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1. 发明专利

TW200938638A 自IZO廢料回收有價金屬之方法审中-公开
简体标题：自IZO废料回收有价金属之方法
公开(公告)号：TW200938638A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097148893
申请日：2008-12-16
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 竹本幸一 TAKEMOTO, KOUICHI
IPC分类号： C22B , C25C , C01G
CPC分类号： C25C1/16 , C22B3/045 , C22B3/44 , C22B7/006 , C22B19/30 , C22B58/00 , C25C1/22 , Y02P10/234
摘要：一種自IZO廢料回收有價金屬之方法,其特徵在於:使用不溶性電極作為陽極,且使用IZO廢料作為陰極進行電解,藉此以銦及鋅之金屬或次氧化物的形態回收IZO廢料。提供一種自銦-鋅氧化物(IZO)濺鍍靶或製造時所產生之IZO端材等IZO廢料高效率地回收銦及鋅之方法。
简体摘要：一种自IZO废料回收有价金属之方法,其特征在于:使用不溶性电极作为阳极,且使用IZO废料作为阴极进行电解,借此以铟及锌之金属或次氧化物的形态回收IZO废料。提供一种自铟-锌氧化物(IZO)溅镀靶或制造时所产生之IZO端材等IZO废料高效率地回收铟及锌之方法。

2. 发明专利

TWI312814B 光碟及Cu合金記錄層用濺鍍靶有权
简体标题：光盘及Cu合金记录层用溅镀靶
公开(公告)号：TWI312814B
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW095113343
申请日：2006-04-14
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：佐藤賢次 SATO, KENJI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , G11B7/2433 , G11B7/266
摘要：本發明為一種具備Cu合金記錄層用之光碟,具有以ZnS-SiO2保護層夾持記錄層之構造,其特徵在於,該記錄層,以總量計含有1~20at%之選自Zn、Mn、Ga、Ti、Ta的1種成分以上,剩餘部份由Cu及不可避免之雜質所構成。本發明之光碟及Cu合金記錄層用濺鍍靶,特別於使用ZnS-SiO2作為保護層時,可防止或抑制因保護層所擴散之S而造成Cu記錄層的硫化,而得到記錄位元不會產生錯誤之光記錄媒體。
简体摘要：本发明为一种具备Cu合金记录层用之光盘,具有以ZnS-SiO2保护层夹持记录层之构造,其特征在于,该记录层,以总量计含有1~20at%之选自Zn、Mn、Ga、Ti、Ta的1种成分以上,剩余部份由Cu及不可避免之杂质所构成。本发明之光盘及Cu合金记录层用溅镀靶,特别于使用ZnS-SiO2作为保护层时,可防止或抑制因保护层所扩散之S而造成Cu记录层的硫化,而得到记录比特不会产生错误之光记录媒体。

3. 发明专利

TW200934339A 印刷配線板用銅箔失效
简体标题：印刷配线板用铜箔
公开(公告)号：TW200934339A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097150021
申请日：2008-12-22
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：岡野朋樹 OKANO, TOMOKI , 洗川智洋 ARAIKAWA, TOMOHIRO , 中願寺美里 CHUUGANJI, MISATO
IPC分类号： H05K
CPC分类号： C23C28/023 , H05K3/384 , H05K3/388 , H05K2201/0317 , H05K2201/0355
摘要：提供一種印刷配線板用銅箔,其在與絕緣基板之接著性及蝕刻性這兩個方面皆優異,且適用於微細間距化。該印刷配線板用銅箔,係具備銅箔基材與被覆於該銅箔基材表面之至少一部份之被覆層,其中:(1)該被覆層係由自銅箔基材表面依序積層之鎳層及鉻層所構成;(2)於該被覆層中,鉻以15-210��g/dm^2,鎳以15-440��g/dm^2的被覆量存在;(3)使用穿透式電子顯微鏡觀察該被覆層的截面時,最大厚度為0.5-5nm,最小厚度為最大厚度的80%以上。
简体摘要：提供一种印刷配线板用铜箔,其在与绝缘基板之接着性及蚀刻性这两个方面皆优异,且适用于微细间距化。该印刷配线板用铜箔,系具备铜箔基材与被覆于该铜箔基材表面之至少一部份之被覆层,其中:(1)该被覆层系由自铜箔基材表面依序积层之镍层及铬层所构成;(2)于该被覆层中,铬以15-210��g/dm^2,镍以15-440��g/dm^2的被覆量存在;(3)使用穿透式电子显微镜观察该被覆层的截面时,最大厚度为0.5-5nm,最小厚度为最大厚度的80%以上。

