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1. 发明专利

TW200639908A 爐管的門板 DOOR PLATE FOR FURNACE 审中-公开
简体标题：炉管的门板 DOOR PLATE FOR FURNACE
公开(公告)号：TW200639908A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095110661
申请日：2006-03-28
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：本倫貝克巴克 BERENBAK, BART , 迪里德克里斯 G.M/DE RIDDER, CHRIS G.M
IPC分类号： H01L , E06B
CPC分类号： H01L21/67126
摘要：一種垂直爐管之處理腔室，其具有包括上門板以及下門板之閉合物或門。上門板具有最接近其中心之排氣開口，藉此允許處理氣體經由處理腔室且進入排氣開口之對稱流動。上門板與下門板隔開以形成利用惰性氣體來淨化之密封腔室。視需要，排氣開口與密封腔室兩者均流注入在上門板內部所形成之排氣通道中。排氣通道通向排氣裝置，排氣裝置自爐管排出氣體且使腐蝕性處理氣體之流動路徑與下門板之表面隔開，下門板可由相對較易腐蝕之金屬形成。
简体摘要：一种垂直炉管之处理腔室，其具有包括上门板以及下门板之闭合物或门。上门板具有最接近其中心之排气开口，借此允许处理气体经由处理腔室且进入排气开口之对称流动。上门板与下门板隔开以形成利用惰性气体来净化之密封腔室。视需要，排气开口与密封腔室两者均流注入在上门板内部所形成之排气信道中。排气信道通向排气设备，排气设备自炉管排出气体且使腐蚀性处理气体之流动路径与下门板之表面隔开，下门板可由相对较易腐蚀之金属形成。

2. 发明专利

TW576873B 在基底上生長薄膜之方法有权
简体标题：在基底上生长薄膜之方法
公开(公告)号：TW576873B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW089107027
申请日：2000-04-14
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：史文林德佛斯 LINDFORS, SVEN , 派克梭尼 SOININEN, PEKKA T.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/4402 , C23C16/4482 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：一種按ALCVD法在放置於反應室中之基底上生長薄膜的方法，基底接受至少2種氣化作用物交替與連續的表面反應。該方法包括在將作用物饋入反應室前，先將氣化之作用物通過一過濾器。按照本發明，鈍氣經由第二導管饋入第一導管，在連接點與第一導管連接，以便在作用物的氣相脈衝間的時間間隔產生氣障，以阻擋來自作用物源之氣化的作用物經由第一導管進入反應室。第一導管內的鈍氣經由與第一導管連接的第三導管排放。第三導管保持在等於或高於氣相作用物凝結的溫度，它在第一導管與第二導管連接點的上游連接到第一導管。經由本發明，可以有效地控制整個製程，製程之熱區中活動零件的數量減少，藉以減少投資成本。
简体摘要：一种按ALCVD法在放置于反应室中之基底上生长薄膜的方法，基底接受至少2种气化作用物交替与连续的表面反应。该方法包括在将作用物馈入反应室前，先将气化之作用物通过一过滤器。按照本发明，钝气经由第二导管馈入第一导管，在连接点与第一导管连接，以便在作用物的气相脉冲间的时间间隔产生气障，以阻挡来自作用物源之气化的作用物经由第一导管进入反应室。第一导管内的钝气经由与第一导管连接的第三导管排放。第三导管保持在等于或高于气相作用物凝结的温度，它在第一导管与第二导管连接点的上游连接到第一导管。经由本发明，可以有效地控制整个制程，制程之热区中活动零件的数量减少，借以减少投资成本。

