专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200800930A 用以預防及治療涉及RYR受體調節失調症之藥劑 AGENTS FOR PREVENTING AND TREATING DISORDERS INVOLVING MODULATION OF THE RYR RECEPTORS 审中-公开
简体标题：用以预防及治疗涉及RYR受体调节失调症之药剂 AGENTS FOR PREVENTING AND TREATING DISORDERS INVOLVING MODULATION OF THE RYR RECEPTORS
公开(公告)号：TW200800930A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW095131037
申请日：2006-08-23
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：馬克安德魯羅伯特 MARKS, ANDREW ROBERT , 蘭德瑞多納多W LANDRY, DONALD W. , 丁席賢 DENG, SHIXIAN , 沈正莊 CHENG, ZHEN ZHUANG , 雷納特史蒂分E LEHNART, STEPHEN E.
IPC分类号： C07D
CPC分类号： C07D281/10 , C07D417/12 , C07D417/14
摘要：本發明提供式Ⅰ化合物
095131037P01.bmp
及其鹽類、水合物、溶劑合物、複合物和前驅藥。本發明進一步提供合成式Ⅰ化合物的方法。本發明另外提供含式Ⅰ化合物的藥學組合物以及利用該式Ⅰ之藥學組合物治療和預防與細胞內調節鈣通道功能之RyR受體有關之失調和疾病的方法。
简体摘要：本发明提供式Ⅰ化合物 095131037P01.bmp 及其盐类、水合物、溶剂合物、复合物和前驱药。本发明进一步提供合成式Ⅰ化合物的方法。本发明另外提供含式Ⅰ化合物的药学组合物以及利用该式Ⅰ之药学组合物治疗和预防与细胞内调节钙信道功能之RyR受体有关之失调和疾病的方法。

2. 发明专利

TW200733239A 薄膜之線性掃描連續橫向固化 LINE SCAN SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION OF THIN FILMS 失效
简体标题：薄膜之线性扫描连续横向固化 LINE SCAN SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION OF THIN FILMS
公开(公告)号：TW200733239A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095143569
申请日：2006-11-24
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S. , 偉特保羅C 凡迪爾 WILT, PAUL C. VAN DER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0738 , C30B13/00 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：一多結晶膜係藉由下述步驟來製備:(a)提供一基材,該基材具有一設置於其上之薄膜,該膜可以進行雷射誘發熔化;(b)產生一連串雷射脈衝,該些脈衝具有足以在一被輻射區域中穿透膜厚度而熔化該膜之通量,每一脈衝形成一具有預定長度與寬度之線束,該寬度足以避免在一部分被雷射脈衝所輻射之薄膜中的固體成核;(c)以一第一雷射脈衝來輻射該膜之一第一區域,以形成一第一熔化區,該第一熔化區沿著其長度顯示出寬度變化,藉此界定一最大寬度(Wmax)與一最小寬度(Wmin),其中該第一熔化區冷卻時係結晶化以形成一或多個橫向成長結晶;(d)在橫向成長方向上橫向移動該膜一距離,其中該距離大於約一半的Wmax且小於Wmin;以及(e)以一第二雷射脈衝來輻射該膜之一第二區域,以形成一第二熔化區,該第二熔化區具有實質上相同於該第一熔化區之形狀,其中該第二熔化區在冷卻時係結晶化以形成一或多個橫向成長結晶,該第二熔化區中橫向成長結晶係為該第一熔化區中橫向成長結晶之延長部分。
简体摘要：一多结晶膜系借由下述步骤来制备:(a)提供一基材,该基材具有一设置于其上之薄膜,该膜可以进行激光诱发熔化;(b)产生一连串激光脉冲,该些脉冲具有足以在一被辐射区域中穿透膜厚度而熔化该膜之通量,每一脉冲形成一具有预定长度与宽度之线束,该宽度足以避免在一部分被激光脉冲所辐射之薄膜中的固体成核;(c)以一第一激光脉冲来辐射该膜之一第一区域,以形成一第一熔化区,该第一熔化区沿着其长度显示出宽度变化,借此界定一最大宽度(Wmax)与一最小宽度(Wmin),其中该第一熔化区冷却时系结晶化以形成一或多个横向成长结晶;(d)在横向成长方向上横向移动该膜一距离,其中该距离大于约一半的Wmax且小于Wmin;以及(e)以一第二激光脉冲来辐射该膜之一第二区域,以形成一第二熔化区,该第二熔化区具有实质上相同于该第一熔化区之形状,其中该第二熔化区在冷却时系结晶化以形成一或多个横向成长结晶,该第二熔化区中横向成长结晶系为该第一熔化区中横向成长结晶之延长部分。

