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1. 发明专利

TW200712263A 高純度錫或錫合金、以及高純度錫之製造方法审中-公开
简体标题：高纯度锡或锡合金、以及高纯度锡之制造方法
公开(公告)号：TW200712263A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095122010
申请日：2006-06-20
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 竹本幸一 TAKEMOTO, KOUICHI
IPC分类号： C25C , C22B
CPC分类号： C22B25/04 , C22B13/06 , C22B25/08 , C22C13/00 , C22F1/16 , C25C1/14 , C25F1/04 , H01L23/4827 , H01L2224/13111 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要：一種高純度錫或錫合金,其特徵在於:U、Th個別含有量為5ppb以下,Pb、Bi個別含有量為1ppm以下,純度為5N以上(其中,不計O、C、N、H、S、P之氣體成分)。一種高純度錫或錫合金,其特徵在於:具有鑄造組織之高純度錫的��射線計數為0.001cph/cm^2以下。最近之半導體裝置,由於高密度化與高容量化,會因為半導體晶片附近之材料所釋放之��射線的影響,導致發生軟性錯誤之危險增多。特別是,對於與半導體裝置接近所使用之焊料或錫之高純度化要求殷切,並需要��射線少的材料,是以,本發明之課題在於獲得一種可適應前述情況之減低錫的��射線量之高純度錫或錫合金、以及高純度錫之製造方法。
简体摘要：一种高纯度锡或锡合金,其特征在于:U、Th个别含有量为5ppb以下,Pb、Bi个别含有量为1ppm以下,纯度为5N以上(其中,不计O、C、N、H、S、P之气体成分)。一种高纯度锡或锡合金,其特征在于:具有铸造组织之高纯度锡的��射线计数为0.001cph/cm^2以下。最近之半导体设备,由于高密度化与高容量化,会因为半导体芯片附近之材料所释放之��射线的影响,导致发生软性错误之危险增多。特别是,对于与半导体设备接近所使用之焊料或锡之高纯度化要求殷切,并需要��射线少的材料,是以,本发明之课题在于获得一种可适应前述情况之减低锡的��射线量之高纯度锡或锡合金、以及高纯度锡之制造方法。

2. 发明专利

TW200643192A 超高純度銅、其製造方法、以及超高純度銅構成之引線审中-公开
简体标题：超高纯度铜、其制造方法、以及超高纯度铜构成之引线
公开(公告)号：TW200643192A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW095117439
申请日：2006-05-17
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 竹本幸一 TAKEMOTO, KOUICHI
IPC分类号： C22C , H01L , C25C
CPC分类号： C22B15/0084 , C22B15/0073 , C22B15/0089 , C22C9/00 , C25C1/12 , C25C7/06 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/456 , H01L2224/48624 , H01L2924/00011 , H01L2924/01105 , H01L2924/01208 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , Y02P10/236 , H01L2924/01008 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01205 , H01L2924/01046 , H01L2924/00014 , H01L2224/45647 , H01L2224/48824 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01033 , H01L2924/01001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007
摘要：本發明係關於超高純度銅及其製造方法。該超高純度銅其硬度為40Hv以下、純度為8N以上(不計O、C、N、H、S、P之氣體成分)，且氣體成分之O、S、P各元素皆為1重量ppm以下。又，該製造方法係使用由硝酸銅溶液構成之電解液以二階段電解製造超高純度銅時，於硝酸銅溶液構成之電解液中添加鹽酸，且使電解液循環，將此循環之電解液暫時降至10℃以下，以過濾器去除雜質，並以二階段電解進行電解。本發明之目的在製得上述可適用於細線化(拉伸化)之銅材。亦即，有效率的製造純度8N(99.999999重量％)以上的超高純度銅，並提供所製得之超高純度銅以得到尤其是可細線化之半導體元件用引線。
简体摘要：本发明系关于超高纯度铜及其制造方法。该超高纯度铜其硬度为40Hv以下、纯度为8N以上(不计O、C、N、H、S、P之气体成分)，且气体成分之O、S、P各元素皆为1重量ppm以下。又，该制造方法系使用由硝酸铜溶液构成之电解液以二阶段电解制造超高纯度铜时，于硝酸铜溶液构成之电解液中添加盐酸，且使电解液循环，将此循环之电解液暂时降至10℃以下，以过滤器去除杂质，并以二阶段电解进行电解。本发明之目的在制得上述可适用于细线化(拉伸化)之铜材。亦即，有效率的制造纯度8N(99.999999重量％)以上的超高纯度铜，并提供所制得之超高纯度铜以得到尤其是可细线化之半导体组件用引线。

