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1. 发明专利

TW200926319A 打線裝置及打線方法审中-公开
简体标题：打线设备及打线方法
公开(公告)号：TW200926319A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097119654
申请日：2008-05-28
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：藤田和雄 FUJITA, KAZUO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/004 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/78301 , H01L2224/7865 , H01L2224/85009 , H01L2224/85013 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01018 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/01001 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要：於打線裝置提升檢測出接合不良時之恢復(recovery)處理中之接合品質。在對第1接合點或第2接合點之接合後之接合工具上升中或接合工具上升後,接合不良檢測手段檢測出引線與各接合點間之接合不良時,使接合工具下降至緊鄰發生接合不良之接合點之上方處,在以電漿炬使電漿化氣體對接合工具前端之引線與發生接合不良之各接合點噴出後,再度接合。
简体摘要：于打线设备提升检测出接合不良时之恢复(recovery)处理中之接合品质。在对第1接合点或第2接合点之接合后之接合工具上升中或接合工具上升后,接合不良检测手段检测出引线与各接合点间之接合不良时,使接合工具下降至紧邻发生接合不良之接合点之上方处,在以等离子炬使等离子化气体对接合工具前端之引线与发生接合不良之各接合点喷出后,再度接合。

2. 发明专利

TWI307535B 打線方法有权
简体标题：打线方法
公开(公告)号：TWI307535B
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：TW093103738
申请日：2004-02-17
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：萩原美仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48 , H01L2224/4809 , H01L2224/48463 , H01L2224/48471 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/8518 , H01L2224/85186 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：為充分確保與晶片邊緣間的間距,又消除積層晶片之多層引線環上相鄰引線環間之短路情形,且引線的彈性佳而不易變形。
本發明係進行以下步驟:連接引線3於第1接合點A的步驟;略微上昇毛細管5,接著進行第1反向動作的步驟;上昇毛細管5,接著進行第2反向動作的步驟;上昇毛細管5,接著進行第3反向動作的步驟;夾具閉合,朝與第2接合點K相反的方向水平移動毛細管5的步驟;夾具開啓,朝第2接合點K的方向水平移動毛細管5的步驟;將毛細管5上昇至第1接合點A的大致上方抽出引線3,而連接於第2接合點K的步驟。
简体摘要：为充分确保与芯片边缘间的间距,又消除积层芯片之多层引线环上相邻引线环间之短路情形,且引线的弹性佳而不易变形。本发明系进行以下步骤:连接引线3于第1接合点A的步骤;略微上升毛细管5,接着进行第1反向动作的步骤;上升毛细管5,接着进行第2反向动作的步骤;上升毛细管5,接着进行第3反向动作的步骤;夹具闭合,朝与第2接合点K相反的方向水平移动毛细管5的步骤;夹具开启,朝第2接合点K的方向水平移动毛细管5的步骤;将毛细管5上升至第1接合点A的大致上方抽出引线3,而连接于第2接合点K的步骤。

3. 发明专利

TW200849431A 接合裝置之接合部之壓接球檢測裝置及接合部之壓接球檢測方法审中-公开
简体标题：接合设备之接合部之压接球检测设备及接合部之压接球检测方法
公开(公告)号：TW200849431A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097108018
申请日：2008-03-07
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：菅原健二 SUGAWARA, KENJI , 陳勇 CHEN, YONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01B11/08 , B23K20/007 , G01B11/14 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/49171 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2224/48 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
摘要：不論壓接球被引線遮蔽部分多寡,皆能修正毛細管與檢測攝影機之偏位量以使壓接球形成於墊部之既定範圍內。具備:毛細管、相對於毛細管以一定之偏位量配設之檢測攝影機,檢測接合後之接合部之壓接球20。於墊部10A,壓接球20之邊緣21、22相對於相鄰2邊11、12為明確。在設定了該墊部10A之狀況下,分別檢測從2邊11、12至對應之邊緣21、22之寬度Gx1、Gy1,並比較該檢測値Gx1、Gy1是否在預設之容許範圍Qx、Qy內,若在容許範圍外時便修正偏位量使壓接球20位於容許範圍Qx、Qy內。
简体摘要：不论压接球被引线屏蔽部分多寡,皆能修正毛细管与检测摄影机之偏位量以使压接球形成于垫部之既定范围内。具备:毛细管、相对于毛细管以一定之偏位量配设之检测摄影机,检测接合后之接合部之压接球20。于垫部10A,压接球20之边缘21、22相对于相邻2边11、12为明确。在设置了该垫部10A之状况下,分别检测从2边11、12至对应之边缘21、22之宽度Gx1、Gy1,并比较该检测値Gx1、Gy1是否在默认之容许范围Qx、Qy内,若在容许范围外时便修正偏位量使压接球20位于容许范围Qx、Qy内。