4. 发明专利

TWI311579B 鹼性矽烷偶合劑有機羧酸酯組成物,其製造方法,及含有該組成物之環氧樹脂組成物 BASIC SILANE COUPLING AGENT ORGANIC CARBOXYLATE COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND EPOXY RESIN COMPOSITION CONTAINING THE SAME 有权
简体标题：碱性硅烷偶合剂有机羧酸酯组成物,其制造方法,及含有该组成物之环氧树脂组成物 BASIC SILANE COUPLING AGENT ORGANIC CARBOXYLATE COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND EPOXY RESIN COMPOSITION CONTAINING THE SAME
公开(公告)号：TWI311579B
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW091134581
申请日：2002-11-28
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：熊谷正志 KUMAGAI, MASASHI , 大內高志 OUCHI, TAKASHI , 土田克之 TSUCHIDA, KATSUYUKI
IPC分类号： C08L , C07F
CPC分类号： C08G59/4238 , C07F7/1836
摘要：本發明係提供一種在室溫為固體且具有高貯存安定性之作為環氧樹脂用之有效添加劑的組成物,及其製造方法。本發明之組成物為首先藉由使鹼性矽烷偶合劑與有機羧酸反應而合成鹼性矽烷偶合劑之有機羧酸酯,接著加熱及混合此鹼性矽烷偶合劑之有機羧酸酯與對鹼性矽烷偶合劑或有機羧酸呈現良好親和力且具有40℃或更高軟化點或熔點之化合物所獲得之鹼性矽烷偶合劑有機羧酸酯組成物。
简体摘要：本发明系提供一种在室温为固体且具有高贮存安定性之作为环氧树脂用之有效添加剂的组成物,及其制造方法。本发明之组成物为首先借由使碱性硅烷偶合剂与有机羧酸反应而合成碱性硅烷偶合剂之有机羧酸酯,接着加热及混合此碱性硅烷偶合剂之有机羧酸酯与对碱性硅烷偶合剂或有机羧酸呈现良好亲和力且具有40℃或更高软化点或熔点之化合物所获得之碱性硅烷偶合剂有机羧酸酯组成物。

5. 发明专利

TW200927948A 高純度鑭、高純度鑭所構成之濺鍍靶及高純度鑭作為主成分之金屬閘膜审中-公开
简体标题：高纯度镧、高纯度镧所构成之溅镀靶及高纯度镧作为主成分之金属闸膜
公开(公告)号：TW200927948A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097142478
申请日：2008-11-04
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：高雅博 TAKAHATA, MASAHIRO , 新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 加納學 KANOU, GAKU
IPC分类号： C22B , C22C , C23C , H01L
CPC分类号： C22C28/00 , C22B9/228 , C22B59/00 , C23C14/3414 , H01L21/28079 , H01L21/2855 , H01L29/495
摘要：一種高純度鑭,其特徵在於:稀土元素及氣體成分除外之純度在4N以上,鑭中之鋁、鐵及銅的含量分別在100wtppm以下;以及一種高純度鑭,其特徵在於:稀土元素及氣體成分除外之純度在4N以上,鑭中之鋁、鐵及銅的含量分別在100wtppm以下,並且氧含量在1500wtppm以下,鹼金屬及鹼土金屬之各元素的含量分別在1wtppm以下,除上述以外之過渡金屬及高熔點金屬之各元素的含量分別在10wtppm以下,放射性元素的含量分別在10wtppb以下。本發明之課題,在於提供一種可有效率且穩定地提供高純度鑭、高純度材料鑭所構成之濺鍍靶、及高純度材料鑭作為主成分之金屬閘用薄膜的技術。
简体摘要：一种高纯度镧,其特征在于:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下;以及一种高纯度镧,其特征在于:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下,并且氧含量在1500wtppm以下,碱金属及碱土金属之各元素的含量分别在1wtppm以下,除上述以外之过渡金属及高熔点金属之各元素的含量分别在10wtppm以下,放射性元素的含量分别在10wtppb以下。本发明之课题,在于提供一种可有效率且稳定地提供高纯度镧、高纯度材料镧所构成之溅镀靶、及高纯度材料镧作为主成分之金属闸用薄膜的技术。