3. 发明专利

TW200523988A 用於提供單掃描連續移動之連續橫向結晶以增加雙向晶粒成長之方法及系統以及用於幫助前述雙向晶粒成長之罩幕 METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A SINGLE-SCAN, CONTINUOUS MOTION SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION FOR ENABLING A BI-DIRECTIONAL GRAIN GROWTH, AND A MASK FOR FACILITATING SUCH BI-DIRECTIONAL GRAIN GROWTH 失效
简体标题：用于提供单扫描连续移动之连续横向结晶以增加双向晶粒成长之方法及系统以及用于帮助前述双向晶粒成长之罩幕 METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A SINGLE-SCAN, CONTINUOUS MOTION SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION FOR ENABLING A BI-DIRECTIONAL GRAIN GROWTH, AND A MASK FOR FACILITATING SUCH BI-DIRECTIONAL GRAIN GROWTH
公开(公告)号：TW200523988A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093128088
申请日：2004-09-16
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
摘要：茲提供一種處理一基材上一薄膜樣本之至少一部份的系統及方法。前述薄膜樣本部分具有一第一晶粒邊界及一第二晶粒邊界。該樣本上之一或多個第一區域被一照射光束脈衝之第一封束連續地照射以使該第一區域之整個厚度完全地融化，並再固化及結晶以於其中成長晶粒。其後薄膜樣本之一或多個第二區域被第二射束照射以使該第二區域整個厚度完全地融化。至少兩第二區域係部分地重疊於該經再固化及結晶之第一區域之一特殊區域，以使此特殊區域中之晶粒藉由此再固化過程成長進入該至少兩第二區域之每一者。
简体摘要：兹提供一种处理一基材上一薄膜样本之至少一部份的系统及方法。前述薄膜样本部分具有一第一晶粒边界及一第二晶粒边界。该样本上之一或多个第一区域被一照射光束脉冲之第一封束连续地照射以使该第一区域之整个厚度完全地融化，并再固化及结晶以于其中成长晶粒。其后薄膜样本之一或多个第二区域被第二射束照射以使该第二区域整个厚度完全地融化。至少两第二区域系部分地重叠于该经再固化及结晶之第一区域之一特殊区域，以使此特殊区域中之晶粒借由此再固化过程成长进入该至少两第二区域之每一者。

4. 发明专利

TW200514127A 用於在基材上使用線型光束之薄膜區域雷射長晶處理之製桯及系統,以及此類薄膜區域之結構 PROCESSES AND SYSTEMS FOR LASER CRYSTALLIZATION PROCESSING OF FILM REGIONS ON A SUBSTRATE UTILIZING A LINE-TYPE BEAM, AND STRUCTURES OF SUCH FILM REGIONS 失效
简体标题：用于在基材上使用线型光束之薄膜区域激光长晶处理之制桯及系统,以及此类薄膜区域之结构 PROCESSES AND SYSTEMS FOR LASER CRYSTALLIZATION PROCESSING OF FILM REGIONS ON A SUBSTRATE UTILIZING A LINE-TYPE BEAM, AND STRUCTURES OF SUCH FILM REGIONS
公开(公告)号：TW200514127A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093128076
申请日：2004-09-16
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S. , 威特保羅克里斯特安凡德 WILT, PAUL CHRISTIAAN VAN DER
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B13/24 , C30B35/00 , G21K5/02 , G21K5/10 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
摘要：本發明提供一種處理薄膜樣本之製程與系統以及至少一部分之薄膜結構。照射光束脈衝可被塑造形狀以定義至少一線型光束脈衝，且此線型光束脈衝包含一前緣部分、一上部及一後緣部，其中至少一部分之強度足以至少部分融化一薄膜樣本。照射此薄膜樣本之一第一部份以至少部分地融化此第一部份並讓此第一部份再固化及結晶以在其上形成一約略均勻之區域。在薄膜樣本之第一部份照射之後以第二個線型光束脈衝照射一第二部分以至少部分融化此第二部份並使得此第二部份再固化及結晶以在其上形成一約略均勻之區域。由該第一線型光束脈衝之上部照射之第一部份的一區段係避免被第二線型光束脈衝之後緣部分照射。
简体摘要：本发明提供一种处理薄膜样本之制程与系统以及至少一部分之薄膜结构。照射光束脉冲可被塑造形状以定义至少一线型光束脉冲，且此线型光束脉冲包含一前缘部分、一上部及一后缘部，其中至少一部分之强度足以至少部分融化一薄膜样本。照射此薄膜样本之一第一部份以至少部分地融化此第一部份并让此第一部份再固化及结晶以在其上形成一约略均匀之区域。在薄膜样本之第一部份照射之后以第二个线型光束脉冲照射一第二部分以至少部分融化此第二部份并使得此第二部份再固化及结晶以在其上形成一约略均匀之区域。由该第一线型光束脉冲之上部照射之第一部份的一区段系避免被第二线型光束脉冲之后缘部分照射。

