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1. 发明专利

TWI594336B 絕緣鍵合絲有权
简体标题：绝缘键合丝
公开(公告)号：TWI594336B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105125984
申请日：2016-08-15
申请人：矽格瑪科技有限公司
发明人：黃崧哲 , 廖藝澤
IPC分类号： H01L21/48 , H01B7/02 , H01B13/06

2. 发明专利

TWI538122B 封裝用鍵合絲及其製備方法有权
简体标题：封装用键合丝及其制备方法
公开(公告)号：TWI538122B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103119323
申请日：2014-06-04
申请人：矽格瑪科技有限公司
发明人：黃崧哲 , 殷樹元
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H01L2924/20759 , H01L2924/20758 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033 , H01L2924/01204 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755

3. 发明专利

TW201804000A 金銀合金鍵合絲以及金銀合金鍵合絲之製備方法审中-公开
简体标题：金银合金键合丝以及金银合金键合丝之制备方法
公开(公告)号：TW201804000A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105123834
申请日：2016-07-28
申请人：矽格瑪科技有限公司
发明人：黃崧哲 , 廖藝澤
IPC分类号： C22C5/02 , H01R11/00 , H01L23/49
摘要：本發明係提供一種金銀合金鍵合絲，包含：金銀合金，該金銀合金中金係佔55-82重量百分比，銀係佔18-45重量百分比；鈹，其含量係佔該金銀合金鍵合絲的20-60 ppm；以及鈣，其含量係佔該金銀合金鍵合絲的30-80 ppm。本發明亦提供一種金銀合金鍵合絲之製備方法。本發明之金銀合金鍵合絲以及金銀合金鍵合絲之製備方法係可應用於電子封裝產業。
简体摘要：本发明系提供一种金银合金键合丝，包含：金银合金，该金银合金中金系占55-82重量百分比，银系占18-45重量百分比；铍，其含量系占该金银合金键合丝的20-60 ppm；以及钙，其含量系占该金银合金键合丝的30-80 ppm。本发明亦提供一种金银合金键合丝之制备方法。本发明之金银合金键合丝以及金银合金键合丝之制备方法系可应用于电子封装产业。

4. 发明专利

TW201806038A 絕緣鍵合絲审中-公开
简体标题：绝缘键合丝
公开(公告)号：TW201806038A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105125984
申请日：2016-08-15
申请人：矽格瑪科技有限公司
发明人：黃崧哲 , 廖藝澤
IPC分类号： H01L21/48 , H01B7/02 , H01B13/06
摘要：本發明係提供一種絕緣鍵合絲，包含：一中心母線；以及一第一絕緣膜，其係包覆該中心母線的表面，且其主要成分係為二氧化矽。其中可藉由磁控式濺鍍，使二氧化矽包覆該中心母線的表面，以形成該第一絕緣膜。或藉由溶膠凝膠法，使奈米二氧化矽粒子包覆該第一絕緣膜的表面，以形成該第二絕緣膜。本發明之絕緣鍵合絲適合應用於高密度、小尺寸的封裝技術領域。
简体摘要：本发明系提供一种绝缘键合丝，包含：一中心母线；以及一第一绝缘膜，其系包覆该中心母线的表面，且其主要成分系为二氧化硅。其中可借由磁控式溅镀，使二氧化硅包覆该中心母线的表面，以形成该第一绝缘膜。或借由溶胶凝胶法，使奈米二氧化硅粒子包覆该第一绝缘膜的表面，以形成该第二绝缘膜。本发明之绝缘键合丝适合应用于高密度、小尺寸的封装技术领域。

5. 发明专利

TW201523807A 封裝用鍵合絲及其製備方法审中-公开
简体标题：封装用键合丝及其制备方法
公开(公告)号：TW201523807A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103119323
申请日：2014-06-04
申请人：矽格瑪科技有限公司
发明人：黃崧哲 , 殷樹元
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H01L2924/20759 , H01L2924/20758 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033 , H01L2924/01204 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755
摘要：本發明係關於封裝領域，具體而言，係關於一種封裝用鍵合絲，包括：一中心母線；以及一鈀膜，其中該鈀膜係鍍敷於該中心母線的外表面。以及該中心母線之製備方法，包括：A.製備中心母線；B.採用真空鍍的方式，在該中心母線的外表面鍍上鈀膜；C.將該鍍膜之中心母線進行多次拉伸；D.清洗；以及E.退火得成品。相較於先前技術，上述之封裝用鍵合絲及其製備方法，將中心母線的外表面鍍上鈀膜後，該鈀膜能夠有效減緩中心母線的氧化，當中心母線中包含銀時，能夠改善銀遷移問題，且鍍上鈀膜之方式簡單，易於操作。
简体摘要：本发明系关于封装领域，具体而言，系关于一种封装用键合丝，包括：一中心母线；以及一钯膜，其中该钯膜系镀敷于该中心母线的外表面。以及该中心母线之制备方法，包括：A.制备中心母线；B.采用真空镀的方式，在该中心母线的外表面镀上钯膜；C.将该镀膜之中心母线进行多次拉伸；D.清洗；以及E.退火得成品。相较于先前技术，上述之封装用键合丝及其制备方法，将中心母线的外表面镀上钯膜后，该钯膜能够有效减缓中心母线的氧化，当中心母线中包含银时，能够改善银迁移问题，且镀上钯膜之方式简单，易于操作。

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