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1. 发明专利

TW200937676A 導光型發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：导光型发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW200937676A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097106669
申请日：2008-02-26
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 , 黃政國 , 馮輝慶 , 施乃元 , 鄭惟綱 , 潘錫明
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關於一種導光型發光二極體及其製造方法,該導光型發光二極體包含一基板、一第一半導體層、一磊晶出光層、一透明導電層、一第一電極及一第二電極,該磊晶出光層包含一發光層及一第二半導體層,本發明主要特徵在於該磊晶出光層之該第二半導體層佈滿該發光層,如此可增加該導光型發光二極體之發光面積,降低該導光型發光二極體操作時的電壓,有效提升該導光型發光二極體之發光效率,而該磊晶出光層包含一孔洞,該孔洞之側壁之截面為一斜面,如此增加該導光型發光二極體之光取出效率。另可於基板及該第一半導體層設置一第一光子晶體結構,以增加該導光型發光二極體之光取出效率。
简体摘要：本发明系有关于一种导光型发光二极管及其制造方法,该导光型发光二极管包含一基板、一第一半导体层、一磊晶出光层、一透明导电层、一第一电极及一第二电极,该磊晶出光层包含一发光层及一第二半导体层,本发明主要特征在于该磊晶出光层之该第二半导体层布满该发光层,如此可增加该导光型发光二极管之发光面积,降低该导光型发光二极管操作时的电压,有效提升该导光型发光二极管之发光效率,而该磊晶出光层包含一孔洞,该孔洞之侧壁之截面为一斜面,如此增加该导光型发光二极管之光取出效率。另可于基板及该第一半导体层设置一第一光子晶体结构,以增加该导光型发光二极管之光取出效率。

2. 发明专利

TW200933924A 可增加發光效率之發光二極體审中-公开
简体标题：可增加发光效率之发光二极管
公开(公告)号：TW200933924A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097102637
申请日：2008-01-24
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：潘錫明 , 鄭惟綱 , 黃國欽
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/22 , H01L33/508 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
摘要：本發明係有關於一種可增加發光效率之發光二極體,該發光二極體包含一發光二極體晶片及一設於該發光二極體晶片底部之光學層,該光學層係可為一導光層、一光反射層或一能量轉換層,以增加該發光二極體之發光效率,另更於該發光二極體晶片與該光學層間設置一粗化層,以增加發光二極體晶片之表面積,使發光二極體晶片所發出之光線容易進入光學層,更能增加發光二極體之發光效率。
简体摘要：本发明系有关于一种可增加发光效率之发光二极管,该发光二极管包含一发光二极管芯片及一设于该发光二极管芯片底部之光学层,该光学层系可为一导光层、一光反射层或一能量转换层,以增加该发光二极管之发光效率,另更于该发光二极管芯片与该光学层间设置一粗化层,以增加发光二极管芯片之表面积,使发光二极管芯片所发出之光线容易进入光学层,更能增加发光二极管之发光效率。

3. 发明专利

TW200910637A 發光二極體 LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：发光二极管 LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200910637A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096131336
申请日：2007-08-24
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 潘錫明 PAN, SHYI MING , 鄭惟綱 CHENG, WEI KANG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種發光二極體,包含透光基板、發光半導體結構、緩衝層以及反射層。透光基板具有第一表面以及與第一表面相對之第二表面。發光半導體結構形成於第一表面上。緩衝層形成於第二表面上,且反射層形成於緩衝層上。發光半導體結構輻射之光線被反射層反射並且經過緩衝層,進而增加發光效率。
简体摘要：本发明揭露一种发光二极管,包含透光基板、发光半导体结构、缓冲层以及反射层。透光基板具有第一表面以及与第一表面相对之第二表面。发光半导体结构形成于第一表面上。缓冲层形成于第二表面上,且反射层形成于缓冲层上。发光半导体结构辐射之光线被反射层反射并且经过缓冲层,进而增加发光效率。

4. 发明专利

TW200903843A 混光型發光二極體 LIGHT-BLENDING LIGHT-EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：混光型发光二极管 LIGHT-BLENDING LIGHT-EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200903843A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW096124699
申请日：2007-07-06
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：潘錫明 PAN, SHYI MING , 鄭惟綱 CHENG, WEI KANG , 黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 朱胤丞 CHU, YIN CHENG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種混光型發光二極體,包含一透光基板、一發光半導體結構、一反射電極以及一螢光粉層。該發光半導體結構係形成於該透光基板上。該螢光粉層係直接形成於該發光半導體結構或該透光基板上,可於半導體製程中完成以有效達成控制混光的目的。此外,該反射電極與該發光半導體結構電性連接,但之間得有一間隙,可避免若該反射電極與該發光半導體結構直接接觸時產生的介面問題。本發明亦揭露另一種混光型發光二極體,進一步包含一載台。該螢光粉層可形成於該載台上,同樣能避免傳統製程因以螢光粉膠封裝方式而造成混光控制不易的問題。
简体摘要：本发明揭露一种混光型发光二极管,包含一透光基板、一发光半导体结构、一反射电极以及一萤光粉层。该发光半导体结构系形成于该透光基板上。该萤光粉层系直接形成于该发光半导体结构或该透光基板上,可于半导体制程中完成以有效达成控制混光的目的。此外,该反射电极与该发光半导体结构电性连接,但之间得有一间隙,可避免若该反射电极与该发光半导体结构直接接触时产生的界面问题。本发明亦揭露另一种混光型发光二极管,进一步包含一载台。该萤光粉层可形成于该载台上,同样能避免传统制程因以萤光粉胶封装方式而造成混光控制不易的问题。