3. 发明专利

TWI303666B 高純度Ru粉末、由該高純度Ru粉末燒結成之濺鍍靶、以及由該靶濺鍍成之薄膜及高純度Ru粉末之製造方法有权
简体标题：高纯度Ru粉末、由该高纯度Ru粉末烧结成之溅镀靶、以及由该靶溅镀成之薄膜及高纯度Ru粉末之制造方法
公开(公告)号：TWI303666B
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW094105011
申请日：2005-02-21
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 久野晃
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C22C5/04 , B22F1/0003 , B22F5/00 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , C25C5/02 , Y02P10/138
摘要：提供一種高純度Ru粉末,其特徵在於,Na、K等鹼金屬元素之含量各為10wtppm以下,Al之含量為1~50wtppm;以及一種高純度Ru粉末之製造方法,其特徵在於,係將純度3N(99.9%)以下之Ru原料作為陽極,於溶液中進行電解以精製。並提供一種極力減低有害物質、且成膜時粒子之產生數少、膜厚分布均一、並且具有4N(99.99%)以上之純度之適用於形成半導體記憶體之電容用電極材時之濺鍍靶製造用高純度Ru粉末、由該高純度Ru粉末燒結成之濺鍍靶、以及由該靶濺鍍成之薄膜及高純度Ru粉末之製造方法。
简体摘要：提供一种高纯度Ru粉末,其特征在于,Na、K等碱金属元素之含量各为10wtppm以下,Al之含量为1~50wtppm;以及一种高纯度Ru粉末之制造方法,其特征在于,系将纯度3N(99.9%)以下之Ru原料作为阳极,于溶液中进行电解以精制。并提供一种极力减低有害物质、且成膜时粒子之产生数少、膜厚分布均一、并且具有4N(99.99%)以上之纯度之适用于形成半导体内存之电容用电极材时之溅镀靶制造用高纯度Ru粉末、由该高纯度Ru粉末烧结成之溅镀靶、以及由该靶溅镀成之薄膜及高纯度Ru粉末之制造方法。

4. 发明专利

TW200714727A 高純度釕合金靶、其製造方法及濺鍍膜审中-公开
简体标题：高纯度钌合金靶、其制造方法及溅镀膜
公开(公告)号：TW200714727A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：TW095125577
申请日：2006-07-13
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：加納學 KANOU, GAKU , 新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C5/04 , H01L28/65
摘要：本發明提供一種高純度釕合金靶,能在盡量減少有害物質的同時,盡可能使晶粒微細化以使成膜時的膜厚分佈均勻,並且與Si基板的密合性不會發生劣化,適用於形成半導體記憶體之電容用電極材;並提供該高純度釕合金靶之製造方法及以該釕合金靶進行濺鍍而製得之高純度釕合金濺鍍膜。該高純度釕合金靶,其特徵在於,係由除釕以外的白金族元素含量15~200重量ppm、剩餘部分為釕及不可避免的雜質構成。而該由除釕以外的白金族元素含量15~200重量ppm、剩餘部分為釕及不可避免的雜質構成之高純度釕合金靶之製造方法,其特徵在於,將純度99.9%以上的釕粉末與除釕以外的白金族元素粉末加以混合後進行壓製成型而製得成形體,接著對其進行電子束熔解以製成鑄錠,再將該鑄錠加以鍛造加工而製成靶材。
简体摘要：本发明提供一种高纯度钌合金靶,能在尽量减少有害物质的同时,尽可能使晶粒微细化以使成膜时的膜厚分布均匀,并且与Si基板的密合性不会发生劣化,适用于形成半导体内存之电容用电极材;并提供该高纯度钌合金靶之制造方法及以该钌合金靶进行溅镀而制得之高纯度钌合金溅镀膜。该高纯度钌合金靶,其特征在于,系由除钌以外的白金族元素含量15~200重量ppm、剩余部分为钌及不可避免的杂质构成。而该由除钌以外的白金族元素含量15~200重量ppm、剩余部分为钌及不可避免的杂质构成之高纯度钌合金靶之制造方法,其特征在于,将纯度99.9%以上的钌粉末与除钌以外的白金族元素粉末加以混合后进行压制成型而制得成形体,接着对其进行电子束熔解以制成铸锭,再将该铸锭加以锻造加工而制成靶材。