6. 发明专利

TW200925319A 電子零件用鍍錫材审中-公开
简体标题：电子零件用镀锡材
公开(公告)号：TW200925319A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097141946
申请日：2008-10-31
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：田中幸一郎 TANAKA, KOICHIRO
IPC分类号： C23C , H01R
CPC分类号： C25D7/00 , C23C18/165 , C23C18/1692 , C23C18/31 , C25D5/12 , C25D5/505 , H01R13/03 , Y10T428/12076
摘要：係於具有Ni層、Cu-Sn合金層及Sn層之3層構造的鍍錫材,謀求插入力之降低及耐熱性之改善。一種鍍錫材,係於銅或銅合金之表面,依序形成有厚度0.2-1.5��m之由Ni或Ni合金所構成之基底鍍敷層、厚度0.1-1.5��m之由Cu-Sn合金所構成之中間鍍敷層、及厚度0.1-1.5��m之由Sn或Sn合金所構成之表面鍍敷層,形成上述中間鍍敷層之Cu-Sn合金之平均結晶粒徑,於對該鍍敷層之剖面進行觀察時,為0.05��m以上、未達0.5��m。
简体摘要：系于具有Ni层、Cu-Sn合金层及Sn层之3层构造的镀锡材,谋求插入力之降低及耐热性之改善。一种镀锡材,系于铜或铜合金之表面,依序形成有厚度0.2-1.5��m之由Ni或Ni合金所构成之基底镀敷层、厚度0.1-1.5��m之由Cu-Sn合金所构成之中间镀敷层、及厚度0.1-1.5��m之由Sn或Sn合金所构成之表面镀敷层,形成上述中间镀敷层之Cu-Sn合金之平均结晶粒径,于对该镀敷层之剖面进行观察时,为0.05��m以上、未达0.5��m。

7. 发明专利

TW200915349A 電子材料用Cu-Ni-Si-Co系銅合金及其製造方法审中-公开
简体标题：电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法
公开(公告)号：TW200915349A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097133869
申请日：2008-09-04
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：江良尚彥 ERA, NAOHIKO , 桑垣寬 KUWAGAKI, HIROSHI
IPC分类号： H01B
摘要：本發明提供一種强度、導電率及彎曲加工性優異之Cu-Ni-Si-Co系合金。本發明為一種電子材料用銅合金,係含有Ni:1.0-2.5質量%、Co:0.5-2.5質量%、Si:0.3-1.2質量%,剩餘部分由Cu及不可避免之雜質所構成,粒徑:0.1��m以上、1��m以下,且各含有1質量%以上之Ni、Co及Si的第二相粒子,於平行於壓延方向之剖面,為1�10^4個/mm^2以上、1�10^7個/mm^2以下。
简体摘要：本发明提供一种强度、导电率及弯曲加工性优异之Cu-Ni-Si-Co系合金。本发明为一种电子材料用铜合金,系含有Ni:1.0-2.5质量%、Co:0.5-2.5质量%、Si:0.3-1.2质量%,剩余部分由Cu及不可避免之杂质所构成,粒径:0.1��m以上、1��m以下,且各含有1质量%以上之Ni、Co及Si的第二相粒子,于平行于压延方向之剖面,为1�10^4个/mm^2以上、1�10^7个/mm^2以下。

8. 发明专利

TW200902772A 鋰二次電池用電解銅箔及該銅箔之製造方法失效
简体标题：锂二次电池用电解铜箔及该铜箔之制造方法
公开(公告)号：TW200902772A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097113124
申请日：2008-04-11
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：花房幹夫 HANAFUSA, MIKIO
IPC分类号： C25D
CPC分类号： H01M4/661 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C30/00 , C25D1/04 , C25D3/38 , C25D5/50 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/667 , H01M10/0525
摘要：一種鋰二次電池用電解銅箔,其特徵在於:0.2%安全限應力為18-25kgf/mm^2、且延伸率在10%以上;以及一種鋰二次電池用銅箔之製造方法,其特徵在於:藉由在175-300℃之範圍對電解銅箔進行退火處理,以製造0.2%安全限應力為18-25kgf/mm^2、且延伸率在10%以上之銅箔。本發明提供一種對因鋰二次電池之充放電所產生之電極斷裂,具有良好安全限應力及延伸率且不易斷裂之鋰二次電池用電解銅箔、及該電解銅箔之製造方法。
简体摘要：一种锂二次电池用电解铜箔,其特征在于:0.2%安全限应力为18-25kgf/mm^2、且延伸率在10%以上;以及一种锂二次电池用铜箔之制造方法,其特征在于:借由在175-300℃之范围对电解铜箔进行退火处理,以制造0.2%安全限应力为18-25kgf/mm^2、且延伸率在10%以上之铜箔。本发明提供一种对因锂二次电池之充放电所产生之电极断裂,具有良好安全限应力及延伸率且不易断裂之锂二次电池用电解铜箔、及该电解铜箔之制造方法。

