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1. 发明专利

TW201704144A 多溝槽半導體裝置审中-公开
简体标题：多沟槽半导体设备
公开(公告)号：TW201704144A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104128691
申请日：2015-08-31
申请人：達爾科技股份有限公司 , DIODES INCORPORATED
发明人：顧昀浦 , KU, YUN PU , 莊喬舜 , CHUANG, CHIAO SHUN , 黃正鑫 , HUANG, CHENG-CHIN
IPC分类号： B81B7/04 , B81C1/00
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/0878 , H01L29/407 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/861
摘要：具有經改良RDSON及BV效能的一MOSFET裝置或一整流器裝置具有安置於一半導體晶片中之場板溝槽的一重複圖案。該半導體晶片包含一經摻雜磊晶層，其中摻雜劑濃度從晶片表面的頂部朝向該晶片的底部逐漸降低。該經摻雜磊晶層可包含具有不同摻雜劑濃度之磊晶層的階層且該等場板溝槽各自終止於該階層中的一預定點處。
简体摘要：具有经改良RDSON及BV性能的一MOSFET设备或一整流器设备具有安置于一半导体芯片中之场板沟槽的一重复图案。该半导体芯片包含一经掺杂磊晶层，其中掺杂剂浓度从芯片表面的顶部朝向该芯片的底部逐渐降低。该经掺杂磊晶层可包含具有不同掺杂剂浓度之磊晶层的阶层且该等场板沟槽各自终止于该阶层中的一预定点处。

2. 发明专利

TW201520863A 應用於電容式觸控面板的抗噪電路审中-公开
简体标题：应用于电容式触摸皮肤的抗噪电路
公开(公告)号：TW201520863A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102142538
申请日：2013-11-21
申请人：上海新進半導體制造有限公司 , SHANGHAI SIM-BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. LTD , 達爾科技股份有限公司 , DIODES TAIWAN INC.
发明人：郭奕宏
IPC分类号： G06F3/044
摘要：一種應用於電容式觸控面板的抗噪電路，該電容式觸控面板具有複數感應矩陣電路，該抗噪電路接設於該些感應矩陣電路的其中之一以接受一觸控訊號，而該抗噪電路包含一時脈輸出單元、一雙重取樣單元、一可變耦合電容以及一積分單元，其中該雙重取樣單元及該積分單元分別受該時脈輸出單元控制，而該可變耦合電容則受一函數訊號控制，藉此，本發明以該雙重取樣單元對該觸控訊號進行採樣，再經該可變耦合電容及該積分單元的作用，濾去該觸控訊號中的雜訊，令該電容式觸控面板的抗噪能力提升，改善該電容式觸控面板的觸控精確度。
简体摘要：一种应用于电容式触摸皮肤的抗噪电路，该电容式触摸皮肤具有复数感应矩阵电路，该抗噪电路接设于该些感应矩阵电路的其中之一以接受一触摸信号，而该抗噪电路包含一时脉输出单元、一双重采样单元、一可变耦合电容以及一积分单元，其中该双重采样单元及该积分单元分别受该时脉输出单元控制，而该可变耦合电容则受一函数信号控制，借此，本发明以该双重采样单元对该触摸信号进行采样，再经该可变耦合电容及该积分单元的作用，滤去该触摸信号中的噪声，令该电容式触摸皮肤的抗噪能力提升，改善该电容式触摸皮肤的触摸精确度。

3. 发明专利

TW201119037A 具有改良之崩潰電壓之溝渠裝置及其製造方法 TRENCH DEVICES HAVING IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGES AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 审中-公开
简体标题：具有改良之崩溃电压之沟渠设备及其制造方法 TRENCH DEVICES HAVING IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGES AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
公开(公告)号：TW201119037A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099106506
申请日：2010-03-05
申请人：達爾科技股份有限公司
发明人：莊喬舜 , 黃正鑫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：在一個實施例中,本發明包含一半導體功率裝置。該半導體功率裝置包括一溝渠式閘極及一溝渠式場區。該溝渠式閘極垂直安置在半導體基板中之溝渠內。該溝渠式場區垂直安置於該溝渠內且位於該溝渠式閘極下方。該溝渠式場區之一下部部分呈錐形以分散一電場。
简体摘要：在一个实施例中,本发明包含一半导体功率设备。该半导体功率设备包括一沟渠式闸极及一沟渠式场区。该沟渠式闸极垂直安置在半导体基板中之沟渠内。该沟渠式场区垂直安置于该沟渠内且位于该沟渠式闸极下方。该沟渠式场区之一下部部分呈锥形以分散一电场。