5. 发明专利

TW200902730A 含有具導電性氧化物之廢料之有價金屬之回收方法审中-公开
简体标题：含有具导电性氧化物之废料之有价金属之回收方法
公开(公告)号：TW200902730A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097108426
申请日：2008-03-11
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 竹本幸一 TAKEMOTO, KOICHI
IPC分类号： C22B , C25C
CPC分类号： C22B3/045 , C22B3/44 , C22B7/006 , C22B25/04 , C22B25/06 , C22B58/00 , C25B1/04 , C25C1/14 , Y02E60/366 , Y02P10/228 , Y02P10/234
摘要：本發明係一種從氧化物系廢料回收有價金屬之方法,其特徵在於:於陽極使用不溶性電極,於陰極使用氧化物系廢料進行電解,藉此使該陰極之廢料成為金屬或次氧化物來加以回收。例如提供一種自銦-錫氧化物(ITO)所構成之濺鍍靶或在製造時所產生之端材等氧化物系廢料,有效回收有價金屬之方法。
简体摘要：本发明系一种从氧化物系废料回收有价金属之方法,其特征在于:于阳极使用不溶性电极,于阴极使用氧化物系废料进行电解,借此使该阴极之废料成为金属或次氧化物来加以回收。例如提供一种自铟-锡氧化物(ITO)所构成之溅镀靶或在制造时所产生之端材等氧化物系废料,有效回收有价金属之方法。

6. 发明专利

TW200846503A 從含有具導電性之氧化物之廢料回收有價金屬之方法审中-公开
简体标题：从含有具导电性之氧化物之废料回收有价金属之方法
公开(公告)号：TW200846503A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097104961
申请日：2008-02-13
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 竹本幸一 TAKEMOTO, KOUICHI
IPC分类号： C25C
CPC分类号： C22B58/00 , C22B3/045 , C22B3/44 , C22B7/006 , C22B25/04 , C22B25/06 , C25B1/00 , Y02P10/228 , Y02P10/234
摘要：一種從含有具導電性之氧化物之廢料回收有價金屬之方法,其特徵在於,使用含有具導電性之氧化物之廢料,藉由週期性地將極性加以反轉進行電解,使其成為氫氧化物來進行回收,又,另一特徵在於,氧化物系廢料係具導電性之氧化物,可藉由氫加以還原成金屬或次氧化物之物質。提供一種可從含有具導電性之氧化物之濺鍍靶廢料、或在製造時所產生之具導電性之氧化物之端材等廢料,有效回收有價金屬之方法。
简体摘要：一种从含有具导电性之氧化物之废料回收有价金属之方法,其特征在于,使用含有具导电性之氧化物之废料,借由周期性地将极性加以反转进行电解,使其成为氢氧化物来进行回收,又,另一特征在于,氧化物系废料系具导电性之氧化物,可借由氢加以还原成金属或次氧化物之物质。提供一种可从含有具导电性之氧化物之溅镀靶废料、或在制造时所产生之具导电性之氧化物之端材等废料,有效回收有价金属之方法。

7. 发明专利

TW200844264A 從含有具導電性之氧化物之廢料回收有價金屬之方法审中-公开
简体标题：从含有具导电性之氧化物之废料回收有价金属之方法
公开(公告)号：TW200844264A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097104964
申请日：2008-02-13
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 竹本幸一 TAKEMOTO, KOUICHI
IPC分类号： C25C
CPC分类号： C22B58/00 , C22B7/001 , C22B7/006 , C22B25/06 , C25B1/00 , C25C1/00 , Y02P10/214 , Y02P10/228 , Y02P10/234
摘要：一種從ITO廢料回收有價金屬之方法,其特徵在於,使用不溶性電極作為陽極或陰極之其中一方,而成為相對電極之另一方的陰極或陽極,則使用含有具導電性之氧化物之廢料,並且週期性地將極性加以反轉來進行電解,使該廢料成為氫氧化物來加以回收,以及一種從上述含有具導電性之氧化物之廢料回收有價金屬之方法,其特徵在於,氧化物系廢料為具導電性之氧化物,可藉由氫加以還原成金屬或次氧化物之物質。提供一種可從含有具導電性之氧化物之濺鍍靶、或在製造時所產生之靶端材等含有具導電性之氧化物之廢料,有效回收有價金屬之方法。
简体摘要：一种从ITO废料回收有价金属之方法,其特征在于,使用不溶性电极作为阳极或阴极之其中一方,而成为相对电极之另一方的阴极或阳极,则使用含有具导电性之氧化物之废料,并且周期性地将极性加以反转来进行电解,使该废料成为氢氧化物来加以回收,以及一种从上述含有具导电性之氧化物之废料回收有价金属之方法,其特征在于,氧化物系废料为具导电性之氧化物,可借由氢加以还原成金属或次氧化物之物质。提供一种可从含有具导电性之氧化物之溅镀靶、或在制造时所产生之靶端材等含有具导电性之氧化物之废料,有效回收有价金属之方法。

