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1. 发明专利

TWI447871B 用於連接積體電路晶片至電源與接地電路之裝置有权
简体标题：用于连接集成电路芯片至电源与接地电路之设备
公开(公告)号：TWI447871B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW097118237
申请日：2008-05-16
申请人：德州儀器公司 , TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人：馬修D 羅米 , ROMIG, MATTHEW D.
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/32
CPC分类号： H01L24/41 , H01L24/29 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI435396B 雙毛細之積體電路打線結合有权
简体标题：双毛细之集成电路打线结合
公开(公告)号：TWI435396B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW097139384
申请日：2008-10-14
申请人：德州儀器公司 , TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人：瑞克斯華倫派基爾 , PIRKLE, REX WARREN , 西恩麥可馬龍里帕茲 , MALOLEPSZY, SEAN MICHAEL , 大衛約瑟伯恩 , BON, DAVID JOSEPH
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/4903 , H01L2224/78

3. 发明专利

TWI397806B 回應動態能量評估之積體電路動態參數管理系統及方法有权
简体标题：回应动态能量评估之集成电路动态参数管理系统及方法
公开(公告)号：TWI397806B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW093117571
申请日：2004-06-18
申请人：德州儀器公司 , TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人：伊紗 , ISSA, SAMI , 柯又銘 , KO, UMING , 哈魯恩 , HAROUN, BAHER , 史考特 , SCOTT, DAVID
IPC分类号： G06F1/32
CPC分类号： G06F1/3243 , G06F1/3203 , G06F1/3296 , Y02D10/152 , Y02D10/172

5. 发明专利

TWI394255B 具有用以局限焊料毛細現象之溝槽式導線的半導體裝置有权
简体标题：具有用以局限焊料毛细现象之沟槽式导线的半导体设备
公开(公告)号：TWI394255B
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW097139408
申请日：2008-10-14
申请人：德州儀器公司 , TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人：約翰提坎普 , TELLKAMP, JOHN
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI372449B 固定載送捲帶中之半導體裝置之方法 METHOD FOR SECURING A SEMICONDUCTOR DEVICE IN A CARRIER TAPE 有权
简体标题：固定载送卷带中之半导体设备之方法 METHOD FOR SECURING A SEMICONDUCTOR DEVICE IN A CARRIER TAPE
公开(公告)号：TWI372449B
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：TW093128604
申请日：2004-09-21
申请人：德州儀器公司
发明人：蘭斯C 萊特 , 亞伯特D 亞庫莎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L2221/68309 , H01L2221/68313 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明揭示一種包裝於載送捲帶406中之半導體裝置301而不損害引線302之方法，其包括在具有形成於該封裝主體內的凹痕305之模製半導體裝置與具有略小於該等凹痕的匹配突伸物407之載送捲帶之間的一聯鎖機構，該聯鎖機構使得該裝置得到穩固支撐而在將一覆蓋捲帶409黏附於該載送捲帶後無明顯移動。尺寸正確的貯器及基座之特徵、該覆蓋捲帶以及該等聯鎖的裝置凹痕與捲帶突伸物防止由於撞擊而對該等裝置引線造成損害。
简体摘要：本发明揭示一种包装于载送卷带406中之半导体设备301而不损害引线302之方法，其包括在具有形成于该封装主体内的凹痕305之模制半导体设备与具有略小于该等凹痕的匹配突伸物407之载送卷带之间的一联锁机构，该联锁机构使得该设备得到稳固支撑而在将一覆盖卷带409黏附于该载送卷带后无明显移动。尺寸正确的贮器及基座之特征、该覆盖卷带以及该等联锁的设备凹痕与卷带突伸物防止由于撞击而对该等设备引线造成损害。

7. 发明专利

TWI371827B 改良之互補金氧半導體及其製造方法 IMPROVED CMOS AND FABRICATION PROCESS OF THE SAME 有权
简体标题：改良之互补金属氧化物半导体及其制造方法 IMPROVED CMOS AND FABRICATION PROCESS OF THE SAME
公开(公告)号：TWI371827B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW097136170
申请日：2008-09-19
申请人：德州儀器公司
发明人：雅曼塔簡 , 曼哈林嘉姆納達庫瑪 , 趙蓀
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/823814 , H01L29/1087 , H01L29/7847
摘要：本發明提供一種用於PMOS電晶體之超高溫(UHT)退火減低佈植終點(end of range)位錯，溫度高於1200℃且持續未達100毫秒，但是其等與用以增強NMOS接通電流之應力記憶技術(SMT)層不相容。本發明顛倒形成NMOS之常規順序，首先藉由使用碳共植入形成P型源極及汲極區域(PSD)，並且在植入NSD(162)及沈積SMT層(166)之前以UHT使其等PSD退火。PSD空間電荷區域(144)中達成佈植終點位錯密度低於100cm-2。來自SMT層之PMOS中的拉張應力被明顯減低。P型輕度摻雜汲極(PLDD)(124)亦可被UHT退火以減低接近PMOS通道的佈植終點位錯。
简体摘要：本发明提供一种用于PMOS晶体管之超高温(UHT)退火减低布植终点(end of range)位错，温度高于1200℃且持续未达100毫秒，但是其等与用以增强NMOS接通电流之应力记忆技术(SMT)层不兼容。本发明颠倒形成NMOS之常规顺序，首先借由使用碳共植入形成P型源极及汲极区域(PSD)，并且在植入NSD(162)及沉积SMT层(166)之前以UHT使其等PSD退火。PSD空间电荷区域(144)中达成布植终点位错密度低于100cm-2。来自SMT层之PMOS中的拉张应力被明显减低。P型轻度掺杂汲极(PLDD)(124)亦可被UHT退火以减低接近PMOS信道的布植终点位错。