4. 发明专利

TW200848693A 接合裝置用攝影裝置及攝影方法失效
简体标题：接合设备用摄影设备及摄影方法
公开(公告)号：TW200848693A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096139980
申请日：2007-10-25
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：早田滋 HAYATA, SHIGERU
IPC分类号： G01B , H01L
CPC分类号： H04N5/2254 , G02B21/18 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/75 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/78301 , H01L2224/786 , H01L2224/7865 , H01L2224/81121 , H01L2224/81801 , H01L2224/851 , H01L2224/85121 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/30105 , H04N5/2253 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要：於晶片接合裝置用攝影裝置,以高精度拍攝於高度方向有大段差之半導體晶片,並縮短導線架之攝影時間。具備:高倍率光學系統,具有經由高倍率透鏡34而到達複數攝影面36、37且與位於離高倍率透鏡34不同距離之位置之複數被攝體攝影範圍對應而從高倍率透鏡34至各攝影面36、37之長度相異之第1、第2高倍率光路51、52;以及低倍率光學系統,具有經由低倍率透鏡35而到達攝影面38之低倍率光路53且具備較各高倍率光路51、52寬廣之視野;具有高倍率光學系統之各攝影面36、37之各攝影元件31、32係取得半導體晶片63之影像,具有低倍率光學系統之攝影面38之攝影元件33係取得導線架61之影像。
简体摘要：于芯片接合设备用摄影设备,以高精度拍摄于高度方向有大段差之半导体芯片,并缩短导线架之摄影时间。具备:高倍率光学系统,具有经由高倍率透镜34而到达复数摄影面36、37且与位于离高倍率透镜34不同距离之位置之复数被摄体摄影范围对应而从高倍率透镜34至各摄影面36、37之长度相异之第1、第2高倍率光路51、52;以及低倍率光学系统,具有经由低倍率透镜35而到达摄影面38之低倍率光路53且具备较各高倍率光路51、52宽广之视野;具有高倍率光学系统之各摄影面36、37之各摄影组件31、32系取得半导体芯片63之影像,具有低倍率光学系统之摄影面38之摄影组件33系取得导线架61之影像。

5. 发明专利

TW200830435A 晶片接合裝置與其熱壓黏載帶片切取及黏貼方法及記錄有該方法之程式的記錄媒體失效
简体标题：芯片接合设备与其热压黏载带片切取及黏贴方法及记录有该方法之进程的记录媒体
公开(公告)号：TW200830435A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096122662
申请日：2007-06-23
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：藤野昇 FUJINO, NOBORU , 佐藤安 SATO, YASUSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/743 , H01L2224/743 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種晶片接合裝置,藉由簡便之構造進行熱壓黏載帶之搬送及已切斷之熱壓黏載帶片之移送、黏貼。防止熱壓黏載帶搬送時發生皺屈。具備導引載帶41之導引件33、載帶吸附筒夾13、保持基板35、以及刀具60。載帶吸附筒夾13係在初期位置吸附導引件33上之熱壓黏載帶41並向載帶之長邊方向拉出至保持基板上。拉出之熱壓黏載帶41被吸附固定於保持基板35,並利用刀具60切斷以形成熱壓黏載帶片。載帶吸附筒夾13係吸附熱壓黏載帶片23並移送至導線架上,以將熱壓黏載帶片黏貼於導線架上。載帶黏貼後,載帶吸附筒夾13歸位至初期位置。
简体摘要：本发明系一种芯片接合设备,借由简便之构造进行热压黏载带之搬送及已切断之热压黏载带片之移送、黏贴。防止热压黏载带搬送时发生皱屈。具备导引载带41之导引件33、载带吸附筒夹13、保持基板35、以及刀具60。载带吸附筒夹13系在初期位置吸附导引件33上之热压黏载带41并向载带之长边方向拉出至保持基板上。拉出之热压黏载带41被吸附固定于保持基板35,并利用刀具60切断以形成热压黏载带片。载带吸附筒夹13系吸附热压黏载带片23并移送至导线架上,以将热压黏载带片黏贴于导线架上。载带黏贴后,载带吸附筒夹13归位至初期位置。

