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1. 实用新型

TWM598707U 具有奈米矽的口罩有权
简体标题：具有奈米硅的口罩
公开(公告)号：TWM598707U
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW109204688
申请日：2020-04-17
申请人：兆晶科技股份有限公司 , CLEAN & GREEN TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：吳祖光 , WU, CHU KWANG
IPC分类号： A62B9/06 , A41D13/11 , C09D5/14 , C09D183/00 , B01D29/01 , B01D39/14

2. 发明专利

TW200832741A 發光二極體結構及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 审中-公开
简体标题：发光二极管结构及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW200832741A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096102746
申请日：2007-01-24
申请人：兆晶科技股份有限公司 TERA XTAL TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：胡明理 HU, MING LI , 陳炳忠 CHEN, BING JUNG , 朝春光 CHAO, CHUNG GUANG , 陳蓉萱 CHEN, JUNG HSUAN
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體,包括:基板;微米級多孔性光子晶體結構,形成於基板之上;作為緩衝層之奈米級多孔性光子晶體結構,形成於基板之上;第一型磊晶層,形成於上述緩衝層多孔性光子晶體結構之上;發光層,形成於上述第一型磊晶層之上;第二型磊晶層,形成於上述發光層之上;第一接觸電極,形成於上述該第一型磊晶層之上;以及,第二接觸電極,形成於上述第二型磊晶層之上。
简体摘要：一种发光二极管,包括:基板;微米级多孔性光子晶体结构,形成于基板之上;作为缓冲层之奈米级多孔性光子晶体结构,形成于基板之上;第一型磊晶层,形成于上述缓冲层多孔性光子晶体结构之上;发光层,形成于上述第一型磊晶层之上;第二型磊晶层,形成于上述发光层之上;第一接触电极,形成于上述该第一型磊晶层之上;以及,第二接触电极,形成于上述第二型磊晶层之上。

3. 发明专利

TW200832740A 發光二極體結構及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 审中-公开
简体标题：发光二极管结构及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW200832740A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096102745
申请日：2007-01-24
申请人：兆晶科技股份有限公司 TERA XTAL TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：胡明理 HU, MING LI , 陳炳忠 CHEN, BING JUNG , 朝春光 CHAO, CHUNG GUANG , 陳蓉萱 CHEN, JUNG HSUAN
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體,包括:基板,具有微米級孔洞於其中;作為緩衝層之奈米級多孔性光子晶體結構,形成於基板之上;第一型磊晶層,形成於上述緩衝層多孔性光子晶體結構之上;發光層,形成於上述第一型磊晶層之上;第二型磊晶層,形成於上述發光層之上;第一接觸電極,形成於上述該第一型磊晶層之上;以及,第二接觸電極,形成於上述第二型磊晶層之上。
简体摘要：一种发光二极管,包括:基板,具有微米级孔洞于其中;作为缓冲层之奈米级多孔性光子晶体结构,形成于基板之上;第一型磊晶层,形成于上述缓冲层多孔性光子晶体结构之上;发光层,形成于上述第一型磊晶层之上;第二型磊晶层,形成于上述发光层之上;第一接触电极,形成于上述该第一型磊晶层之上;以及,第二接触电极,形成于上述第二型磊晶层之上。

4. 发明专利

TWI335678B 發光二極體結構及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 有权
简体标题：发光二极管结构及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TWI335678B
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW095140839
申请日：2006-11-03
申请人：兆晶科技股份有限公司
发明人：朝春光 , 胡明理 , 陳蓉萱 , 劉緒東
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體，包括：基板；第一型磊晶層，形成於上述基板之上；發光層，形成於上述第一型磊晶層之上；第二型磊晶層，形成於上述發光層之上；奈米級多孔性光子晶體結構，形成於上述第二型磊晶層之上；第一接觸電極，形成於上述該第一型磊晶層之上；以及，第二接觸電極，形成於上述第二型磊晶層之上。
简体摘要：一种发光二极管，包括：基板；第一型磊晶层，形成于上述基板之上；发光层，形成于上述第一型磊晶层之上；第二型磊晶层，形成于上述发光层之上；奈米级多孔性光子晶体结构，形成于上述第二型磊晶层之上；第一接触电极，形成于上述该第一型磊晶层之上；以及，第二接触电极，形成于上述第二型磊晶层之上。