3. 发明专利

TWI277140B 蒸發液體反應物之斷續式供應方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR THE PULSE-WISE SUPPLY OF A VAPORIZED LIQUID REACTANT 有权
简体标题：蒸发液体反应物之断续式供应方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR THE PULSE-WISE SUPPLY OF A VAPORIZED LIQUID REACTANT
公开(公告)号：TWI277140B
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：TW092118177
申请日：2003-07-03
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：賽文林德福斯 SVEN LINDFORS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/45544
摘要：由一個液體源提供蒸發反應物到一個比如為原子層沈積(ALD)反應器的蒸氣反應器之方法與結構。在反應器的熱區外面會有一個儲存容器承裝大量的液態反應物(或是溶解在液態溶劑內的固體反應物)，而不會延長暴露在高溫下造成分解。儲存的容器會與反應器的熱區內的蒸氣反應室作液態傳遞，像是在蒸發室內會維持在一個高蒸氣壓下。重新填滿熱區外面的儲存容器會比較簡單，且大量的液態反應物不會延長暴露在不安定的溫度下；同時將蒸發室維持在熱區內的優點也可以保留。此外，在沈積進行或是周期性間斷時，維持在蒸發室內的液態反應物可以被吸回去儲存容器或是到一個分離的汲取容器內，該處維持在較冷的溫度下。
简体摘要：由一个液体源提供蒸发反应物到一个比如为原子层沉积(ALD)反应器的蒸气反应器之方法与结构。在反应器的热区外面会有一个存储容器承装大量的液态反应物(或是溶解在液态溶剂内的固体反应物)，而不会延长暴露在高温下造成分解。存储的容器会与反应器的热区内的蒸气反应室作液态传递，像是在蒸发室内会维持在一个高蒸气压下。重新填满热区外面的存储容器会比较简单，且大量的液态反应物不会延长暴露在不安定的温度下；同时将蒸发室维持在热区内的优点也可以保留。此外，在沉积进行或是周期性间断时，维持在蒸发室内的液态反应物可以被吸回去存储容器或是到一个分离的汲取容器内，该处维持在较冷的温度下。

4. 发明专利

TW200615396A 使含鉛之氧化物膜沈積的方法 METHOD OF DEPOSITING LEAD CONTAINING OXIDES FILMS 审中-公开
简体标题：使含铅之氧化物膜沉积的方法 METHOD OF DEPOSITING LEAD CONTAINING OXIDES FILMS
公开(公告)号：TW200615396A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094137328
申请日：2005-10-25
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：麥堤普科納 PUTKONEN, MATTI , 珍妮哈朱嘉 HARJUOJA, JENNI E. , 漢努休塔瑞 HUOTARI, HANNU
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45531 , C23C16/409 , C23C16/45553
摘要：本發明係關於一種藉由原子層沈積法以製造含鉛之氧化物薄膜的方法，其包括使用一具有經由碳–鉛鍵而鍵結至鉛原子上之有機配位子的金屬–有機鉛化合物做為氧化鉛原料。具有優異均勻性之化學計量PbTiO3薄膜可藉在250及300℃下使用如Ph4Pb、O3、Ti(O^iPr)4及H2O做為前驅物並經由ALD生長而沈積在基材上。
简体摘要：本发明系关于一种借由原子层沉积法以制造含铅之氧化物薄膜的方法，其包括使用一具有经由碳–铅键而键结至铅原子上之有机配位子的金属–有机铅化合物做为氧化铅原料。具有优异均匀性之化学计量PbTiO3薄膜可藉在250及300℃下使用如Ph4Pb、O3、Ti(O^iPr)4及H2O做为前驱物并经由ALD生长而沉积在基材上。

5. 发明专利

TW200610835A 批次反應器中之氮化鈦膜的沉積方法 DEPOSITION OF TiN FILMS IN A BATCH REACTOR 审中-公开
简体标题：批次反应器中之氮化钛膜的沉积方法 DEPOSITION OF TiN FILMS IN A BATCH REACTOR
公开(公告)号：TW200610835A
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW094114999
申请日：2005-05-10
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：哈斯伯艾伯特 HASPER, ALBERT , 史尼德斯傑特珍 SNIJDERS, GERT-JAN , 芬迪贊德瀨伏 VANDEZANDE, LIEVE , 迪柏雷克瑪琳俄斯J DE BLANK, MARINUS J. , 班克瑞斯瑞德寇吉瑞德 BANKRAS, RADKO GERARD
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , H01L21/28556
摘要：使用四氯化鈦和氨作為前驅物，在批次反應器中形成氮化鈦薄膜。四氯化鈦在依時間分開的脈衝中流入反應器。氨也在與四氯化鈦脈衝交替產生的依時間隔開的脈衝中流入反應器內，或者當在脈衝中引入四氯化鈦時，氨是連續地流入反應器內。產生的氮化鈦薄膜展示了低電阻率和好的均勻性。
简体摘要：使用四氯化钛和氨作为前驱物，在批次反应器中形成氮化钛薄膜。四氯化钛在依时间分开的脉冲中流入反应器。氨也在与四氯化钛脉冲交替产生的依时间隔开的脉冲中流入反应器内，或者当在脉冲中引入四氯化钛时，氨是连续地流入反应器内。产生的氮化钛薄膜展示了低电阻率和好的均匀性。