5. 发明专利

TW200825176A 祖細胞於三度空間內之複製及分化 PROGENITOR CELL REPLICATION AND DIFFERENTIATION IN 3D 审中-公开
简体标题：祖细胞于三度空间内之复制及分化 PROGENITOR CELL REPLICATION AND DIFFERENTIATION IN 3D
公开(公告)号：TW200825176A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096131123
申请日：2007-08-22
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：傑瑞米毛 MAO, JEREMY J.
IPC分类号： C12N , C07K , A61K , C12M
CPC分类号： A61K35/28 , A61K38/1841 , A61L27/3834 , C12N5/0655 , C12N5/0663 , C12N2501/15 , C12N2533/40 , C12N2533/72
摘要：本發明關於一種組織祖細胞原位分化之新穎方法,該方法不需習用之數週細胞操作及處理。該方法令組織祖細胞在植入三度空間之生物相容性基質之前不需經二度空間之培養及分化,因此提供方便性、節省成本及節省時間。本發明之一方面提供工程化之組織組成物,其包含於雙相基質材料內之實質上未分化之組織祖細胞以及生長因子或包封之生長因子。本發明之另一方面包括用於製造此處所述之組成物之方法。本發明之另一方面包括利用此處所述之組成物進行治療性處理之方法。
简体摘要：本发明关于一种组织祖细胞原位分化之新颖方法,该方法不需习用之数周细胞操作及处理。该方法令组织祖细胞在植入三度空间之生物兼容性基质之前不需经二度空间之培养及分化,因此提供方便性、节省成本及节省时间。本发明之一方面提供工程化之组织组成物,其包含于双相基质材料内之实质上未分化之组织祖细胞以及生长因子或包封之生长因子。本发明之另一方面包括用于制造此处所述之组成物之方法。本发明之另一方面包括利用此处所述之组成物进行治疗性处理之方法。

6. 发明专利

TW200614664A CMOS負電阻及Q加强方法和設備 CMOS NEGATIVE RESISTANCE/Q ENHANCEMENT METHOD AND APPARATUS 审中-公开
简体标题： CMOS负电阻及Q加强方法和设备 CMOS NEGATIVE RESISTANCE/Q ENHANCEMENT METHOD AND APPARATUS
公开(公告)号：TW200614664A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094124743
申请日：2005-07-21
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：史坦尼克奈波撒 STANIC, NEBOJSA , 逖司維德斯葉尼 TSIVIDIS, YANNIS
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H03B5/1228 , H03B5/1212 , H03B5/124 , H03B2201/036
摘要：一種用以將關聯於一電子共振器系統之品質因數Q最佳化的設備，其中包含一LC共振器以及一提供一負電阻的最佳化電路。該最佳化電路係電子耦接於該共振器電路，且包含兩個CMOS電晶體組對，該CMOS電晶體組對由pmos＆nmos組成，各PMOS電晶體之閘極是透過電容器而與該輸入端交跨耦接至該共振器，以及該NMOS電晶體透過電容器而與該輸入端交跨耦接至該共振器。該最佳化電路可接收至少一個控制電壓，以藉由選擇性地偏壓該PMOS電晶體及NMOS電晶體來改變該負電阻。該最佳化電路也包含一電流源，將一受控制電流提供給該CMOS電晶體組對。該電流源位於一供應電壓與該CMOS電晶體組對之間，或者是位在該CMOS電晶體組對與一接地參考電壓之間。一電流控制電壓可控制流經該CMOS電晶體組對的電流。
简体摘要：一种用以将关联于一电子共振器系统之品质因子Q最优化的设备，其中包含一LC共振器以及一提供一负电阻的最优化电路。该最优化电路系电子耦接于该共振器电路，且包含两个CMOS晶体管组对，该CMOS晶体管组对由pmos＆nmos组成，各PMOS晶体管之闸极是透过电容器而与该输入端交跨耦接至该共振器，以及该NMOS晶体管透过电容器而与该输入端交跨耦接至该共振器。该最优化电路可接收至少一个控制电压，以借由选择性地偏压该PMOS晶体管及NMOS晶体管来改变该负电阻。该最优化电路也包含一电流源，将一受控制电流提供给该CMOS晶体管组对。该电流源位于一供应电压与该CMOS晶体管组对之间，或者是位在该CMOS晶体管组对与一接地参考电压之间。一电流控制电压可控制流经该CMOS晶体管组对的电流。

