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    • 7. 发明专利
    • 一種利用低成本的薄膜濺鍍技術製作氮化鎵為主之n/p二極體
    • 一种利用低成本的薄膜溅镀技术制作氮化镓为主之n/p二极管
    • TW201515241A
    • 2015-04-16
    • TW102135733
    • 2013-10-02
    • 國立台灣科技大學NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • 郭東昊KUO, DONG HAU李成哲LI, CHENG CHE顏煒峻YAN, WEI JYUN
    • H01L29/861H01L21/28
    • 本發明係以物理濺鍍法製作堆疊的n型與p型GaN為主之薄膜於基板上,製作出p/n半導體接面,同時以白金電極與p型GaN半導體形成歐姆接觸,再利用濺鍍法鍍Al薄膜電極,並使n型GaN與Al薄膜電極間形成歐姆接觸,得完成p/n GaN為主之二極體製作,其中n型GaN薄膜選用純GaN與InGaN,而p型GaN薄膜選用以Mg摻雜之GaN與InGaN。所得n/p GaN二極體元件於-1V下的漏電流約10-6-10-7 amp.。此二極體元件於室溫與100℃環境測試,其啟動電壓僅降低15%左右;此二極體元件經500℃的高溫氮氣氛的退火測試後,其啟動電壓亦僅降低15%左右,證明此p/n GaN二極體具有熱穩定性。採用n型或p型InGaN製作二極體時,漏電流性質改善但升溫量測的啟動電壓衰減速率增大。
    • 本发明系以物理溅镀法制作堆栈的n型与p型GaN为主之薄膜于基板上,制作出p/n半导体接面,同时以白金电极与p型GaN半导体形成欧姆接触,再利用溅镀法镀Al薄膜电极,并使n型GaN与Al薄膜电极间形成欧姆接触,得完成p/n GaN为主之二极管制作,其中n型GaN薄膜选用纯GaN与InGaN,而p型GaN薄膜选用以Mg掺杂之GaN与InGaN。所得n/p GaN二极管组件于-1V下的漏电流约10-6-10-7 amp.。此二极管组件于室温与100℃环境测试,其启动电压仅降低15%左右;此二极管组件经500℃的高温氮气氛的退火测试后,其启动电压亦仅降低15%左右,证明此p/n GaN二极管具有热稳定性。采用n型或p型InGaN制作二极管时,漏电流性质改善但升温量测的启动电压衰减速率增大。