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1. 实用新型

TWM364910U 繪圖用之數位筆失效
简体标题：绘图用之数码笔
公开(公告)号：TWM364910U
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：TW098205654
申请日：2009-04-08
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：吳豐光 WU, FONG GONG , 陳建旭 CHEN, CHIEN HSU , 賴麗如 LAI, LI RU
IPC分类号： G06F
摘要：本創作係為一種繪圖用之數位筆,係包括有本體、處理單元、筆刷單元、線條單元、色彩單元、飽和度單元、亮度單元、滴管單元及傳輸介面,使用者依所需之功能觸發上述各單元後,產生相對應之控制訊號至處理單元,並利用傳輸介面輸出經處理單元運算後之訊號至電子裝置上,藉可達到快速直覺且流暢繪圖之功效。
简体摘要：本创作系为一种绘图用之数码笔,系包括有本体、处理单元、笔刷单元、线条单元、色彩单元、饱和度单元、亮度单元、滴管单元及传输界面,用户依所需之功能触发上述各单元后,产生相对应之控制信号至处理单元,并利用传输界面输出经处理单元运算后之信号至电子设备上,藉可达到快速直觉且流畅绘图之功效。

2. 发明专利

TWI312982B 音訊信號切割演算法 AUDIO SIGNAL SEGMENTATION ALGORITHM 有权
简体标题：音频信号切割算法 AUDIO SIGNAL SEGMENTATION ALGORITHM
公开(公告)号：TWI312982B
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW095118143
申请日：2006-05-22
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：王駿發 WANG, JHINGFA , 黃朝欽 HUANG, CHAOCHING , 吳典家 WU, DIANJIA
IPC分类号： G10L
CPC分类号： G10L25/78
摘要：本發明揭露一種音訊信號切割演算法,至少包括下列步驟。首先,提供一音訊信號。接著,進行一音訊信號檢測步驟,將此音訊信號切割為至少一雜訊音段與至少一含雜訊的語音或音樂音段。然後,對含雜訊的語音或音樂音段進行一音訊特徵參數擷取步驟,以得到複數個音訊特徵參數。接下來,進行一平滑化處理步驟。接著,分辨出其中之複數個語音音框與複數個音樂音框,這些語音音框與音樂音框分別組成至少一語音音段與至少一音樂音段。最後再切割出語音音段與音樂音段。
简体摘要：本发明揭露一种音频信号切割算法,至少包括下列步骤。首先,提供一音频信号。接着,进行一音频信号检测步骤,将此音频信号切割为至少一噪声音段与至少一含噪声的语音或音乐音段。然后,对含噪声的语音或音乐音段进行一音频特征参数截取步骤,以得到复数个音频特征参数。接下来,进行一平滑化处理步骤。接着,分辨出其中之复数个语音音框与复数个音乐音框,这些语音音框与音乐音框分别组成至少一语音音段与至少一音乐音段。最后再切割出语音音段与音乐音段。

3. 发明专利

TW200931660A 氫氣感測器及其製造方法失效
简体标题：氢气传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW200931660A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097101222
申请日：2008-01-11
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：陳慧英 , 劉文超 , 林金田
IPC分类号： H01L , G01N
CPC分类号： H01L29/7787 , G01N27/4141 , G01N33/005
摘要：本發明係關於一種氫氣感測器及其製造方法,該氫氣感測器包括一半導體基底、一半導體緩衝層、一半導體主動層、一半導體蕭特基接觸層、一半導體帽層、一歐姆金屬接觸電極層、做為汲極與源極電極及做為閘極電極之蕭特基金屬接觸電極層以形成一金屬-半導體三端式電晶體結構之氫氣感測器;本發明提供之氫氣感測器製造方法係將無電鍍技術融合於一般半導體製程中,該蕭特基金屬接觸電極層係以無電鍍技術鍍覆於該半導體蕭特基接觸層上,以減少費米能階釘住效應,並强化該氫氣感測器之電性。
简体摘要：本发明系关于一种氢气传感器及其制造方法,该氢气传感器包括一半导体基底、一半导体缓冲层、一半导体主动层、一半导体萧特基接触层、一半导体帽层、一欧姆金属接触电极层、做为汲极与源极电极及做为闸极电极之萧特基金属接触电极层以形成一金属-半导体三端式晶体管结构之氢气传感器;本发明提供之氢气传感器制造方法系将无电镀技术融合于一般半导体制程中,该萧特基金属接触电极层系以无电镀技术镀覆于该半导体萧特基接触层上,以减少费米能阶钉住效应,并强化该氢气传感器之电性。