7. 发明专利

TW200611340A 使用多重光學路徑用以誘發薄膜結晶之系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR INDUCING CRYSTALLIZATION OF THIN FILMS USING MULTIPLE OPTICAL PATHS 审中-公开
简体标题：使用多重光学路径用以诱发薄膜结晶之系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR INDUCING CRYSTALLIZATION OF THIN FILMS USING MULTIPLE OPTICAL PATHS
公开(公告)号：TW200611340A
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW093129122
申请日：2004-09-24
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S.
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關於用具有不同的能量束特性之雷射束脈衝來照射一薄膜樣本的系統及方法，該等能量束特性是經由不同的光學路徑來產生及傳輸的。舉例性的方法包括的步驟有：產生複數具有能量束特性的雷射束脈衝，將一被產生的雷射束脈衝導引到一第一光學路徑上，調整該被第一光學路徑導引之雷射束脈衝的能量束特性，用該被第一光學路徑導引之雷射束脈衝來照射該薄膜的一第一區域的至少一部分用以誘發該第一區域的該部分的結晶，將一被產生的雷射束脈衝導引到一第二光學路徑上，調整該被第二光學路徑導引之雷射束脈衝的能量束特性，其中該被第二光學路徑導引之雷射束脈衝的能量束特性不同於該被第一光學路徑導引之雷射束脈衝的能量束特性，及用該被第二光學路徑導引之雷射束脈衝來照射該薄膜的一第二區域的至少一部分用以誘發該第二區域的該部分的結晶。一舉例性系統包括一第一光學路徑，一第二光學路徑，一光束轉向元件用來將雷射束脈衝導引到該第一光學路徑及該第二光學路徑；及一操作台用來控制一薄膜相對於經由該第一及第二光學路徑導引之雷射束脈衝的位置。
简体摘要：本发明系有关于用具有不同的能量束特性之激光束脉冲来照射一薄膜样本的系统及方法，该等能量束特性是经由不同的光学路径来产生及传输的。举例性的方法包括的步骤有：产生复数具有能量束特性的激光束脉冲，将一被产生的激光束脉冲导引到一第一光学路径上，调整该被第一光学路径导引之激光束脉冲的能量束特性，用该被第一光学路径导引之激光束脉冲来照射该薄膜的一第一区域的至少一部分用以诱发该第一区域的该部分的结晶，将一被产生的激光束脉冲导引到一第二光学路径上，调整该被第二光学路径导引之激光束脉冲的能量束特性，其中该被第二光学路径导引之激光束脉冲的能量束特性不同于该被第一光学路径导引之激光束脉冲的能量束特性，及用该被第二光学路径导引之激光束脉冲来照射该薄膜的一第二区域的至少一部分用以诱发该第二区域的该部分的结晶。一举例性系统包括一第一光学路径，一第二光学路径，一光束转向组件用来将激光束脉冲导引到该第一光学路径及该第二光学路径；及一操作台用来控制一薄膜相对于经由该第一及第二光学路径导引之激光束脉冲的位置。

8. 发明专利

TW200611316A 具有可變厚度之雷射輻射薄膜 LASER-IRRADIATED THIN FILMS HAVING VARIABLE THICKNESS 审中-公开
简体标题：具有可变厚度之激光辐射薄膜 LASER-IRRADIATED THIN FILMS HAVING VARIABLE THICKNESS
公开(公告)号：TW200611316A
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW093129120
申请日：2004-09-24
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S.
IPC分类号： H01L
摘要：一種結晶薄膜包括一第一結晶區其具有一第一薄膜厚度及一第一結晶晶粒結構；及一第二結晶區其具有一第二薄膜厚度及一第二結晶晶粒結構。該第一薄膜厚度大於該第二薄膜厚度且該第一及第二薄膜厚度被加以選擇用以提供一結晶區，其具有一裝置構件所欲求的結晶程度及方向。
简体摘要：一种结晶薄膜包括一第一结晶区其具有一第一薄膜厚度及一第一结晶晶粒结构；及一第二结晶区其具有一第二薄膜厚度及一第二结晶晶粒结构。该第一薄膜厚度大于该第二薄膜厚度且该第一及第二薄膜厚度被加以选择用以提供一结晶区，其具有一设备构件所欲求的结晶程度及方向。

