F
CPC分类号： G02B6/29343 , G02B6/12007 , G02B6/29395 , G02F1/011 , G02F1/0147 , G02F1/3133 , G02F2203/055 , G02F2203/15
摘要：一種可進行熱調整之諧振器，其包含一諧振器主體，該諧振器主體具有一諧振波長，且該諧振波長係以溫度之函數加以變化；一溝槽，其形成於該諧振器主體之內部；以及一盤狀物，其形成於該溝槽之內部，且該盤狀物係由半導體膜層所構成，該等膜層被摻雜而形成一正向偏壓接面。第一電極係位於該盤狀物之頂部，並與該正向偏壓接面作電性接觸，該第一電極並未覆蓋該諧振器主體；第二電極係位於該正向偏壓接面之下方，並與該正向偏壓接面作電性接觸。當電流通過該等電極時，會產生熱而改變該諧振器主體的諧振波長。另一種可進行熱調整之諧振器具有一諧振器主體及一加熱器，其中兩接觸墊係與該諧振器主體之上方的電阻器作電性接觸。當電流通過該電阻器時，會產生熱而改變該諧振器主體的諧振波長。一溫度感應器可用於感應該諧振器主體的溫度。
简体摘要：一种可进行热调整之谐振器，其包含一谐振器主体，该谐振器主体具有一谐振波长，且该谐振波长系以温度之函数加以变化；一沟槽，其形成于该谐振器主体之内部；以及一盘状物，其形成于该沟槽之内部，且该盘状物系由半导体膜层所构成，该等膜层被掺杂而形成一正向偏压接面。第一电极系位于该盘状物之顶部，并与该正向偏压接面作电性接触，该第一电极并未覆盖该谐振器主体；第二电极系位于该正向偏压接面之下方，并与该正向偏压接面作电性接触。当电流通过该等电极时，会产生热而改变该谐振器主体的谐振波长。另一种可进行热调整之谐振器具有一谐振器主体及一加热器，其中两接触垫系与该谐振器主体之上方的电阻器作电性接触。当电流通过该电阻器时，会产生热而改变该谐振器主体的谐振波长。一温度感应器可用于感应该谐振器主体的温度。

3. 发明专利

TW499586B 具有一可移動相移器之可調諧振器失效
简体标题：具有一可移动相移器之可调谐振器
公开(公告)号：TW499586B
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：TW089124835
申请日：2000-11-22
申请人：那諾維遜科技股份有限公司
发明人：裘斯L 吉米尼茲
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/29338 , G02B6/29343 , G02B6/29395 , G02B6/3528 , G02B6/3596 , G02F1/011 , G02F2203/05 , G02F2203/15
摘要：一種具有非連續波導器之光學諧振器，該波導器具有第一及第二相反面對的端面，並在端面之間界定一區域，且經由該波導器界定一連續光學路徑。該光學諧振器可被調整至一特定的諧振波長，其係藉由在該第一及第二端面之間的區域中提供一相移器，並將該相移器加以定位而使一傳遞通過該波導器且沿著該光學路徑的光學訊號產生一相位偏移。一種用於達成此種相位偏移效果的方法。
简体摘要：一种具有非连续波导器之光学谐振器，该波导器具有第一及第二相反面对的端面，并在端面之间界定一区域，且经由该波导器界定一连续光学路径。该光学谐振器可被调整至一特定的谐振波长，其系借由在该第一及第二端面之间的区域中提供一相移器，并将该相移器加以定位而使一传递通过该波导器且沿着该光学路径的光学信号产生一相位偏移。一种用于达成此种相位偏移效果的方法。