5. 发明专利

TW200822387A 發光二極體結構及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 审中-公开
简体标题：发光二极管结构及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW200822387A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW095140839
申请日：2006-11-03
申请人：兆晶科技股份有限公司 TERA XTAL TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：朝春光 CHAO, CHUEN GUANG , 胡明理 HU, MING LI , 陳蓉萱 CHEN, JUNG HSUAN , 劉緖東 LIU, SHIU TONG
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體,包括:基板;第一型磊晶層,形成於上述基板之上;發光層,形成於上述第一型磊晶層之上;第二型磊晶層,形成於上述發光層之上;奈米級多孔性光子晶體結構,形成於上述第二型磊晶層之上;第一接觸電極,形成於上述該第一型磊晶層之上;以及,第二接觸電極,形成於上述第二型磊晶層之上。
简体摘要：一种发光二极管,包括:基板;第一型磊晶层,形成于上述基板之上;发光层,形成于上述第一型磊晶层之上;第二型磊晶层,形成于上述发光层之上;奈米级多孔性光子晶体结构,形成于上述第二型磊晶层之上;第一接触电极,形成于上述该第一型磊晶层之上;以及,第二接触电极,形成于上述第二型磊晶层之上。

6. 发明专利

TW201145564A 發光二極體之製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管之制造方法
公开(公告)号：TW201145564A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099119354
申请日：2010-06-14
申请人：兆晶科技股份有限公司
发明人：劉緒東 , 魏明德 , 呂權浪
IPC分类号： H01L
摘要：本發明有關於一種發光二極體之製造方法,該製造方法主要將大尺寸基板劃分成小尺寸的複數磊晶成長區,於每一磊晶成長區成長一磊晶結構,形成複數發光二極體晶片,有效防止發光二極體晶片之基板產生翹曲,即使發光二極體晶片之基板產生翹曲,亦沿著該些磊晶成長區周圍之複數分割溝槽自然分裂,不會損壞其他發光二極體晶片,有效提升製程之良率。
简体摘要：本发明有关于一种发光二极管之制造方法,该制造方法主要将大尺寸基板划分成小尺寸的复数磊晶成长区,于每一磊晶成长区成长一磊晶结构,形成复数发光二极管芯片,有效防止发光二极管芯片之基板产生翘曲,即使发光二极管芯片之基板产生翘曲,亦沿着该些磊晶成长区周围之复数分割沟槽自然分裂,不会损坏其他发光二极管芯片,有效提升制程之良率。

7. 发明专利

TWI336961B 發光二極體結構及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 有权
简体标题：发光二极管结构及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TWI336961B
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW096102746
申请日：2007-01-24
申请人：兆晶科技股份有限公司
发明人：胡明理 , 陳炳忠 , 朝春光 , 陳蓉萱
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體，包括：基板；微米級多孔性光子晶體結構，形成於基板之上；作為緩衝層之奈米級多孔性光子晶體結構，形成於基板之上；第一型磊晶層，形成於上述緩衝層多孔性光子晶體結構之上；發光層，形成於上述第一型磊晶層之上；第二型磊晶層，形成於上述發光層之上；第一接觸電極，形成於上述該第一型磊晶層之上；以及，第二接觸電極，形成於上述第二型磊晶層之上。
简体摘要：一种发光二极管，包括：基板；微米级多孔性光子晶体结构，形成于基板之上；作为缓冲层之奈米级多孔性光子晶体结构，形成于基板之上；第一型磊晶层，形成于上述缓冲层多孔性光子晶体结构之上；发光层，形成于上述第一型磊晶层之上；第二型磊晶层，形成于上述发光层之上；第一接触电极，形成于上述该第一型磊晶层之上；以及，第二接触电极，形成于上述第二型磊晶层之上。

