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1. 发明专利

TWI683414B 改良式暫態電壓抑制裝置有权
简体标题：改良式暂态电压抑制设备
公开(公告)号：TWI683414B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW108124992
申请日：2019-07-16
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：林昆賢 , LIN, KUN-HSIEN , 陳子平 , CHEN, ZI-PING , 莊哲豪 , CHUANG, CHE-HAO
IPC分类号： H01L23/62 , H01L23/29

2. 发明专利

TWI590674B 平面喇叭輸出裝置及其啟動平面喇叭之方法有权
简体标题：平面喇叭输出设备及其启动平面喇叭之方法
公开(公告)号：TWI590674B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW101140710
申请日：2012-11-02
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：謝明哲 , HSIEH, MING CHE
IPC分类号： H04S7/00 , H02J13/00
CPC分类号： H04R3/00 , H04R29/002

3. 发明专利

TW201714413A 可接收超寬共模輸入電壓範圍的接收電路审中-公开
简体标题：可接收超宽共模输入电压范围的接收电路
公开(公告)号：TW201714413A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104132481
申请日：2015-10-02
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：黃煦修
IPC分类号： H04B1/16
CPC分类号： H04Q1/54 , H04L25/0276 , H04Q2213/401
摘要：一種可應用於控制器區域網路(CAN)的接收電路輸出端的可接收超寬共模輸入電壓範圍的接收電路，其係包括一電阻組電性連接CAN的高端與低端、參考放大器、第一輸入放大器組、第二輸入放大器組及類比加法器，以接收高端及低端的電壓，再由電阻組降壓後以第一節點產生高端電壓分壓及第二節點產生低端電壓分壓輸出至第一輸入放大器組及第二輸入放大器組，第一、第二輸入放大器組具有將第一、第二節點間差分訊號放大並轉為單端訊號的能力，訊號經類比加法器相加後，即可得到輸出訊號。本發明係可接收極大或極小共模範圍的差分訊號，並減少電磁散逸的程度。
简体摘要：一种可应用于控制器局域网(CAN)的接收电路输出端的可接收超宽共模输入电压范围的接收电路，其系包括一电阻组电性连接CAN的高端与低端、参考放大器、第一输入放大器组、第二输入放大器组及模拟加法器，以接收高端及低端的电压，再由电阻组降压后以第一节点产生高端电压分压及第二节点产生低端电压分压输出至第一输入放大器组及第二输入放大器组，第一、第二输入放大器组具有将第一、第二节点间差分信号放大并转为单端信号的能力，信号经模拟加法器相加后，即可得到输出信号。本发明系可接收极大或极小共模范围的差分信号，并减少电磁散逸的程度。

4. 发明专利

TWI541976B 三維積體電路封裝有权
简体标题：三维集成电路封装
公开(公告)号：TWI541976B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW102147441
申请日：2013-12-20
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：柯明道 , KER, MING DOU , 莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/60 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/16 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227

5. 发明专利

TW201429099A 高電壓開汲極靜電放電（ＥＳＤ）保護裝置审中-公开
简体标题：高电压开汲极静电放电（ＥＳＤ）保护设备
公开(公告)号：TW201429099A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102114429
申请日：2013-04-23
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：彭政傑 , PENG, JAMES JENG JIE , 陳志豪 , CHEN, CHIH HAO , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H02H9/04
CPC分类号： H02H9/046
摘要：本發明係揭露一種高電壓開汲極靜電放電(ESD)保護裝置，包含一第一高電壓N通道金氧半場效電晶體(HV MOSFET)，其係連接一高電壓銲墊與一低電壓端，並接收高電壓銲墊之高電壓以正常運作。高電壓銲墊與第一高電壓N通道金氧半場效電晶體更連接一高電壓靜電放電(ESD)保護單元，其係在正常操作下並不影響正常電路功能，但是，在高電壓銲墊發生靜電放電事件時，可以在接收高電壓銲墊之靜電放電電壓後，有效率地釋放此靜電放電事件的靜電放電電流。高電壓靜電放電保護單元與低電壓端連接一電壓箝位單元，其係經由高電壓靜電放電保護單元接收靜電放電電壓，以釋放宣洩靜電放電電流。
简体摘要：本发明系揭露一种高电压开汲极静电放电(ESD)保护设备，包含一第一高电压N信道金氧半场效应管(HV MOSFET)，其系连接一高电压焊垫与一低电压端，并接收高电压焊垫之高电压以正常运作。高电压焊垫与第一高电压N信道金氧半场效应管更连接一高电压静电放电(ESD)保护单元，其系在正常操作下并不影响正常电路功能，但是，在高电压焊垫发生静电放电事件时，可以在接收高电压焊垫之静电放电电压后，有效率地释放此静电放电事件的静电放电电流。高电压静电放电保护单元与低电压端连接一电压箝位单元，其系经由高电压静电放电保护单元接收静电放电电压，以释放宣泄静电放电电流。