4. 发明专利

TW469353B 奈米級光定向耦合裝置失效
简体标题：奈米级光定向耦合设备
公开(公告)号：TW469353B
公开(公告)日：2001-12-21
申请号：TW089109726
申请日：2000-05-30
申请人：那諾維遜科技股份有限公司 , 西北大學
发明人：秦蜜可 , 侯杉桐
IPC分类号： G02B , G02F
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/125 , G02B2006/12109 , G02B2006/12145 , G02B2006/12147 , G02B2006/12164 , G02F1/0147 , G02F1/3132 , G02F2203/055
摘要：揭示者為一奈米級光定向耦合裝置，以能從一波導將光轉移至一第二波導，該定向耦合裝置的尺寸參數範圍相當小，並可傳輸橫向電極化光(TE)及橫向磁極化光(TM)於其中。
简体摘要：揭示者为一奈米级光定向耦合设备，以能从一波导将光转移至一第二波导，该定向耦合设备的尺寸参数范围相当小，并可传输横向电极化光(TE)及横向磁极化光(TM)于其中。

5. 发明专利

TW455702B 具一可移動調諧元件之可調法布里-珀羅濾波器失效
简体标题：具一可移动调谐组件之可调法布里-珀罗滤波器
公开(公告)号：TW455702B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW089124829
申请日：2000-11-22
申请人：那諾維遜科技股份有限公司
发明人：卡德黑阿漢買力 , 羅登D 鍾斯
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/29395 , G01J3/26 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/29358 , G02B6/3512 , G02B6/3552 , G02B6/3582 , G02B6/3596 , G02B2006/12109
摘要：一種光學濾波器，其過濾一通過其間的光學訊號,該光學濾波器包含一第一波導器及一第二波導器，該第一波導器具有一核心及部分反射的第一面，且該核心界定一通過該第一波導器的光學路徑，而該第二波導器具有一核心及部分反射的第二面，且該核心界定一通過該第二波導器的光學路徑，其中通過該第一波導器的光學路徑係與通過該第二波導器的光學路徑同軸，該第一及第二波導器係藉由一界定於兩者之間的溝槽而被分開,該第一及第二面在兩者之間界定一法布里-珀羅空腔。一調諧元件配置於該第一及第二波導器之間的溝槽中，並可選擇性地在第一位置與第二位置之間移動而改變該法布里-珀羅空腔的光學長度。
简体摘要：一种光学滤波器，其过滤一通过其间的光学信号,该光学滤波器包含一第一波导器及一第二波导器，该第一波导器具有一内核及部分反射的第一面，且该内核界定一通过该第一波导器的光学路径，而该第二波导器具有一内核及部分反射的第二面，且该内核界定一通过该第二波导器的光学路径，其中通过该第一波导器的光学路径系与通过该第二波导器的光学路径同轴，该第一及第二波导器系借由一界定于两者之间的沟槽而被分开,该第一及第二面在两者之间界定一法布里-珀罗空腔。一调谐组件配置于该第一及第二波导器之间的沟槽中，并可选择性地在第一位置与第二位置之间移动而改变该法布里-珀罗空腔的光学长度。

6. 发明专利

TW484186B 在磷化銦半導體上形成平坦結構的方法有权
简体标题：在磷化铟半导体上形成平坦结构的方法
公开(公告)号：TW484186B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW089120139
申请日：2000-09-28
申请人：那諾維遜科技股份有限公司
发明人：湯瑪斯E 皮爾森 , 克里斯多佛T 尤特西
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30621
摘要：本發明是一半導體乾式蝕刻技術，提供磷化鋼材料一深入、平坦(均方根粗糙度小於5nm)且垂直的蝕刻製程，即使用一氯化氣體電漿加上氫氣的ICPRIE系統。其中還包含鈍氣如氮氣或氫氣或兩者都有。為了在平坦表面上生成較高的非等向性，加入氫氣的氣體體積流率最好超過氯化氣體的體積流率(單位：sccm)，其比例應大於1：1。本發明提供一改善的磷化銅半導體乾式蝕刻製程，由改良的平坦表面及高蝕刻速率產生深刻且垂直的蝕刻側面。
简体摘要：本发明是一半导体干式蚀刻技术，提供磷化钢材料一深入、平坦(均方根粗糙度小于5nm)且垂直的蚀刻制程，即使用一氯化气体等离子加上氢气的ICPRIE系统。其中还包含钝气如氮气或氢气或两者都有。为了在平坦表面上生成较高的非等向性，加入氢气的气体体积流率最好超过氯化气体的体积流率(单位：sccm)，其比例应大于1：1。本发明提供一改善的磷化铜半导体干式蚀刻制程，由改良的平坦表面及高蚀刻速率产生深刻且垂直的蚀刻侧面。

