基本信息:
- 专利标题： 具有選擇性接合墊保護的ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ積體電路裝置
- 专利标题（英）：CMOS-MEMS integrated device with selective bond pad protection
- 专利标题（中）：具有选择性接合垫保护的ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ集成电路设备
- 申请号：TW105113254 申请日：2016-04-28
- 公开(公告)号：TW201709449A 公开(公告)日：2017-03-01
- 发明人： 李大成 , LEE, DAESUNG
- 申请人： 伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
- 专利权人： 伊凡聖斯股份有限公司,INVENSENSE, INC.
- 当前专利权人： 伊凡聖斯股份有限公司,INVENSENSE, INC.
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 14/699,938 20150429
- 主分类号： H01L23/488
- IPC分类号： H01L23/488 ; B81C1/00
摘要：
揭露一種用來製備半導體晶圓的方法和系統。在第一態樣中，該方法包含：在該半導體晶圓上的圖案化頂部金屬上方設置鈍化層；使用第一掩膜蝕刻該鈍化層，以在該半導體晶圓中開啟接合墊；在該半導體晶圓上沉積保護層；使用第二掩膜圖案化該保護層；以及使用第三掩膜蝕刻該鈍化層，以在該半導體晶圓中開啟其它電極。該系統包含MEMS裝置，其還包含第一基板和接合至該第一基板的第二基板，其中，該第二基板是由該方法的前述步驟所製備。
摘要（中）：
揭露一种用来制备半导体晶圆的方法和系统。在第一态样中，该方法包含：在该半导体晶圆上的图案化顶部金属上方设置钝化层；使用第一掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中打开接合垫；在该半导体晶圆上沉积保护层；使用第二掩膜图案化该保护层；以及使用第三掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中打开其它电极。该系统包含MEMS设备，其还包含第一基板和接合至该第一基板的第二基板，其中，该第二基板是由该方法的前述步骤所制备。
摘要（英）：
A method and system for preparing a semiconductor wafer are disclosed. In a first aspect, the method comprises providing a passivation layer over a patterned top metal on the semiconductor wafer, etching the passivation layer to open a bond pad in the semiconductor wafer using a first mask, depositing a protection layer on the semiconductor wafer, patterning the protective layer using a second mask, and etching the passivation layer to open other electrodes in the semiconductor wafer using a third mask. The system comprises a MEMS device that further comprises a first substrate and a second substrate bonded to the first substrate, wherein the second substrate is prepared by the aforementioned steps of the method.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/488 | ..由焊接或黏结结构组成 |