8. 发明专利

TWI291995B 高純度Ni-V合金、該Ni-V合金構成之靶、該Ni-V合金薄膜及高純度Ni-V合金之製造方法有权
简体标题：高纯度Ni-V合金、该Ni-V合金构成之靶、该Ni-V合金薄膜及高纯度Ni-V合金之制造方法
公开(公告)号：TWI291995B
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW093128206
申请日：2004-09-17
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 山越康廣
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C19/03
摘要：本發明提供一種高純度Ni-V合金及由該Ni-V合金構成之靶以及該Ni-V合金薄膜，其特徵為Ni、V、及氣體成分除外之Ni-V合金純度均為99.9wt%以上，且鑄錠間或靶間或薄膜間之V含量偏差在0.4%以內。所提供之高純度Ni-V合金、由該Ni-V合金構成之靶及該Ni-V合金薄膜，其鑄錠間或靶間或薄膜間之偏差少，可提升濺刻性，且嚴格地減少會發射α粒子而對半導體裝置之微細電路有不良影響之U、Th等放射性同位素，並具99.9wt%以上純度，並提供可有效減少前述雜質之高純度Ni-V合金之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种高纯度Ni-V合金及由该Ni-V合金构成之靶以及该Ni-V合金薄膜，其特征为Ni、V、及气体成分除外之Ni-V合金纯度均为99.9wt%以上，且铸锭间或靶间或薄膜间之V含量偏差在0.4%以内。所提供之高纯度Ni-V合金、由该Ni-V合金构成之靶及该Ni-V合金薄膜，其铸锭间或靶间或薄膜间之偏差少，可提升溅刻性，且严格地减少会发射α粒子而对半导体设备之微细电路有不良影响之U、Th等放射性同位素，并具99.9wt%以上纯度，并提供可有效减少前述杂质之高纯度Ni-V合金之制造方法。

9. 发明专利

TW200938638A 自IZO廢料回收有價金屬之方法审中-公开
简体标题：自IZO废料回收有价金属之方法
公开(公告)号：TW200938638A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097148893
申请日：2008-12-16
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 竹本幸一 TAKEMOTO, KOUICHI
IPC分类号： C22B , C25C , C01G
CPC分类号： C25C1/16 , C22B3/045 , C22B3/44 , C22B7/006 , C22B19/30 , C22B58/00 , C25C1/22 , Y02P10/234
摘要：一種自IZO廢料回收有價金屬之方法,其特徵在於:使用不溶性電極作為陽極,且使用IZO廢料作為陰極進行電解,藉此以銦及鋅之金屬或次氧化物的形態回收IZO廢料。提供一種自銦-鋅氧化物(IZO)濺鍍靶或製造時所產生之IZO端材等IZO廢料高效率地回收銦及鋅之方法。
简体摘要：一种自IZO废料回收有价金属之方法,其特征在于:使用不溶性电极作为阳极,且使用IZO废料作为阴极进行电解,借此以铟及锌之金属或次氧化物的形态回收IZO废料。提供一种自铟-锌氧化物(IZO)溅镀靶或制造时所产生之IZO端材等IZO废料高效率地回收铟及锌之方法。

10. 发明专利

TW200927948A 高純度鑭、高純度鑭所構成之濺鍍靶及高純度鑭作為主成分之金屬閘膜审中-公开
简体标题：高纯度镧、高纯度镧所构成之溅镀靶及高纯度镧作为主成分之金属闸膜
公开(公告)号：TW200927948A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097142478
申请日：2008-11-04
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：高雅博 TAKAHATA, MASAHIRO , 新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 加納學 KANOU, GAKU
IPC分类号： C22B , C22C , C23C , H01L
CPC分类号： C22C28/00 , C22B9/228 , C22B59/00 , C23C14/3414 , H01L21/28079 , H01L21/2855 , H01L29/495
摘要：一種高純度鑭,其特徵在於:稀土元素及氣體成分除外之純度在4N以上,鑭中之鋁、鐵及銅的含量分別在100wtppm以下;以及一種高純度鑭,其特徵在於:稀土元素及氣體成分除外之純度在4N以上,鑭中之鋁、鐵及銅的含量分別在100wtppm以下,並且氧含量在1500wtppm以下,鹼金屬及鹼土金屬之各元素的含量分別在1wtppm以下,除上述以外之過渡金屬及高熔點金屬之各元素的含量分別在10wtppm以下,放射性元素的含量分別在10wtppb以下。本發明之課題,在於提供一種可有效率且穩定地提供高純度鑭、高純度材料鑭所構成之濺鍍靶、及高純度材料鑭作為主成分之金屬閘用薄膜的技術。
简体摘要：一种高纯度镧,其特征在于:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下;以及一种高纯度镧,其特征在于:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下,并且氧含量在1500wtppm以下,碱金属及碱土金属之各元素的含量分别在1wtppm以下,除上述以外之过渡金属及高熔点金属之各元素的含量分别在10wtppm以下,放射性元素的含量分别在10wtppb以下。本发明之课题,在于提供一种可有效率且稳定地提供高纯度镧、高纯度材料镧所构成之溅镀靶、及高纯度材料镧作为主成分之金属闸用薄膜的技术。

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