7. 发明专利

TW440721B 光跨接裝置有权
简体标题：光跨接设备
公开(公告)号：TW440721B
公开(公告)日：2001-06-16
申请号：TW089109727
申请日：2000-05-30
申请人：那諾維遜科技股份有限公司 , 西北大學
发明人：秦蜜可 , 侯杉桐
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02F1/3132 , G02B6/12007 , G02B6/29326 , G02B2006/12109 , G02B2006/12145 , G02B2006/12164 , G02F1/0147 , G02F2203/055
摘要：一種光跨接裝置，包含M個第一波導管(waveguide)與N個第二波導管。第二波導管與第一波導管相交於每一個相交點皆被定義的節點。至少一切換元件(switching element)(最好為卵形共振器)被配置在與每一個節點相鄰的位置，以選擇性地在波導管之間傳輸部分的訊號。為了減低訊號之間的線路(串話)干擾(cross-talk)，波導管在節點與鄰近節點的位置被加大，以減低訊號的繞射。
简体摘要：一种光跨接设备，包含M个第一波导管(waveguide)与N个第二波导管。第二波导管与第一波导管相交于每一个相交点皆被定义的节点。至少一切换组件(switching element)(最好为卵形共振器)被配置在与每一个节点相邻的位置，以选择性地在波导管之间传输部分的信号。为了减低信号之间的线路(串话)干扰(cross-talk)，波导管在节点与邻近节点的位置被加大，以减低信号的绕射。

8. 发明专利

TW506006B 在反應性離子蝕刻系統、電子迴旋共振反應性離子蝕刻系統及化學促進性離子束蝕刻系統中蝕刻Ⅲ-Ⅴ族半導體之製程失效
简体标题：在反应性离子蚀刻系统、电子回旋共振反应性离子蚀刻系统及化学促进性离子束蚀刻系统中蚀刻Ⅲ-Ⅴ族半导体之制程
公开(公告)号：TW506006B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090104770
申请日：2001-05-31
申请人：那諾維遜科技股份有限公司 , 西北大學
发明人：湯瑪斯E 皮爾森 , 克里斯多佛T 尤特西 , 侯杉桐 , 朴聖進
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30621
摘要：一種半導體乾式蝕刻製程，其在氯化電漿中加入氮氣，因此得以對磷化銦相關材料加以深度、平滑及垂直蝕刻。磷化銦相關半導體材料在利用適當的氯氣/氮氣混合物，並在不加以其它氣體的條件下進行蝕刻時能夠得到較佳之表面形態(morphology)、非等向性及蝕刻速率。
简体摘要：一种半导体干式蚀刻制程，其在氯化等离子中加入氮气，因此得以对磷化铟相关材料加以深度、平滑及垂直蚀刻。磷化铟相关半导体材料在利用适当的氯气/氮气混合物，并在不加以其它气体的条件下进行蚀刻时能够得到较佳之表面形态(morphology)、非等向性及蚀刻速率。

