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1. 发明专利

TW200503294A GAN基板製作方法 METHOD FOR FORMING GAN SUBSTRATE 审中-公开
简体标题： GAN基板制作方法 METHOD FOR FORMING GAN SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200503294A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093107316
申请日：2004-03-18
申请人：東北泰克諾亞奇股份有限公司 TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD. , 三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人：八百隆文 YAO, TAKAFUMI , 鈴木拓馬 SUZUKI, TAKUMA , 高恒柱 KO, HANG-JU , 史提亞汪阿谷斯 SETIAWAN, AGUS
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B33/00 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/406 , Y10S117/915
摘要：本發明係用以提供一種藉由控制極性而製作GaN基板之方法。該GaN基板製造方法，係先於高品質基板(110)上形成MgO之緩衝層(120)，再經退火處理後而形成ZnO單晶薄膜(130)。其後，藉由進行防止ZnO薄膜(130)之表面於一開始就氮化之處理(e)，俾讓長成於其上之GaN之單晶薄膜(140)的結晶極性為Ga極性(f)。長成GaN之單晶薄膜(140)後，即溶解ZnO而剝離出GaN單晶基板。
简体摘要：本发明系用以提供一种借由控制极性而制作GaN基板之方法。该GaN基板制造方法，系先于高品质基板(110)上形成MgO之缓冲层(120)，再经退火处理后而形成ZnO单晶薄膜(130)。其后，借由进行防止ZnO薄膜(130)之表面于一开始就氮化之处理(e)，俾让长成于其上之GaN之单晶薄膜(140)的结晶极性为Ga极性(f)。长成GaN之单晶薄膜(140)后，即溶解ZnO而剥离出GaN单晶基板。

2. 发明专利

TW200305214A 晶片上監視系統 ON-WAFER MONITORING SYSTEM 失效
简体标题：芯片上监视系统 ON-WAFER MONITORING SYSTEM
公开(公告)号：TW200305214A
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：TW092103302
申请日：2003-02-18
申请人：東北泰克諾亞奇股份有限公司 TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD.
发明人：寒川誠二 SEIJI SAMUKAWA , 新村忠 TADASHI SHINMURA , 沖川滿 MITSURU OKIGAWA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之課題係以電漿處理裝置對加工對象基板之位置進行監測。作為解決手段之晶片上監視系統(200)係包含有各種感測器、藉光與外部進行資料之輸入輸出之資料輸入輸出部(220)及用以供給其等電源之內部電源部(210)。晶片上之資料輸入輸出部(220)係與設於外部藉光進行動作之輸入輸出部，即雷射二極體(LD)(320)或光電二極體(PD)(330)連接，以接收外部傳達之指令並發送業經監測之資料於外部。基板上之感測器包含離子能量分析器(400)、VUV光子探測器(500)、基及離子種發光分光裝置(600)。
简体摘要：本发明之课题系以等离子处理设备对加工对象基板之位置进行监测。作为解决手段之芯片上监视系统(200)系包含有各种传感器、藉光与外部进行数据之输入输出之数据输入输出部(220)及用以供给其等电源之内部电源部(210)。芯片上之数据输入输出部(220)系与设于外部藉光进行动作之输入输出部，即激光二极管(LD)(320)或光电二极管(PD)(330)连接，以接收外部传达之指令并发送业经监测之数据于外部。基板上之传感器包含离子能量分析器(400)、VUV光子探测器(500)、基及离子种发光分光设备(600)。