4. 发明专利

TW200926964A 可受逆境調控之啓動子及其應用 STRESS REGULATABLE PROMOTER AND USES THEREOF 审中-公开
简体标题：可受逆境调控之启动子及其应用 STRESS REGULATABLE PROMOTER AND USES THEREOF
公开(公告)号：TW200926964A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW096149970
申请日：2007-12-25
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：黃浩仁 HUANG, HAO JEN , 高天文 KAO, TIEN WEN , 陳盈汝 CHEN, YING RU , 黃定鼎 HUANG, DING DING , 蔡宗穆 TSAI, TSUNG MU , 紀文章 CHI, WEN CHANG
IPC分类号： A01H , C12N
摘要：本發明係提供一種可受逆境調控之啓動子,其包含選自由PaMAPK1啓動子及PaCDPK1啓動子及其功能性片段所組成之群。本發明亦提供該可受逆境調控之啓動子之應用。
简体摘要：本发明系提供一种可受逆境调控之启动子,其包含选自由PaMAPK1启动子及PaCDPK1启动子及其功能性片段所组成之群。本发明亦提供该可受逆境调控之启动子之应用。

5. 发明专利

TW200926824A 一種雙層式通用影像編碼方法 METHOD FOR UNIVERSAL TWO-LAYER IMAGE CODING 审中-公开
简体标题：一种双层式通用影像编码方法 METHOD FOR UNIVERSAL TWO-LAYER IMAGE CODING
公开(公告)号：TW200926824A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW096147724
申请日：2007-12-13
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：楊家輝 YANG, JAR FERR , 丁俊仁 DING, JUN REN
IPC分类号： H04N
摘要：本發明提供一種雙層式通用影像(Universal Two-layer Image Coding)編碼方法,第一層為原始標準既有的失真影像編碼層(Lossy layer),第二層為新增的差値影像編碼層(Difference layer)。其特徵在於將失真影像編碼層量化後的係數經由差値影像編碼層反轉成重建影像,然後與原始影像相減所得到的差値影像以既有的熵編碼器壓縮,合併第一層與第二層所得到的壓縮位元率為無失真影像壓縮位元率。由失真影像編碼層可以容易的設定量化參數獲得近似無失真影像壓縮位元率。此外,基於影像內文的變化率來適應性的選擇熵編碼器,以期達到改進區塊預測式與差動脈碼調變式的無失真影像編碼之壓縮率。
简体摘要：本发明提供一种双层式通用影像(Universal Two-layer Image Coding)编码方法,第一层为原始标准既有的失真影像编码层(Lossy layer),第二层为添加的差値影像编码层(Difference layer)。其特征在于将失真影像编码层量化后的系数经由差値影像编码层反转成重建影像,然后与原始影像相减所得到的差値影像以既有的熵编码器压缩,合并第一层与第二层所得到的压缩比特率为无失真影像压缩比特率。由失真影像编码层可以容易的设置量化参数获得近似无失真影像压缩比特率。此外,基于影像内文的变化率来适应性的选择熵编码器,以期达到改进区块预测式与差动脉码调制式的无失真影像编码之压缩率。