6. 发明专利

TW201419886A 平面喇叭輸出裝置及其啟動平面喇叭之方法审中-公开
简体标题：平面喇叭输出设备及其启动平面喇叭之方法
公开(公告)号：TW201419886A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW101140710
申请日：2012-11-02
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：謝明哲 , HSIEH, MING CHE
IPC分类号： H04S7/00 , H02J13/00
CPC分类号： H04R3/00 , H04R29/002
摘要：本發明提供一種平面喇叭輸出裝置及其啟動平面喇叭之方法，其複數個平面喇叭係利用首位延遲單元及複數個中介延遲單元形成串聯連接，首位延遲單元連接於一電源控制器及第一個平面喇叭，此些中介延遲單元分別連接於其餘的每一平面喇叭。由電源控制器控制一電源予首位延遲單元，使其延遲第一個平面喇叭之啟動，並透過此些中介延遲單元依序延遲每一平面喇叭之啟動時間；因此，本案不需要使用高功率電源啟動，即可達到複數個平面喇叭依序被啟動之目的，進而降低外部供電的功率。
简体摘要：本发明提供一种平面喇叭输出设备及其启动平面喇叭之方法，其复数个平面喇叭系利用首位延迟单元及复数个中介延迟单元形成串联连接，首位延迟单元连接于一电源控制器及第一个平面喇叭，此些中介延迟单元分别连接于其余的每一平面喇叭。由电源控制器控制一电源予首位延迟单元，使其延迟第一个平面喇叭之启动，并透过此些中介延迟单元依序延迟每一平面喇叭之启动时间；因此，本案不需要使用高功率电源启动，即可达到复数个平面喇叭依序被启动之目的，进而降低外部供电的功率。

7. 发明专利

TWI427765B 具縱向結構的靜電放電保護元件有权
简体标题：具纵向结构的静电放电保护组件
公开(公告)号：TWI427765B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099128769
申请日：2010-08-27
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳子平 , CHEN, ZI PING , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0259

8. 发明专利

TWI423424B 具極低電容之橫向暫態電壓抑制器有权
简体标题：具极低电容之横向暂态电压抑制器
公开(公告)号：TWI423424B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW099130605
申请日：2010-09-10
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/00
CPC分类号： H01L27/0255

9. 发明专利

TWI408814B 雙向性瞬態電壓抑制裝置及其製造方法有权
简体标题：双向性瞬态电压抑制设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI408814B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW098115137
申请日：2009-05-07
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：曾當貴 , TSENG, TANG KUEI , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, HSIN CHIN
IPC分类号： H01L29/861 , H01L27/08
CPC分类号： H01L29/87

10. 发明专利

TW201216447A 低操作電壓之橫向暫態電壓抑制器 LATERAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR LOW-VOLTAGE APPLICATION 审中-公开
简体标题：低操作电压之横向暂态电压抑制器 LATERAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR LOW-VOLTAGE APPLICATION
公开(公告)号：TW201216447A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW099135232
申请日：2010-10-15
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：莊哲豪 , 林昆賢 , 姜信欽
IPC分类号： H01L , H02H
摘要：本發明係揭露一種低操作電壓之橫向暫態電壓抑制器，其係包含一N型重摻雜基板與至少二箝位二極體結構，每一箝位二極體結構係水平設於N型重摻雜基板中，並包含一位於N型重摻雜基板中之箝位井區、一第一、第二重摻雜區，且第一、第二重摻雜區互為相異型。另有複數個深溝渠隔離結構位於N型重摻雜基板中，且每一深溝渠隔離結構之深度大於箝位井區之深度，以隔離每一箝位井區。本發明可避免極大之漏電流，以適用於低電壓操作應用。
简体摘要：本发明系揭露一种低操作电压之横向暂态电压抑制器，其系包含一N型重掺杂基板与至少二箝位二极管结构，每一箝位二极管结构系水平设于N型重掺杂基板中，并包含一位于N型重掺杂基板中之箝位井区、一第一、第二重掺杂区，且第一、第二重掺杂区互为相异型。另有复数个深沟渠隔离结构位于N型重掺杂基板中，且每一深沟渠隔离结构之深度大于箝位井区之深度，以隔离每一箝位井区。本发明可避免极大之漏电流，以适用于低电压操作应用。

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