9. 发明专利

TW503329B 具一平面波導及一擋板致動器的光切換器失效
简体标题：具一平面波导及一挡板致动器的光切换器
公开(公告)号：TW503329B
公开(公告)日：2002-09-21
申请号：TW089124833
申请日：2000-11-22
申请人：那諾維遜科技股份有限公司
发明人：卡德黑阿漢買力 , 羅登D 鍾斯
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/3596 , G02B6/3512 , G02B6/3514 , G02B6/3546 , G02B6/355
摘要：一種光切換器，其具有一輸入波導及兩輸出波導，並由一溝槽加以分開，且配置於該溝槽周圍。輸入波導與第一輸出波導分別具有由各自的核心所界定的光學路徑；該等光學路徑(及核心)大致彼此同軸。彼等波導亦由一溝槽加以分開，在該溝槽當中具有介質，且該介質之折射率不同於該等波導之折射率。即使當光學訊號從輸入波導傳遞到第一或第二輸出波導時將經歷不同的折射率，由於輸入波導、第一輸出波導及第二輸出波導分開的距離，因此不會影響光學訊號從輸入波導傳遞到第一或第二輸出波導的傳輸特性。輸入波導及第二輸出波導大致排列在溝槽的同一側，以使得從輸入波導通過第二輸出波導的光學訊號不會完全穿過該溝槽。因此，即使從輸入波導通過任一輸出波導的光學訊號必須完全穿過溝槽，該光學訊號在波導之間必須行經的距離仍然足夠小，而不會影響該訊號的光學傳輸特性。
简体摘要：一种光切换器，其具有一输入波导及两输出波导，并由一沟槽加以分开，且配置于该沟槽周围。输入波导与第一输出波导分别具有由各自的内核所界定的光学路径；该等光学路径(及内核)大致彼此同轴。彼等波导亦由一沟槽加以分开，在该沟槽当中具有介质，且该介质之折射率不同于该等波导之折射率。即使当光学信号从输入波导传递到第一或第二输出波导时将经历不同的折射率，由于输入波导、第一输出波导及第二输出波导分开的距离，因此不会影响光学信号从输入波导传递到第一或第二输出波导的传输特性。输入波导及第二输出波导大致排列在沟槽的同一侧，以使得从输入波导通过第二输出波导的光学信号不会完全穿过该沟槽。因此，即使从输入波导通过任一输出波导的光学信号必须完全穿过沟槽，该光学信号在波导之间必须行经的距离仍然足够小，而不会影响该信号的光学传输特性。

10. 发明专利

TW479387B 具有弱侷限波導區段與强侷限波導區段、並以錐形頸對該兩區段加以光學接合之光波導失效
简体标题：具有弱局限波导区段与强局限波导区段、并以锥形颈对该两区段加以光学接合之光波导
公开(公告)号：TW479387B
公开(公告)日：2002-03-11
申请号：TW089124828
申请日：2000-11-22
申请人：那諾維遜科技股份有限公司
发明人：卡德黑阿漢買力 , 克里斯多佛T 尤特西
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G02B6/26 , G02B6/1228 , G02B6/305 , G02B2006/12195
摘要：一種光波導，包含一第一波導區段，對該光訊號具有弱侷限能力，即將該光訊號侷限在一大致與該傳輸方向垂直之方向中；一第二波導區段，對該光訊號具有強侷限能力，即將該光訊號侷限在相對於傳輸方向的所有方向中；一漸細形頸，位於該第一及第二波導區段之間，以光學方式將該第一及第二波導區段耦合在一塊；及一軸蕊，貫穿於該第一、第二波導區段及漸細形頸中，而通過該軸蕊之光訊號可在傳輸方向中行進。此外，本發明還揭示一種製造該種光波導的方法。
简体摘要：一种光波导，包含一第一波导区段，对该光信号具有弱局限能力，即将该光信号局限在一大致与该传输方向垂直之方向中；一第二波导区段，对该光信号具有强局限能力，即将该光信号局限在相对于传输方向的所有方向中；一渐细形颈，位于该第一及第二波导区段之间，以光学方式将该第一及第二波导区段耦合在一块；及一轴蕊，贯穿于该第一、第二波导区段及渐细形颈中，而通过该轴蕊之光信号可在传输方向中行进。此外，本发明还揭示一种制造该种光波导的方法。

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