6. 发明专利

TW200924329A 全光纖型被動式Q-切換雷射失效
简体标题：全光纤型被动式Q-切换激光
公开(公告)号：TW200924329A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW096144909
申请日：2007-11-27
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：蔡宗祐 TSAI, TZONG YOW
IPC分类号： H01S
摘要：本發明提供一種全光纖型被動式Q-切換雷射,飽和吸收光纖可以吸收雷射波長,並且到達飽和後即不再吸收,而該飽和吸收光纖的核心直徑(或面積)比增益光纖的核心直徑(或面積)小,使得經過飽和吸收光纖核心的光强度密度大於經過增益光纖核心的光强度密度,因此可加速飽和吸收光纖達到飽和狀態,進而產生Q-切換雷射脈衝。
简体摘要：本发明提供一种全光纤型被动式Q-切换激光,饱和吸收光纤可以吸收激光波长,并且到达饱和后即不再吸收,而该饱和吸收光纤的内核直径(或面积)比增益光纤的内核直径(或面积)小,使得经过饱和吸收光纤内核的光强度密度大于经过增益光纤内核的光强度密度,因此可加速饱和吸收光纤达到饱和状态,进而产生Q-切换激光脉冲。

7. 发明专利

TW200923843A 一種決定影像巨集區塊之編碼模式的方法 A METHOD FOR DECIDING THE CODING MODE OF AN IMAGE MACRO BLOCK 审中-公开
简体标题：一种决定影像宏区块之编码模式的方法 A METHOD FOR DECIDING THE CODING MODE OF AN IMAGE MACRO BLOCK
公开(公告)号：TW200923843A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW096145739
申请日：2007-11-30
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：王駿發 WANG, JHING FA , 李冠儀 LEE, KUANI , 蔡安朝 TSAI, ANCHAO
IPC分类号： G06T
摘要：一種決定影像巨集區塊之編碼模式的方法。此方法至少包含:提供影片,此影片包含複數張影像,其中每一影像包含複數個巨集區塊,而每一巨集區塊包含複數個像素,每一像素具有像素强度値;提供複數個巨集區塊樣式;對每一巨集區塊依序進行編碼模式選擇步驟,以獲得每一巨集區塊之編碼模式,其中編碼模式選擇步驟至少包含:將巨集區塊之像素强度値表示為高斯分布函數,其中此高斯分布函數至少包含標準方差;判斷此標準方差是否小於預設閥値,並同時考慮巨集區塊及移動向量的碼率,以提供判斷結果;以及根據此判斷結果來選擇編碼模式。
简体摘要：一种决定影像宏区块之编码模式的方法。此方法至少包含:提供影片,此影片包含复数张影像,其中每一影像包含复数个宏区块,而每一宏区块包含复数个像素,每一像素具有像素强度値;提供复数个宏区块样式;对每一宏区块依序进行编码模式选择步骤,以获得每一宏区块之编码模式,其中编码模式选择步骤至少包含:将宏区块之像素强度値表示为高斯分布函数,其中此高斯分布函数至少包含标准方差;判断此标准方差是否小于默认阀値,并同时考虑宏区块及移动矢量的码率,以提供判断结果;以及根据此判断结果来选择编码模式。

8. 发明专利

TW200920577A 使高分子形成圖案之方法审中-公开
简体标题：使高分子形成图案之方法
公开(公告)号：TW200920577A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096142976
申请日：2007-11-14
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：洪敏雄 HON, MIN HSIUNG , 賴冠良 LAI, GUAN LIANG , 呂英治 LEU, ING CHI , 洪昭南 HONG, CHAU NAN
IPC分类号： B29B , B29C , B29K
摘要：本發明係關於一種使高分子具有圖案之方法,其係利用溶液輔助,提高高分子之流動性,使模具易於轉移圖案至高分子上,本發明係為一種低溫低壓之製程,且可於高分子表面形成微/奈米尺寸之圖案,有效降低高溫或高壓可能對高分子或承載基板造成之傷害。
简体摘要：本发明系关于一种使高分子具有图案之方法,其系利用溶液辅助,提高高分子之流动性,使模具易于转移图案至高分子上,本发明系为一种低温低压之制程,且可于高分子表面形成微/奈米尺寸之图案,有效降低高温或高压可能对高分子或承载基板造成之伤害。