5. 发明专利

TW200802952A 採用晶粒接合之垂直式發光二極體製造方法审中-公开
简体标题：采用晶粒接合之垂直式发光二极管制造方法
公开(公告)号：TW200802952A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW095123892
申请日：2006-06-30
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：潘錫明 PAN, SHYI-MING , 簡奉任 CHIEN, FEN-REN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關於一種可採用晶粒接合之垂直式發光二極體製造方法,其係先以基板做為用於磊晶之基底,接著依序將第一半導體層、發光層與第二半導體層形成於基板之上,然後進行晶粒接合製程,以使第二半導體層與一載體接合。然後移除基板,以便於最後設置一焊墊於第一半導體層之上。因此垂直式發光二極體藉由晶粒接合製程之技術提升接合精確度,以減少接合失誤發生而降低成本並提升生產良率,且易於觀察基板與第二半導體層接合時產生之問題狀況。
简体摘要：本发明系有关于一种可采用晶粒接合之垂直式发光二极管制造方法,其系先以基板做为用于磊晶之基底,接着依序将第一半导体层、发光层与第二半导体层形成于基板之上,然后进行晶粒接合制程,以使第二半导体层与一载体接合。然后移除基板,以便于最后设置一焊垫于第一半导体层之上。因此垂直式发光二极管借由晶粒接合制程之技术提升接合精确度,以减少接合失误发生而降低成本并提升生产良率,且易于观察基板与第二半导体层接合时产生之问题状况。

6. 发明专利

TWI291244B 發光二極體及其封裝結構 LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE 有权
简体标题：发光二极管及其封装结构 LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE
公开(公告)号：TWI291244B
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：TW094122973
申请日：2005-07-07
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：賀志平 HO, ZHI PING , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/508 , H01L33/44 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種發光二極體，其包括一基材、一圖案化半導體層、二接觸墊、一介電層以及一螢光薄膜。其中，圖案化半導體層係配置於基材上，且適於發出一第一光線，而接觸墊係配置於圖案化半導體層上。介電層係覆蓋圖案化半導體層，且暴露出部分接觸墊。此外，螢光薄膜係配置於介電層上，此螢光薄膜適於經由第一光線的照射而發出與第一光線不同波長之一第二光線。另外，吾人另提出一種具有上述發光二極體之發光二極體封裝結構。
简体摘要：一种发光二极管，其包括一基材、一图案化半导体层、二接触垫、一介电层以及一萤光薄膜。其中，图案化半导体层系配置于基材上，且适于发出一第一光线，而接触垫系配置于图案化半导体层上。介电层系覆盖图案化半导体层，且暴露出部分接触垫。此外，萤光薄膜系配置于介电层上，此萤光薄膜适于经由第一光线的照射而发出与第一光线不同波长之一第二光线。另外，吾人另提出一种具有上述发光二极管之发光二极管封装结构。

7. 发明专利

TWI290379B 具有抗突波與靜電之二極體結構及製程方法有权
简体标题：具有抗突波与静电之二极管结构及制程方法
公开(公告)号：TWI290379B
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：TW095104620
申请日：2006-02-10
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 藍文厚 LAN, WEN HOW , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 楊志偉 , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/14
摘要：本發明係有關於一種具有抗突波與靜電之二極體結構及製程方法，其係一二極體結構包含有一基板、一N型半導體層、一P型半導體層、一發光層、一透明導電層、一正電極、一負電極與一靜電保護層。其中正電極經透明導電層、P型半導體層、發光層與N型半導體層至負電極係形成一第一路徑供一電壓通過，且利用靜電保護層之電性，以促使負電極經靜電保護層至正電極形成一第二路徑供一電流通過，若偏壓電壓超過二極體之操作電壓，將使突波電流經靜電保護層從負電極傳導至正電極或從正電極經由靜電保護層傳導至負電極，使二極體結構不受突波與靜電影響，以提供二極體具有更好之抗突波與靜電效能。
简体摘要：本发明系有关于一种具有抗突波与静电之二极管结构及制程方法，其系一二极管结构包含有一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一发光层、一透明导电层、一正电极、一负电极与一静电保护层。其中正电极经透明导电层、P型半导体层、发光层与N型半导体层至负电极系形成一第一路径供一电压通过，且利用静电保护层之电性，以促使负电极经静电保护层至正电极形成一第二路径供一电流通过，若偏压电压超过二极管之操作电压，将使突波电流经静电保护层从负电极传导至正电极或从正电极经由静电保护层传导至负电极，使二极管结构不受突波与静电影响，以提供二极管具有更好之抗突波与静电性能。