3. 发明专利

TW200644051A GaN單結晶成長方法、GaN基板製作方法、GaN系元件製造方法及GaN系元件审中-公开
简体标题： GaN单结晶成长方法、GaN基板制作方法、GaN系组件制造方法及GaN系组件
公开(公告)号：TW200644051A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW095111784
申请日：2006-04-03
申请人：東北泰克諾亞奇股份有限公司 TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD.
发明人：八百隆文 YAO, TAKAFUMI , 曹明煥 CHO, MEOUNG-WHAN
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/183 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02614 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要：本發明之目的在於使用成長於基板上之金屬緩衝層成長GaN薄膜(厚膜)，且用以達成上述目的之步驟為：(a)於藍寶石基板上蒸鍍形成Cr、Cu等金屬緩衝層；(b)將於藍寶石基板上蒸鍍金屬緩衝層之基板以氨氣進行氮化處理，形成金屬氮化物層；(c)在氮化處理後之金屬緩衝層上成長GaN緩衝層；(d)最後成長GaN單結晶層。該GaN單結晶層可因應目的成長為各種厚度，且依上述步驟所製作之基板可藉由選擇性化學蝕刻，製作獨立式基板，更可用來作為用以製作GaN系發光二極體或雷射二極體的GaN模板基板。
简体摘要：本发明之目的在于使用成长于基板上之金属缓冲层成长GaN薄膜(厚膜)，且用以达成上述目的之步骤为：(a)于蓝宝石基板上蒸镀形成Cr、Cu等金属缓冲层；(b)将于蓝宝石基板上蒸镀金属缓冲层之基板以氨气进行氮化处理，形成金属氮化物层；(c)在氮化处理后之金属缓冲层上成长GaN缓冲层；(d)最后成长GaN单结晶层。该GaN单结晶层可因应目的成长为各种厚度，且依上述步骤所制作之基板可借由选择性化学蚀刻，制作独立式基板，更可用来作为用以制作GaN系发光二极管或激光二极管的GaN模板基板。

4. 发明专利

TWI263277B 晶片上監視系統 ON-WAFER MONITORING SYSTEM 失效
简体标题：芯片上监视系统 ON-WAFER MONITORING SYSTEM
公开(公告)号：TWI263277B
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW092103302
申请日：2003-02-18
申请人：東北泰克諾亞奇股份有限公司 TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD.
发明人：寒川誠二 SEIJI SAMUKAWA , 新村忠 TADASHI SHINMURA , 沖川滿 MITSURU OKIGAWA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之課題係以電漿處理裝置對加工對象基板之位置進行監測。作為解決手段之晶片上監視系統(200)係包含有各種感測器、藉光與外部進行資料之輸入輸出之資料輸入輸出(220)及用以供給其等電源之內部電源部(210)。晶片上之資料輸入輸出部(220)係與設於外部藉光進行動作之輸入輸出部，即雷射二極體(LD)(320)或光電二極體(PD)(330)連接，以接收外部傳達之指令並發送業經監測之資料於外部。基板上之感測器包含離子能量分析器(400)、VUV光子探測器(500)、基及離子種發光分光裝置(600)。
简体摘要：本发明之课题系以等离子处理设备对加工对象基板之位置进行监测。作为解决手段之芯片上监视系统(200)系包含有各种传感器、藉光与外部进行数据之输入输出之数据输入输出(220)及用以供给其等电源之内部电源部(210)。芯片上之数据输入输出部(220)系与设于外部藉光进行动作之输入输出部，即激光二极管(LD)(320)或光电二极管(PD)(330)连接，以接收外部传达之指令并发送业经监测之数据于外部。基板上之传感器包含离子能量分析器(400)、VUV光子探测器(500)、基及离子种发光分光设备(600)。