9. 发明专利

TWI309230B 重金屬污泥鐵氧磁體安定化方法失效
简体标题：重金属污泥铁氧磁体安定化方法
公开(公告)号：TWI309230B
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW094101963
申请日：2005-01-24
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：陳宏達 CHEN, HUNG TA , 張祖恩 CHANG, JUU EN , 柯家宇 KO, CHIA YU , 盧幸成 LU, HSING CHENG , 施百鴻 SHIH, PAI HAUNG , 吳佳正 WU, CHIA CHENG , 蕭宏蒝 HSIAO, HUNG YUAN
IPC分类号： C02F
摘要：本發明係在提供一種重金屬污泥鐵氧磁體安定化方法,其主要係利用重金屬污泥所含大量鐵鹽,以鐵氧磁體高溫合成法(Pyrometallurgy)處理重金屬污泥,控制重金屬污泥中Fe/M莫爾比>3.5,再以700-1100℃持溫進行高溫合成處理;如此,可使鐵氧磁體產物確實安定化,且符TCLP標準,而可供作為無害之資源化材料,所具磁性特性並可增加其應用價値,利用此一處理技術可將廢棄物予以資源化,達到減廢及資源永續使用之目的。
简体摘要：本发明系在提供一种重金属污泥铁氧磁体安定化方法,其主要系利用重金属污泥所含大量铁盐,以铁氧磁体高温合成法(Pyrometallurgy)处理重金属污泥,控制重金属污泥中Fe/M莫尔比>3.5,再以700-1100℃持温进行高温合成处理;如此,可使铁氧磁体产物确实安定化,且符TCLP标准,而可供作为无害之资源化材料,所具磁性特性并可增加其应用价値,利用此一处理技术可将废弃物予以资源化,达到减废及资源永续使用之目的。

10. 发明专利

TW200912282A 微流體晶片螢光分析儀失效
简体标题：微流体芯片萤光分析仪
公开(公告)号：TW200912282A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW096134489
申请日：2007-09-14
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：李國賓 , 楊松益
IPC分类号： G01N
摘要：一種微流體晶片螢光分析儀,可搭配微流體晶片使用,包含一機台、一供晶片設置定位之定位裝置、一可產生將晶片中之磁珠吸引定位之磁力的磁吸裝置、一可驅使晶片之幫浦機構與閥門機構作動之充氣裝置、一可朝晶片發射雷射光束並感測晶片發出之螢光的光學檢測裝置,及一用以程式化自動控制上述各裝置之作動的中控裝置。透過上述可與微流體晶片結合之螢光分析儀的結構設計,除了可全自動化檢測外,更可藉由微流體晶片中之磁珠、檢體及偵測抗體的免疫螢光反應,快速地對固定於磁珠上之特定微生物進行定性與定量,相當省時方便且實用。
简体摘要：一种微流体芯片萤光分析仪,可搭配微流体芯片使用,包含一机台、一供芯片设置定位之定位设备、一可产生将芯片中之磁珠吸引定位之磁力的磁吸设备、一可驱使芯片之帮浦机构与阀门机构作动之充气设备、一可朝芯片发射激光光束并传感芯片发出之萤光的光学检测设备,及一用以进程化自动控制上述各设备之作动的中控设备。透过上述可与微流体芯片结合之萤光分析仪的结构设计,除了可全自动化检测外,更可借由微流体芯片中之磁珠、检体及侦测抗体的免疫萤光反应,快速地对固定于磁珠上之特定微生物进行定性与定量,相当省时方便且实用。

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