8. 发明专利

TW201209909A 圖案化基板之製造方法审中-公开
简体标题：图案化基板之制造方法
公开(公告)号：TW201209909A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW099127835
申请日：2010-08-20
申请人：兆晶科技股份有限公司
发明人：魏明德
IPC分类号： H01L
摘要：本發明有關於一種圖案化基板之製造方法,主要結合乾式蝕刻之優點及濕式蝕刻之優點。本發明之製造方法先使用乾式蝕刻基板形成圖案化基板,最後利用濕式蝕刻之高溫的化學蝕刻液對圖案化基板之表面進行處理,不但可穩定地控制製程品質及具有高良率,圖案化基板更具有良好的表面狀態,磊晶後之圖案化基板之電性表現不會受到影響。
简体摘要：本发明有关于一种图案化基板之制造方法,主要结合干式蚀刻之优点及湿式蚀刻之优点。本发明之制造方法先使用干式蚀刻基板形成图案化基板,最后利用湿式蚀刻之高温的化学蚀刻液对图案化基板之表面进行处理,不但可稳定地控制制程品质及具有高良率,图案化基板更具有良好的表面状态,磊晶后之图案化基板之电性表现不会受到影响。

9. 实用新型

TWM406262U 圖案化基板結構有权
简体标题：图案化基板结构
公开(公告)号：TWM406262U
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW099216978
申请日：2010-09-01
申请人：兆晶科技股份有限公司
发明人：魏明德
IPC分类号： H01L
摘要：本創作有關於一種圖案化基板結構，主要於一基板上設有複數凸出物，每一凸出物之頂端具有一凹陷部，當磊晶於本創作之圖案化基板結構時，該磊晶層沉積於該些凸出物之該些凹陷部內及該些凸出物之間，如此之後所使用之緩衝層之厚度較薄。另外，當光進入具有該凹陷部之該凸出物時，具有該凹陷部之該凸出物將利用其凸凹結構改變光的折射反射路徑，如此可有效降低產生光全反射之機會。
简体摘要：本创作有关于一种图案化基板结构，主要于一基板上设有复数凸出物，每一凸出物之顶端具有一凹陷部，当磊晶于本创作之图案化基板结构时，该磊晶层沉积于该些凸出物之该些凹陷部内及该些凸出物之间，如此之后所使用之缓冲层之厚度较薄。另外，当光进入具有该凹陷部之该凸出物时，具有该凹陷部之该凸出物将利用其凸凹结构改变光的折射反射路径，如此可有效降低产生光全反射之机会。

10. 发明专利

TW200822385A 發光二極體結構及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 审中-公开
简体标题：发光二极管结构及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW200822385A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW095140820
申请日：2006-11-03
申请人：兆晶科技股份有限公司 TERA XTAL TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：朝春光 CHAO, CHUEN GUANG , 胡明理 HU, MING LI , 陳蓉萱 CHEN, JUNG HSUAN , 劉緖東 LIU, SHIU TONG
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體,包括:基板;多孔性光子晶體結構,形成於基板之上;第一型磊晶層,形成於上述多孔性光子晶體結構之上;發光層,形成於上述第一型磊晶層之上;第二型磊晶層,形成於上述發光層之上;第一接觸電極,形成於上述該第一型磊晶層之上;以及,第二接觸電極,形成於上述第二型磊晶層之上。
简体摘要：一种发光二极管,包括:基板;多孔性光子晶体结构,形成于基板之上;第一型磊晶层,形成于上述多孔性光子晶体结构之上;发光层,形成于上述第一型磊晶层之上;第二型磊晶层,形成于上述发光层之上;第一接触电极,形成于上述该第一型磊晶层之上;以及,第二接触电极,形成于上述第二型磊晶层之上。

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