6. 发明专利

TW200414318A 氧架橋結構與方法 OXYGEN BRIDGE STRUCTURES AND METHODS 审中-公开
简体标题：氧架桥结构与方法 OXYGEN BRIDGE STRUCTURES AND METHODS
公开(公告)号：TW200414318A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092129711
申请日：2003-10-27
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：伊佛拉吉瑪克思 RAAIJMAKERS, IVO , 佩卡J. 索伊尼涅 SOININEN, PEKKA J. , 凱艾瑞克艾勒兒斯 ELERS, KAI-ERIK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76846 , C23C16/0272 , H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/76856 , H01L21/76879 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種改善擴散阻障薄膜與金屬薄膜之間的黏著性之方法，且擴散阻障薄膜與金屬薄膜可以以任何順序沈積在一半導體基底上。此方法係首先將包括有一第一膜層之一基底暴露於一含氧反應物，以在第一薄膜之暴露的表面形成一表面端，其係為含氧基或氧原子之一單原子層，其中第一膜層可以是擴散阻障薄膜或金屬薄膜，且至少暴露出基底之部分表面。之後，在基底上方沈積第二薄膜，第二薄膜係為擴散阻障薄膜或金屬薄膜，其係為與第一薄膜不相同之另一種薄膜。另外，本發明更提出一種氧架橋結構，此結構包括一擴散阻障薄膜以及一金屬薄膜，其與擴散阻障層之間具有一介面，其中此介面包括氧原子之單原子層。
简体摘要：一种改善扩散阻障薄膜与金属薄膜之间的黏着性之方法，且扩散阻障薄膜与金属薄膜可以以任何顺序沉积在一半导体基底上。此方法系首先将包括有一第一膜层之一基底暴露于一含氧反应物，以在第一薄膜之暴露的表面形成一表面端，其系为含氧基或氧原子之一单原子层，其中第一膜层可以是扩散阻障薄膜或金属薄膜，且至少暴露出基底之部分表面。之后，在基底上方沉积第二薄膜，第二薄膜系为扩散阻障薄膜或金属薄膜，其系为与第一薄膜不相同之另一种薄膜。另外，本发明更提出一种氧架桥结构，此结构包括一扩散阻障薄膜以及一金属薄膜，其与扩散阻障层之间具有一界面，其中此界面包括氧原子之单原子层。

7. 发明专利

TW200404912A 由固體前驅物製造蒸氣的方法以及以該方法處理基底之系統 METHOD OF PRODUCTING VAPOR FROM SOLID PRECURSOR AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM USING THE SAME 审中-公开
简体标题：由固体前驱物制造蒸气的方法以及以该方法处理基底之系统 METHOD OF PRODUCTING VAPOR FROM SOLID PRECURSOR AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM USING THE SAME
公开(公告)号：TW200404912A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092116365
申请日：2003-06-17
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：馬可涂民納 MARKO TUOMINEN , 艾立克塞羅 ERIC SHERO , 莫西斯維埃茲 MOHITH VERGHESE
IPC分类号： C23C
摘要：一種改善對昇華容器內之固態前趨物之加熱裝置與加熱方法。在一實施例中，熱傳導物件係散佈於固態前趨物單元之間。例如，熱傳導物件可以包括顆粒、珠狀、桿狀與纖維狀等。在一實施例中，微波能量可以直接加熱熱傳導物件。
简体摘要：一种改善对升华容器内之固态前趋物之加热设备与加热方法。在一实施例中，热传导对象系散布于固态前趋物单元之间。例如，热传导对象可以包括颗粒、珠状、杆状与纤维状等。在一实施例中，微波能量可以直接加热热传导对象。