9. 发明专利

TW200425282A 用於處理以連續橫向固化技術結晶之複數個半導體薄膜的系統及製程 SYSTEM AND PROCESS FOR PROCESSING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR THIN FILMS WHICH ARE CRYSTALLIZED USING SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION TECHNIQUES 审中-公开
简体标题：用于处理以连续横向固化技术结晶之复数个半导体薄膜的系统及制程 SYSTEM AND PROCESS FOR PROCESSING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR THIN FILMS WHICH ARE CRYSTALLIZED USING SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION TECHNIQUES
公开(公告)号：TW200425282A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093104151
申请日：2004-02-19
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/0673 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/067 , B23K26/12 , B23K26/127 , B23K26/128 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , Y10S117/904 , Y10T428/24802
摘要：一種製程與系統被提供用以處理多數半導體膜層樣品之每一半導體膜層樣品之至少一部份。於這些製程與系統中，輻射束源被控制以發射呈預定重複率之連續輻射束脈衝。使用如此發射的輻射束脈衝，半導體膜層樣品之一的至少一部份係以一第一順序橫向固化(SLS)技術及／或一第一均勻小晶粒材料(UGS)技術加以照射，以處理第一樣品的此等部份。於完成第一樣品之此部份處理時，再度導引該輻射束脈衝以碰撞該等半導體膜層樣品之一第二樣品的至少一部份。然後，使用該再被導引的輻射束脈衝，以一第二SLS技術及／或一第二UGS技術照射該第二樣品的此等部份，以處理該第二樣品的至少一部份。該第一及第二技術可以彼此不同或者實質上相同。
简体摘要：一种制程与系统被提供用以处理多数半导体膜层样品之每一半导体膜层样品之至少一部份。于这些制程与系统中，辐射束源被控制以发射呈预定重复率之连续辐射束脉冲。使用如此发射的辐射束脉冲，半导体膜层样品之一的至少一部份系以一第一顺序横向固化(SLS)技术及／或一第一均匀小晶粒材料(UGS)技术加以照射，以处理第一样品的此等部份。于完成第一样品之此部份处理时，再度导引该辐射束脉冲以碰撞该等半导体膜层样品之一第二样品的至少一部份。然后，使用该再被导引的辐射束脉冲，以一第二SLS技术及／或一第二UGS技术照射该第二样品的此等部份，以处理该第二样品的至少一部份。该第一及第二技术可以彼此不同或者实质上相同。

10. 发明专利

TW200939481A 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法 METHODS OF PRODUCING HIGH UNIFORMITY IN THIN FILM TRANSISTOR DEVICES FABRICATED ON LATERALLY CRYSTALLIZED THIN FILMS BY CHANGING THE SHAPE, SIZE, OR LASER BEAM 失效
简体标题：借由改变形状、大小或激光光束在制造于横向结晶化薄膜上之薄膜晶体管组件中产生高一致性的方法 METHODS OF PRODUCING HIGH UNIFORMITY IN THIN FILM TRANSISTOR DEVICES FABRICATED ON LATERALLY CRYSTALLIZED THIN FILMS BY CHANGING THE SHAPE, SIZE, OR LASER BEAM
公开(公告)号：TW200939481A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097136936
申请日：2008-09-25
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：伊詹姆斯S IM. JAMES S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78696
摘要：本發明描述藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法。一薄膜電晶體(TFT)包含設置在一結晶基材內的通道區。該結晶基材包含複數個晶粒邊界,該些晶粒邊界係彼此大致平行並且以大約相同的間距分隔開。該TFT的通道區包含一個形塑為多邊形的部分。該多邊形具有一對側邊及複數個底邊,該對側邊係經定向而實質上與該些晶粒邊界垂直,該些底邊的各個皆相對於該些晶粒邊界而以一傾斜角定位。每一個底邊的傾斜角係經選擇而使得該多邊形所覆蓋的晶粒邊界之平均數量的大約値係獨立於該通道區在該結晶基材內的位置。
简体摘要：本发明描述借由改变形状、大小或激光光束在制造于横向结晶化薄膜上薄膜晶体管组件中产生高一致性的方法。一薄膜晶体管(TFT)包含设置在一结晶基材内的信道区。该结晶基材包含复数个晶粒边界,该些晶粒边界系彼此大致平行并且以大约相同的间距分隔开。该TFT的信道区包含一个形塑为多边形的部分。该多边形具有一对侧边及复数个底边,该对侧边系经定向而实质上与该些晶粒边界垂直,该些底边的各个皆相对于该些晶粒边界而以一倾斜角定位。每一个底边的倾斜角系经选择而使得该多边形所覆盖的晶粒边界之平均数量的大约値系独立于该信道区在该结晶基材内的位置。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式