8. 发明专利

TWI366254B 用於多重高度裝置之自我調平散熱座之系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR SELF-LEVELING HEAT SINK FOR MULTIPLE HEIGHT DEVICES 有权
简体标题：用于多重高度设备之自我调平散热座之系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR SELF-LEVELING HEAT SINK FOR MULTIPLE HEIGHT DEVICES
公开(公告)号：TWI366254B
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：TW093141824
申请日：2004-12-31
申请人：德州儀器公司
发明人：達文R 艾德華
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/4093 , H01L23/4012 , H01L2023/405 , H01L2023/4062 , H01L2023/4081 , H01L2924/0002 , Y10T29/49133 , Y10T29/49169 , Y10T29/53265 , H01L2924/00
摘要：一種自我調平散熱座包括一具有至少一孔之彈性臂裝置，且至少一彈性臂被連接至一基板。該基板具有至少一安裝於其上之封裝殼，從而當該彈性臂裝置被安裝至該基板時，該至少一封裝殼穿過該至少一孔。一可對其操作以自該至少一封裝殼移走熱量之散熱座具有至少一散熱座桿，可操作該散熱座桿以接收一位於每一該等至少一彈性臂之末端處之散熱座夾子。每一該等至少一彈性臂自該至少一孔之一內緣延伸，且可操作該彈性臂以連接該散熱座至該至少一封裝殼。
简体摘要：一种自我调平散热座包括一具有至少一孔之弹性臂设备，且至少一弹性臂被连接至一基板。该基板具有至少一安装于其上之封装壳，从而当该弹性臂设备被安装至该基板时，该至少一封装壳穿过该至少一孔。一可对其操作以自该至少一封装壳移走热量之散热座具有至少一散热座杆，可操作该散热座杆以接收一位于每一该等至少一弹性臂之末端处之散热座夹子。每一该等至少一弹性臂自该至少一孔之一内缘延伸，且可操作该弹性臂以连接该散热座至该至少一封装壳。

9. 发明专利

TWI364713B 循序色彩複製之方法及裝置 SEQUENTIAL COLOR REPRODUCTION METHOD AND APPARATUS 有权
简体标题：循序色彩复制之方法及设备 SEQUENTIAL COLOR REPRODUCTION METHOD AND APPARATUS
公开(公告)号：TWI364713B
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW096150407
申请日：2007-12-26
申请人：德州儀器公司
发明人：雷傑夫雷曼納斯 , 唐諾B 多赫堤 , 格雷高力S 沛堤特
IPC分类号： G06K
CPC分类号： H04N1/6016 , G09G5/02 , G09G2310/0235 , G09G2320/0666 , G09G2340/06
摘要：一用於成像系統(100)中之改良色彩處理方法，可將輸入彩色圖像元件轉換為一彩色圖像元件輸出集，該等彩色圖像元件中至少一個為經使用一非線性轉換功能所轉換。
简体摘要：一用于成像系统(100)中之改良色彩处理方法，可将输入彩色图像组件转换为一彩色图像组件输出集，该等彩色图像组件中至少一个为经使用一非线性转换功能所转换。

10. 发明专利

TWI340453B 逆向針對針靜電放電之有效保護結構 EFFICIENT PROTECTION STRUCTURE FOR REVERSE PIN-TO-PIN ELECTROSTATIC DISCHARGE 有权
简体标题：逆向针对针静电放电之有效保护结构 EFFICIENT PROTECTION STRUCTURE FOR REVERSE PIN-TO-PIN ELECTROSTATIC DISCHARGE
公开(公告)号：TWI340453B
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：TW093110270
申请日：2004-04-13
申请人：德州儀器公司
发明人：強納森布魯斯基 , 羅伯史戴荷芬 , 莎米爾P 潘德哈卡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種靜電放電(ESD)保護結構，用以保護信號端間之ESD事件。ESD保護係配置在一第一極性，這是由一雙極性n-p-n電晶體(4C)形成在一n型井(64；164)中來達成，該雙極性電晶體具有一集極接觸(72；172)，其連接到一第一信號端(PIN1)，及具有一射極區域(68；168)及基極(66；166)，其連接到一第二信號端(PIN2)。對於逆向極性ESD保護，一二極體(25)形成在該相同n型井(64；164)中，這藉由一p+區域(78；178)連接到該第二信號端(PIN2)來達成，當作為該陽極。該陰極相當於該n型井(64；164)本身，此是與該集極接觸(72；172)相接觸。藉由對兩裝置使用該相同n型井(64；164)，可以大為減少要求用以實行該針對針保護之積體電路晶片區域。
简体摘要：本发明揭示一种静电放电(ESD)保护结构，用以保护信号端间之ESD事件。ESD保护系配置在一第一极性，这是由一双极性n-p-n晶体管(4C)形成在一n型井(64；164)中来达成，该双极性晶体管具有一集极接触(72；172)，其连接到一第一信号端(PIN1)，及具有一射极区域(68；168)及基极(66；166)，其连接到一第二信号端(PIN2)。对于逆向极性ESD保护，一二极管(25)形成在该相同n型井(64；164)中，这借由一p+区域(78；178)连接到该第二信号端(PIN2)来达成，当作为该阳极。该阴极相当于该n型井(64；164)本身，此是与该集极接触(72；172)相接触。借由对两设备使用该相同n型井(64；164)，可以大为减少要求用以实行该针对针保护之集成电路芯片区域。

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