9. 发明专利

TW200841004A 回收原料之分析用試樣調製方法及裝置审中-公开
简体标题：回收原料之分析用试样调制方法及设备
公开(公告)号：TW200841004A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW097110905
申请日：2008-03-27
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：戎基文 , 田邊健太郎 , 荒金孝行 , 池之谷和彥
IPC分类号： G01N , C22B
摘要：提供一種分析用試樣調製方法及裝置,其係由微粉碎至裝袋全部可自動化,一日可調製200個試樣。用以調製在銅精鍊所使用之回收原料之分析之分析用試樣之試樣調製方法,係在機械臂2之周圍,配置:用以收納盤(具有回收原料經粗粉碎之硫渣)之試料匣3(3a、3b、3c)、分析用試樣之裝袋裝置5、將粗粉碎之硫渣微粉碎之微粉碎機6、製作用以洗淨於後續製程使用之微粉碎機之共洗用硫渣與用於分析用試樣之分析用硫渣之分離器(splitter)(縮分機)7、試料計量機8、以及廢棄箱9;藉由使機械臂2作動,而全自動化。
简体摘要：提供一种分析用试样调制方法及设备,其系由微粉碎至装袋全部可自动化,一日可调制200个试样。用以调制在铜精炼所使用之回收原料之分析之分析用试样之试样调制方法,系在机械臂2之周围,配置:用以收纳盘(具有回收原料经粗粉碎之硫渣)之试料匣3(3a、3b、3c)、分析用试样之装袋设备5、将粗粉碎之硫渣微粉碎之微粉碎机6、制作用以洗净于后续制程使用之微粉碎机之共洗用硫渣与用于分析用试样之分析用硫渣之分离器(splitter)(缩分机)7、试料计量机8、以及废弃箱9;借由使机械臂2作动,而全自动化。

10. 发明专利

TW200823974A 氮化鎵單結晶之製造方法、氮化鎵薄膜模板基板、以及氮化鎵單結晶成長裝置审中-公开
简体标题：氮化镓单结晶之制造方法、氮化镓薄膜模板基板、以及氮化镓单结晶成长设备
公开(公告)号：TW200823974A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096134903
申请日：2007-09-19
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：森岡理 MORIOKA, SATORU , 高草木操 TAKAKUSAKI, MISAO , 清水孝幸 SHIMIZU, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： C30B25/14 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：提供即使在利用氫化物氣相成長法的情形中,仍可正確地控制GaN單結晶之膜厚度的GaN單結晶之製造方法、適於成長特性良好之GaN厚膜的GaN薄膜模板基板、及GaN單結晶成長裝置。在利用使GaC1(氯化鎵;係將以預定溫度加熱溶解之Ga(鎵)噴附至HC1(氯化氫)所生成)和氫化物氣體,也就是NH3(氨)氣體在基板上反應而形成GaN薄膜之氫化物氣相成長法的GaN單結晶之製造方法中,將前述NH3氣體經由噴嘴供給至基板附近(例如,與基板距離基板之直徑0.7~4.0倍的位置)。又,使用晶格常數與GaN接近的NGO(011)基板來作為基板。
简体摘要：提供即使在利用氢化物气相成长法的情形中,仍可正确地控制GaN单结晶之膜厚度的GaN单结晶之制造方法、适于成长特性良好之GaN厚膜的GaN薄膜模板基板、及GaN单结晶成长设备。在利用使GaC1(氯化镓;系将以预定温度加热溶解之Ga(镓)喷附至HC1(氯化氢)所生成)和氢化物气体,也就是NH3(氨)气体在基板上反应而形成GaN薄膜之氢化物气相成长法的GaN单结晶之制造方法中,将前述NH3气体经由喷嘴供给至基板附近(例如,与基板距离基板之直径0.7~4.0倍的位置)。又,使用晶格常数与GaN接近的NGO(011)基板来作为基板。

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