4. 实用新型

TWM552182U 封裝總成結構件有权
简体标题：封装总成结构件
公开(公告)号：TWM552182U
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW106204869
申请日：2017-04-07
申请人：達爾科技股份有限公司 , DIODES INCORPORATED
发明人：高大為 , KAO, DAVID
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/48247 , H01L2224/73265

5. 发明专利

TWI456893B 具有電壓調節器電路及負壓電源產生器電路之單晶積體電路及低雜訊放大器有权
简体标题：具有电压调节器电路及负压电源产生器电路之单晶集成电路及低噪声放大器
公开(公告)号：TWI456893B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW095140179
申请日：2006-10-31
申请人：達爾科技股份有限公司 , DIODES TAIWAN INC.
发明人：布雷得貝瑞大衛 , BRADBURY, DAVID
IPC分类号： H03F3/04
CPC分类号： H03F1/0238 , H03F1/0261 , H03F1/0277 , H03F1/26 , H03F1/301 , H03F1/523 , H03F3/347 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2203/7206 , H03F2203/7209

6. 发明专利

TWI354876B 可大範圍承受高壓共用之低壓啟動電路有权
简体标题：可大范围承受高压共享之低压启动电路
公开(公告)号：TWI354876B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW096150866
申请日：2007-12-28
申请人：達爾科技股份有限公司
发明人：羅立狄
IPC分类号： G05F
摘要：一種可大範圍承受高壓共用之低壓啟動電路，其主要包括：兩只NP不同極性切換導通之第一開關晶體及第二開關晶體，其兩者的開關接腳互異並接設在電源輸入端及電源輸出端上，其中第一開關晶體的閘極耦接在一穩壓電路的節點上；而第二開關晶體的閘極接在一切換控制單元的節點上；該切換控制單元係包括：一分壓電路由第一、二電阻所構成、一複級式切換控制電路、與一電壓磁滯電路，以及；一工作模組，以對應於由電源輸入端輸入電壓經上述電路，而由電源輸出端獲得輸出電壓；藉此，可有效精簡電路、縮小體積、降低成本，使承受高壓能力大幅明顯提升，增廣工作範圍同時涵蓋低壓及更高的高壓均可啟動，且透過電壓磁滯電路在高低壓頻繁異動的臨界時，猶能保持穩定之供電效果者。
简体摘要：一种可大范围承受高压共享之低压启动电路，其主要包括：两只NP不同极性切换导通之第一开关晶体及第二开关晶体，其两者的开关接脚互异并接设在电源输入端及电源输出端上，其中第一开关晶体的闸极耦接在一稳压电路的节点上；而第二开关晶体的闸极接在一切换控制单元的节点上；该切换控制单元系包括：一分压电路由第一、二电阻所构成、一复级式切换控制电路、与一电压磁滞电路，以及；一工作模块，以对应于由电源输入端输入电压经上述电路，而由电源输出端获得输出电压；借此，可有效精简电路、缩小体积、降低成本，使承受高压能力大幅明显提升，增广工作范围同时涵盖低压及更高的高压均可启动，且透过电压磁滞电路在高低压频繁异动的临界时，犹能保持稳定之供电效果者。