5. 发明专利

TW200937137A 處理裝置 PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：处理设备 PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200937137A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097148601
申请日：2008-12-12
申请人：東北泰克諾亞奇股份有限公司 TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD. , 新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：高偉 GAO, WEI , 盧泳辰 NOH, YOUNG JIN , 荒井義和 ARAI, YOSHIKAZU , 小田桐廣和 ODAGIRI, HIROKAZU
IPC分类号： G03F , G05B
CPC分类号： B24B1/04 , B23B29/125 , B23B2226/31 , B23B2260/108 , B23B2260/128 , B24B49/16
摘要：本發明揭示一種處理裝置,其包括一處理部分、一致動器、一外殼、一預負載機構、一力感測器以及一偵測單元。該處理部分包括一切割邊緣。該致動器經組態用以使該處理部分精微地振動。其外殼經組態用以容納該致動器。該預負載機構係佈置在該外殼內側並經組態用以向該致動器賦予一預負載。該力感測器係佈置在該切割邊緣與該預負載機構之間。該偵測單元根據該力感測器之一輸出而偵測該處理部分之一切割力。
简体摘要：本发明揭示一种处理设备,其包括一处理部分、一致动器、一外壳、一预负载机构、一力传感器以及一侦测单元。该处理部分包括一切割边缘。该致动器经组态用以使该处理部分精微地振动。其外壳经组态用以容纳该致动器。该预负载机构系布置在该外壳内侧并经组态用以向该致动器赋予一预负载。该力传感器系布置在该切割边缘与该预负载机构之间。该侦测单元根据该力传感器之一输出而侦测该处理部分之一切割力。

6. 发明专利

TW200933705A III族氮化物半導體與其製造方法 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题： III族氮化物半导体与其制造方法 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200933705A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097132368
申请日：2008-08-25
申请人：東北泰克諾亞奇股份有限公司 TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD. , 同和電子科技有限公司 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：八百隆文 YAO, TAKAFUMI , 曹明煥 CHO, MEOUNG-WHAN , 鳥羽隆一 TOBA, RYUICHI
IPC分类号： H01L , C23C , C30B
CPC分类号： H01L21/02664 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：本發明係有關一種III族氮化物半導體之製造方法,其係具有在藍寶石、SiC、Si中任何一種所形成的基板上,以0.1��m以上、10��m以下之厚度形成A1N單結晶層之A1N樣版基板或A1N單結晶基板上,使金屬層成膜的步驟,使該金屬層在氨混合氣體環境中進行加熱氮化處理,形成具有複數個約三角錐或三角台形狀微結晶之金屬氮化物層的步驟,與在該金屬氮化層上使III族氮化物半導體層成膜的步驟。
简体摘要：本发明系有关一种III族氮化物半导体之制造方法,其系具有在蓝宝石、SiC、Si中任何一种所形成的基板上,以0.1��m以上、10��m以下之厚度形成A1N单结晶层之A1N样版基板或A1N单结晶基板上,使金属层成膜的步骤,使该金属层在氨混合气体环境中进行加热氮化处理,形成具有复数个约三角锥或三角台形状微结晶之金属氮化物层的步骤,与在该金属氮化层上使III族氮化物半导体层成膜的步骤。

7. 发明专利

TWI235770B 非晶質合金 AMORPHOUS ALLOY 失效
简体标题：非晶质合金 AMORPHOUS ALLOY
公开(公告)号：TWI235770B
公开(公告)日：2005-07-11
申请号：TW089119986
申请日：2000-09-27
申请人：東北泰克諾亞奇股份有限公司 TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD.
发明人：井上明久 , 河村能人
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C22C45/10
摘要：本發明係提供一種分散有ZrC粒子之非晶質合金複合材的製造方法，該製造方法係於母相之合金中添加碳粒子及Zr純金屬或Zr合金後，以Zr純金屬或Zr合金之融點+100度K以上之溫度使其熔解，以使Zr與C於熔解中產生反應並生成ZrC粒子。藉此製造一具有已使ZrC粒子均勻地分散並具有玻璃形成能的母合金後，將其調製以製造分散有ZrC粒子之非晶質合金。該製造方法中所使用之碳粒子及ZrC粒子之大小係以小於100μm者為佳。
简体摘要：本发明系提供一种分散有ZrC粒子之非晶质合金复合材的制造方法，该制造方法系于母相之合金中添加碳粒子及Zr纯金属或Zr合金后，以Zr纯金属或Zr合金之融点+100度K以上之温度使其熔解，以使Zr与C于熔解中产生反应并生成ZrC粒子。借此制造一具有已使ZrC粒子均匀地分散并具有玻璃形成能的母合金后，将其调制以制造分散有ZrC粒子之非晶质合金。该制造方法中所使用之碳粒子及ZrC粒子之大小系以小于100μm者为佳。

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