6. 发明专利

TW200809995A 打線裝置之球體形成裝置及接合裝置审中-公开
简体标题：打线设备之球体形成设备及接合设备
公开(公告)号：TW200809995A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096122409
申请日：2007-06-22
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：西浦信一 NISHIURA, SHINICHI , 宮野文男 MIYANO, FUMIO , 堀乃正幸 HORINO, MASAYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K20/007 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00015
摘要：本發明之打線裝置之球體形成裝置,不需使毛細管加長至必要長度以上亦能將引線前端部形成為充分的氣體環境氣氛,以形成球體。本發明之打線裝置之球體形成裝置,具備毛細管2,將該毛細管2保持在一端部的接合臂1,在插通於毛細管2之引線3前端形成球體5的放電槍4,及固定於接合頭或XY載台、以使引線3前端部形成氣體環境氣氛的氣體環境氣氛形成機構10。氣體環境氣氛形成機構10具備接合臂1側之開口較該接合臂1之毛細管2安裝部分寬廣且上下延伸、具有複數個氣體噴出口12的內壁部11,固定於內壁部11以在內壁部11外側形成中空部13的外壁部14,及連接於外壁部14以對中空部13供應還原氣體或惰性氣體的管件15。
简体摘要：本发明之打线设备之球体形成设备,不需使毛细管加长至必要长度以上亦能将引线前端部形成为充分的气体环境气氛,以形成球体。本发明之打线设备之球体形成设备,具备毛细管2,将该毛细管2保持在一端部的接合臂1,在插通于毛细管2之引线3前端形成球体5的放电枪4,及固定于接合头或XY载台、以使引线3前端部形成气体环境气氛的气体环境气氛形成机构10。气体环境气氛形成机构10具备接合臂1侧之开口较该接合臂1之毛细管2安装部分宽广且上下延伸、具有复数个气体喷出口12的内壁部11,固定于内壁部11以在内壁部11外侧形成中空部13的外壁部14,及连接于外壁部14以对中空部13供应还原气体或惰性气体的管件15。

7. 发明专利

TWI293487B 打線用引線之起始球形成方法及打線裝置有权
简体标题：打线用引线之起始球形成方法及打线设备
公开(公告)号：TWI293487B
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：TW092113799
申请日：2003-05-22
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：西浦信一 NISHIURA, SHINICHI , 倉光昭 , 宮野文男 MIYANO, FUMIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/007 , B23K2201/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/05647 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/48647 , H01L2224/48847 , H01L2224/78268 , H01L2224/78271 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00015
摘要：在打線用引線之起始球形成方法及打線裝置中將銅作為打線對象。打線裝置10，係具備：插穿引線12之毛細管16、例如以錫為主成分之低熔點材料所構成之放電電極18、及直流高壓電源22。將直流高壓電源22之開關ON，藉以在引線12前端與放電電極18之間產生空中放電，引線12前端由於放電熔融而形成球狀，放電電極18之錫亦加熱成高溫而排放於空中，離子化之正錫離子被相對放電電極為負電位之熔融的引線前端所吸引，在球狀表面附著錫。藉此形成在表面附著有低熔點被覆材料的起始球28。
简体摘要：在打线用引线之起始球形成方法及打线设备中将铜作为打线对象。打线设备10，系具备：插穿引线12之毛细管16、例如以锡为主成分之低熔点材料所构成之放电电极18、及直流高压电源22。将直流高压电源22之开关ON，借以在引线12前端与放电电极18之间产生空中放电，引线12前端由于放电熔融而形成球状，放电电极18之锡亦加热成高温而排放于空中，离子化之正锡离子被相对放电电极为负电位之熔融的引线前端所吸引，在球状表面附着锡。借此形成在表面附着有低熔点被覆材料的起始球28。

8. 发明专利

TW200746320A 多段加壓吸附具失效
简体标题：多段加压吸附具
公开(公告)号：TW200746320A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096112265
申请日：2007-04-09
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：佐藤安 SATO, YASUSHI , 藤野昇 FUJINO, NOBORU
IPC分类号： H01L
摘要：一種加壓半導體晶片之晶片接合裝置的加壓吸附具,係對應半導體晶片之形狀、構造有效防止半導體晶片與電路基板間之氣泡產生。本發明之多段加壓吸附具11,係具備:複數個加壓吸附具要件13, 15, 17,分別加壓半導體晶片33之一部分;及彈簧23, 25,配設於各吸附具要件間;將此等加壓吸附具要件與彈簧朝加壓方向串聯組合而構成,其特徵在於:於加壓狀態,各彈簧23, 25,藉由其彈壓力將較該彈簧位於半導體晶片33側之加壓吸附具要件13, 15緊壓於半導體晶片33;於初始狀態,以各加壓吸附具要件前端具有各彈簧23, 25之壓縮量之段差h1, h2之方式,來組合加壓吸附具要件13, 15, 17與各段彈簧23, 25。
简体摘要：一种加压半导体芯片之芯片接合设备的加压吸附具,系对应半导体芯片之形状、构造有效防止半导体芯片与电路基板间之气泡产生。本发明之多段加压吸附具11,系具备:复数个加压吸附具要件13, 15, 17,分别加压半导体芯片33之一部分;及弹簧23, 25,配设于各吸附具要件间;将此等加压吸附具要件与弹簧朝加压方向串联组合而构成,其特征在于:于加压状态,各弹簧23, 25,借由其弹压力将较该弹簧位于半导体芯片33侧之加压吸附具要件13, 15紧压于半导体芯片33;于初始状态,以各加压吸附具要件前端具有各弹簧23, 25之压缩量之段差h1, h2之方式,来组合加压吸附具要件13, 15, 17与各段弹簧23, 25。