7. 发明专利

TW201121057A 具有肖特基二極體之溝渠金氧半導體裝置及其製造方法 TRENCH MOS DEVICE WITH SCHOTTKY DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 审中-公开
简体标题：具有肖特基二极管之沟渠金属氧化物半导体设备及其制造方法 TRENCH MOS DEVICE WITH SCHOTTKY DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
公开(公告)号：TW201121057A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099106503
申请日：2010-03-05
申请人：達爾科技股份有限公司
发明人：莊喬舜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L27/0727
摘要：在一個實施例中，本發明包括一半導體裝置。該半導體裝置包含一第一半導體區、一第二半導體區及一溝渠區。該第一半導體區具有一第一導電率類型及一第一導電率濃度。該溝渠區包括與該第一半導體區接觸之一金屬層以形成一金屬-半導體接面。該第二半導體區毗鄰於該第一半導體區且具有一第二導電率類型及一第二導電率濃度。該第二半導體區與該第一半導體區形成一PN接面，且該溝渠區具有一深度以使得該金屬-半導體接面靠近於該PN接面。
简体摘要：在一个实施例中，本发明包括一半导体设备。该半导体设备包含一第一半导体区、一第二半导体区及一沟渠区。该第一半导体区具有一第一导电率类型及一第一导电率浓度。该沟渠区包括与该第一半导体区接触之一金属层以形成一金属-半导体接面。该第二半导体区毗邻于该第一半导体区且具有一第二导电率类型及一第二导电率浓度。该第二半导体区与该第一半导体区形成一pn结，且该沟渠区具有一深度以使得该金属-半导体接面靠近于该pn结。

8. 发明专利

TW202004923A 用於連續導通模式操作之開關模式電源供應器审中-公开
简体标题：用于连续导通模式操作之开关模式电源供应器
公开(公告)号：TW202004923A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW107141543
申请日：2018-11-21
申请人：美商達爾科技股份有限公司 , DIODES INCORPORATED
发明人：黃品豪 , HUANG, PIN-HAO , 張振富 , CHANG, CHENGFU , 劉權德 , LIU, CHUANTE
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/872
摘要：一種兩端子整流器包含耦合於第一端子與第二端子之間的一電力MOSFET、一本體二極體及一肖特基二極體。該兩端子整流器亦具有耦合於該第一端子與該第二端子之間的一電力管理電路、一電容器、一控制電路及一驅動器電路。該兩端子整流器可以一個兩接腳封裝來實施且可用於一電力轉換器中以進行CCM操作。
简体摘要：一种两端子整流器包含耦合于第一端子与第二端子之间的一电力MOSFET、一本体二极管及一肖特基二极管。该两端子整流器亦具有耦合于该第一端子与该第二端子之间的一电力管理电路、一电容器、一控制电路及一驱动器电路。该两端子整流器可以一个两接脚封装来实施且可用于一电力转换器中以进行CCM操作。

9. 发明专利

TW201703251A 自對準雙溝槽裝置审中-公开
简体标题：自对准双沟槽设备
公开(公告)号：TW201703251A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104126279
申请日：2015-08-12
申请人：達爾科技股份有限公司 , DIODES INCORPORATED
发明人：顧昀浦 , KU, YUN PU , 莊喬舜 , CHUANG, CHIAO SHUN , 黃正鑫 , HUANG, CHENG-CHIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66 , H01L21/822 , G03F1/70
CPC分类号： H01L29/4236
摘要：一電力MOSFET或一電力整流器可係根據本發明來製造以包含一閘極溝槽及一場板溝槽。可使用如本說明書中詳細描述之一兩步驟蝕刻程序來形成兩個溝槽。體現本發明之該等裝置可被製造成具有較高封裝密度及較佳且更緊密分佈的裝置參數(諸如VF、RDSS及BV)。
简体摘要：一电力MOSFET或一电力整流器可系根据本发明来制造以包含一闸极沟槽及一场板沟槽。可使用如本说明书中详细描述之一两步骤蚀刻进程来形成两个沟槽。体现本发明之该等设备可被制造成具有较高封装密度及较佳且更紧密分布的设备参数(诸如VF、RDSS及BV)。

10. 发明专利

TWI552512B 產生無刷直流馬達用之線圈切換信號的方法與系統有权
简体标题：产生无刷直流马达用之线圈切换信号的方法与系统
公开(公告)号：TWI552512B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100149913
申请日：2011-12-30
申请人：達爾科技股份有限公司 , DIODES TAIWAN INC.
发明人：蔡慶裕 , TSAY, CHING-YUH , 紀全鴻 , CHI, CHUAN HUNG
IPC分类号： H02P6/16
CPC分类号： H02P6/16 , H02P6/00 , H02P6/18

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