8. 发明专利

TW576878B 用於處理半導體基體之垂直爐失效
简体标题：用于处理半导体基体之垂直炉
公开(公告)号：TW576878B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW087117634
申请日：1998-10-23
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：雅各布希 BUYZE, JACOBUS PIETER , 侯恩史脫賀斯迪 STOUTJESDYK, JEROEN JAN , 西迪萊德 DE RIDDER, C.G.M. , 賀伯史多哈 STOHR, HUBERTUS JOHANNUS JULIUS
IPC分类号： C30B , C23C
CPC分类号： C23C16/45519 , C23C16/44 , C30B25/08
摘要：用於處理半導體基體之垂直爐。耐火材料的分隔器構成在爐裡的處理室的邊界。為增加它的壽命，特定的說，為限制對爐的處理氣留下的沈積物的敏感度，用碳化矽做分隔器。為密封爐室，在此型分隔器周圍設石英的第二分隔器，且沖洗在此二分隔器之間的空隙。
简体摘要：用于处理半导体基体之垂直炉。耐火材料的分隔器构成在炉里的处理室的边界。为增加它的寿命，特定的说，为限制对炉的处理气留下的沉积物的敏感度，用碳化硅做分隔器。为密封炉室，在此型分隔器周围设石英的第二分隔器，且冲洗在此二分隔器之间的空隙。

9. 发明专利

TW576874B 於基板上生長薄膜之方法失效
简体标题：于基板上生长薄膜之方法
公开(公告)号：TW576874B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW090117837
申请日：2001-07-20
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：史文林德佛斯 LINDFORS, SVEN , 派克梭尼 SOININEN, PEKKA T.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/45544 , C30B25/14
摘要：本發明係關於薄膜製造。特別地，發明關於在基板上生長薄膜之方法，在方法中係依據ALD術，基板置於反應室中並接受複數個汽相反應物的表面反應。本發明係以改進的先驅體配劑系統取代傳統上用於調節反應物脈送之機械閥為基礎，這些機械閥傾向於磨耗及將金屬粒子導入製程流體中。發明之特徵在於在汽相脈沖之間阻流反應物流體並仍然允許最小的該反應物流體，以及在這些時候將反應物重新導向至反應物室以外的其它目的地。重新導向係以惰性氣體執行，惰性氣體也用以在汽相脈沖之間使反應室通風。
简体摘要：本发明系关于薄膜制造。特别地，发明关于在基板上生长薄膜之方法，在方法中系依据ALD术，基板置于反应室中并接受复数个汽相反应物的表面反应。本发明系以改进的先驱体配剂系统取代传统上用于调节反应物脉送之机械阀为基础，这些机械阀倾向于磨耗及将金属粒子导入制程流体中。发明之特征在于在汽相脉冲之间阻流反应物流体并仍然允许最小的该反应物流体，以及在这些时候将反应物重新导向至反应物室以外的其它目的地。重新导向系以惰性气体运行，惰性气体也用以在汽相脉冲之间使反应室通风。

10. 发明专利

TWI272664B 原子層化學氣相沈積法 ATOMIC LAYER CVD 有权
简体标题：原子层化学气相沉积法 ATOMIC LAYER CVD
公开(公告)号：TWI272664B
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW090114749
申请日：2001-06-18
申请人： ASM國際股份有限公司 ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：馬格瑞特.凡威傑克 VAN WIJCK, MARGREET ALBERTINE ANNE-MARIE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/4412 , C23C16/45508 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45559 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：原子層沉積被用來在複數個碟狀基材上，製備一固體薄膜。該些基材被分隔在一晶舟上，並進入爐中並加熱到沉積溫度。在該爐中，該基材被曝露於至少兩個相互反應的反應物之交替及順序脈動中，於此方式下，沉積溫度高得足以預防上至少兩個反應物凝結於表面上但又不夠高到造成至少兩個個別反應物的重大熱分解。
简体摘要：原子层沉积被用来在复数个碟状基材上，制备一固体薄膜。该些基材被分隔在一晶舟上，并进入炉中并加热到沉积温度。在该炉中，该基材被曝露于至少两个相互反应的反应物之交替及顺序脉动中，于此方式下，沉积温度高得足以预防上至少两个反应物凝结于表面上但又不够高到造成至少两个个别反应物的重大热分解。

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