9. 发明专利

TW200934589A 超音波振動子审中-公开
简体标题：超音波振动子
公开(公告)号：TW200934589A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097136282
申请日：2008-09-22
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：瀨山耕平 SEYAMA, KOHEI , 長野一昭 NAGANO, KAZUAKI , 近藤豊 KONDO, YUTAKA
IPC分类号： B06B , G12B
CPC分类号： B06B1/0618
摘要：本發明之目的在於,在超音波振動子中以穩定之構造有效地降低因溫度變化而對於壓電元件所賦予壓力的變化。其解決手段在於,具備:同軸積層壓電元件14之心軸12、及振動子本體11,一體構成之心軸一體型之朗之萬型振動子之超音波振動子10;包含具有與心軸端部的螺絲部13及心軸12實質相等的熱膨脹係數且被鎖入螺絲部13以將壓電元件14於與振動子本體11之間壓縮的賦壓用螺帽17之壓縮機構;以同軸於壓電元件14之方式而被積層壓縮至心軸,具有可吸收心軸12與壓電元件14在軸向之熱膨脹差的熱膨脹係數與厚度之背面體16。
简体摘要：本发明之目的在于,在超音波振动子中以稳定之构造有效地降低因温度变化而对于压电组件所赋予压力的变化。其解决手段在于,具备:同轴积层压电组件14之心轴12、及振动子本体11,一体构成之心轴一体型之朗之万型振动子之超音波振动子10;包含具有与心轴端部的螺丝部13及心轴12实质相等的热膨胀系数且被锁入螺丝部13以将压电组件14于与振动子本体11之间压缩的赋压用螺帽17之压缩机构;以同轴于压电组件14之方式而被积层压缩至心轴,具有可吸收心轴12与压电组件14在轴向之热膨胀差的热膨胀系数与厚度之背面体16。

10. 发明专利

TW200913086A 半導體晶片拾取裝置及拾取方法失效
简体标题：半导体芯片十取设备及十取方法
公开(公告)号：TW200913086A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097105106
申请日：2008-02-14
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD.
发明人：藤野昇 FUJINO, NOBORU , 梅原沖人 UMEHARA, OKITO , 勝呂明男 KATSURO, AKIO , 佐佐木真一 SASAKI, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67132 , Y10T156/1983
摘要：一種半導體晶粒拾取裝置,係於剝離保持片時抑制加於半導體晶粒之力量並能容易地拾取半導體晶粒。具備:包含從緊貼面22出入之前端33b的刮刷器33;及遮住位於刮刷器33之移動方向之開口41且與刮刷器33一起移動的擋門23。拾取半導體晶粒15時,在使半導體晶粒15之一端15a對準刮刷器33之前端33b,並以筒夾18吸附半導體晶粒15之狀態下,使刮刷器33之前端33b從緊貼面22突出並使刮刷器33沿緊貼面22移動,於開口41之一端面41a與片(sheet)面33a之間依序打開吸引開口42,使保持片12從半導體晶粒15之一端15a側依序吸引於吸引開口42而從半導體晶粒15依序剝離保持片12。
简体摘要：一种半导体晶粒十取设备,系于剥离保持片时抑制加于半导体晶粒之力量并能容易地十取半导体晶粒。具备:包含从紧贴面22出入之前端33b的刮刷器33;及遮住位于刮刷器33之移动方向之开口41且与刮刷器33一起移动的挡门23。十取半导体晶粒15时,在使半导体晶粒15之一端15a对准刮刷器33之前端33b,并以筒夹18吸附半导体晶粒15之状态下,使刮刷器33之前端33b从紧贴面22突出并使刮刷器33沿紧贴面22移动,于开口41之一端面41a与片(sheet)面33a之间依序打开吸引开口42,使保持片12从半导体晶粒15之一端15a侧依序吸引于吸引开口42而从半导体晶粒15依序剥离保持片12。

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