8. 发明专利

TW200707793A 發光二極體結構 LIGHT-EMITTING DIODE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：发光二极管结构 LIGHT-EMITTING DIODE STRUCTURE
公开(公告)号：TW200707793A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW094127350
申请日：2005-08-12
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：白士 PAI, SHIH-FENG , 曾煥哲 HUAN-CHE TSENG , 潘錫明 SHYI-MING PAN , 簡奉任 FEN-REN CHIEN
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體結構,其具有寄生反向二極體,此發光二極體結構包括一基板、一圖案化半導體層、一第一導線、一第二導線與一絕緣層。其中,基板具有一第一區域以及一第二區域,而圖案化半導體層包括一第一型摻雜半導體層、一第二型摻雜半導體層以及一位於二者之間之主動層。上述之第一區域中之第一型摻雜半導體層、主動層以及第二型摻雜半導體層係構成一發光二極體元件,而第二區域中之第一型摻雜半導體層、主動層以及第二型摻雜半導體層與一絕緣層係構成一靜電放電防護二極體元件。本發明之發光二極體結構具有靜電放電防護二極體元件,因此可以避免發光二極體元件遭受靜電放電破壞。
简体摘要：一种发光二极管结构,其具有寄生反向二极管,此发光二极管结构包括一基板、一图案化半导体层、一第一导线、一第二导线与一绝缘层。其中,基板具有一第一区域以及一第二区域,而图案化半导体层包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层以及一位于二者之间之主动层。上述之第一区域中之第一型掺杂半导体层、主动层以及第二型掺杂半导体层系构成一发光二极管组件,而第二区域中之第一型掺杂半导体层、主动层以及第二型掺杂半导体层与一绝缘层系构成一静电放电防护二极管组件。本发明之发光二极管结构具有静电放电防护二极管组件,因此可以避免发光二极管组件遭受静电放电破坏。

9. 发明专利

TW200705706A 發光二極體結構 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：发光二极管结构 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE
公开(公告)号：TW200705706A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW094125073
申请日：2005-07-25
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：武良文 LIANG-WEN WU, , 蔡亞萍 YA-PING TSAI, , 簡奉任 FEN-REN CHIEN, , 張福裕 CHANG, FU-YU , 游正璋 YU, CHENG-TSANG , 溫子稷 WEN, TZU-CHI
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體結構,包括基板、第一型摻雜半導體層、第一電極、發光層、第二型摻雜半導體層與第二電極。其中,基板具有一表面以及多個位於表面上之圓柱狀光子晶體,而第一型摻雜半導體層是配置於基板上以覆蓋這些光子晶體。發光層、第二型摻雜半導體層與第二電極是依序配置於部分之第一型摻雜半導體層上,而第一電極則是配置於未覆蓋有發光層的部分第一型摻雜半導體層上。由於具有光子晶體的基板能夠改善第一型摻雜半導體層的磊晶品質,並增加正向出射發光二極體結構的光能量,因此可有效提高發光二極體結構的發光效率。
简体摘要：一种发光二极管结构,包括基板、第一型掺杂半导体层、第一电极、发光层、第二型掺杂半导体层与第二电极。其中,基板具有一表面以及多个位于表面上之圆柱状光子晶体,而第一型掺杂半导体层是配置于基板上以覆盖这些光子晶体。发光层、第二型掺杂半导体层与第二电极是依序配置于部分之第一型掺杂半导体层上,而第一电极则是配置于未覆盖有发光层的部分第一型掺杂半导体层上。由于具有光子晶体的基板能够改善第一型掺杂半导体层的磊晶品质,并增加正向出射发光二极管结构的光能量,因此可有效提高发光二极管结构的发光效率。

10. 发明专利

TW200620693A 發光二極體封裝結構 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE 审中-公开
简体标题：发光二极管封装结构 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE
公开(公告)号：TW200620693A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW093137153
申请日：2004-12-02
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：潘錫明 PAN, SHYI-MING , 林宗杰 LIN, TSUNG-CHIEH , 簡奉任 CHIEN, FEN-REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44
摘要：一種發光二極體封裝結構，包括一承載器、一黏著層、一發光二極體晶片以及一抗老化層。其中，黏著層係配置於承載器上。發光二極體晶片具有一發光層，並藉由黏著層黏著於承載器上，以與承載器電性連接。抗老化層則係配置於黏著層與發光層之間。上述之發光二極體封裝結構中，抗老化層可減少或避免黏著層被發光層所發出的光線照射，減緩封裝體的老化現象，進而增進封裝體的壽命。
简体摘要：一种发光二极管封装结构，包括一承载器、一黏着层、一发光二极管芯片以及一抗老化层。其中，黏着层系配置于承载器上。发光二极管芯片具有一发光层，并借由黏着层黏着于承载器上，以与承载器电性连接。抗老化层则系配置于黏着层与发光层之间。上述之发光二极管封装结构中，抗老化层可减少或避免黏着层被发光层所发出的光线照射，减缓封装体的老化现象，进而增进封装体的寿命。

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