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1. 发明专利

TW201128808A 半導體發光元件封裝結構 PACKAGE OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体发光组件封装结构 PACKAGE OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201128808A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099103137
申请日：2010-02-03
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：簡克偉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體發光元件封裝結構,主要是在半導體發光元件封裝結構之基板及導線架設置複數個奈米反射結構,以增加反射效果。此外,上述複數個奈米反射結構彼此間的間距(P)係小於可見光波長的1/2,並且該複數個奈米反射結構間之間隙具有一深度(H),於本發明較佳的實施例中,上述間隙的深度與間距的比値係大於或等於2。
简体摘要：本发明提供一种半导体发光组件封装结构,主要是在半导体发光组件封装结构之基板及导线架设置复数个奈米反射结构,以增加反射效果。此外,上述复数个奈米反射结构彼此间的间距(P)系小于可见光波长的1/2,并且该复数个奈米反射结构间之间隙具有一深度(H),于本发明较佳的实施例中,上述间隙的深度与间距的比値系大于或等于2。

2. 发明专利

TW201126765A 化合物半導體之封裝結構及其製造方法 PACKAGE STRUCTURE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：化合物半导体之封装结构及其制造方法 PACKAGE STRUCTURE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201126765A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099102578
申请日：2010-01-29
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：陳志明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/56 , H01L23/495 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明揭露一種化合物半導體元件之封裝結構，包含一基板，具有第一表面及相對於第一表面之第二表面，複數個金屬柱，導通該基板之該第一表面及相對於該第一表面之該第二表面，一反射杯，圍繞於該基板之第一表面以及形成一功能區，一反射層，覆蓋於該反射杯及該功能區表面，並且露出部分之第一電極區域以及部分之第二電極區域，至少一個以上之化合物半導體晶粒，固接於該功能區上，以及一透明膠，覆蓋於該至少一個以上之化合物半導體晶粒，其反射層除了可增加元件之亮度外，亦有均溫的功能。再者，本發明同時提供封裝結構之製造方法。
简体摘要：本发明揭露一种化合物半导体组件之封装结构，包含一基板，具有第一表面及相对于第一表面之第二表面，复数个金属柱，导通该基板之该第一表面及相对于该第一表面之该第二表面，一反射杯，围绕于该基板之第一表面以及形成一功能区，一反射层，覆盖于该反射杯及该功能区表面，并且露出部分之第一电极区域以及部分之第二电极区域，至少一个以上之化合物半导体晶粒，固接于该功能区上，以及一透明胶，覆盖于该至少一个以上之化合物半导体晶粒，其反射层除了可增加组件之亮度外，亦有均温的功能。再者，本发明同时提供封装结构之制造方法。

3. 发明专利

TW201119100A 發光二極體及其製程 LED DEVICE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF 失效
简体标题：发光二极管及其制程 LED DEVICE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
公开(公告)号：TW201119100A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW098140393
申请日：2009-11-26
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：林昇柏 , 張超雄 , 曾文良
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體及其製程,包含下列步驟:提供一基板組合體,該基板組合體具有一基板、分別設置在該基板上、下表面的多數條上、下電極部、分別介於該等上、下電極部間的多數條上、下蝕刻部、多數個相間隔且貫穿該基板與該等上、下電極部的孔洞,及多數個分別在界定出每一孔洞的內周壁面設置的連接電極部。接著,形成多數個分別封閉每一上電極部的多數上開口的阻隔單元,最後在二上電極部間設置發光二極體晶片並形成一覆蓋層,經切割後就製得發光二極體。透過該製程可提升基板利用率,並能進行二次成型而增進發光二極體發光强度。
简体摘要：一种发光二极管及其制程,包含下列步骤:提供一基板组合体,该基板组合体具有一基板、分别设置在该基板上、下表面的多数条上、下电极部、分别介于该等上、下电极部间的多数条上、下蚀刻部、多数个相间隔且贯穿该基板与该等上、下电极部的孔洞,及多数个分别在界定出每一孔洞的内周壁面设置的连接电极部。接着,形成多数个分别封闭每一上电极部的多数上开口的阻隔单元,最后在二上电极部间设置发光二极管芯片并形成一覆盖层,经切割后就制得发光二极管。透过该制程可提升基板利用率,并能进行二次成型而增进发光二极管发光强度。

4. 发明专利

TW201119077A 發光二極體及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光二极管及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201119077A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW098139617
申请日：2009-11-20
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：林文禹 , 黃世晟 , 凃博閔 , 吳芃逸
IPC分类号： H01L
摘要：在此揭露一種製造發光二極體的方法,此方法包括以下步驟。提供一基材;形成一光學層於此基材上;施加約1000℃至約1500℃之熱處理,使光學層之一表面產生多數不規則孔洞;形成一第一半導體層於光學層上,其中第一半導體層材料之折射率大於光學層材料之折射率;形成一活性層於第一半導體層上;以及形成一第二半導體層於活性層上。
简体摘要：在此揭露一种制造发光二极管的方法,此方法包括以下步骤。提供一基材;形成一光学层于此基材上;施加约1000℃至约1500℃之热处理,使光学层之一表面产生多数不守则孔洞;形成一第一半导体层于光学层上,其中第一半导体层材料之折射率大于光学层材料之折射率;形成一活性层于第一半导体层上;以及形成一第二半导体层于活性层上。

5. 发明专利

TW201115794A 發光二極體封裝結構及其製備方法 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：发光二极管封装结构及其制备方法 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201115794A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW098135030
申请日：2009-10-16
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：林昇柏 , 張超雄 , 曾文良
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體封裝結構包含一具一第一表面之基部、連接於該基部之一電極部、設置於該第一表面上之一對內電極、一對外電極、一對導電柱、一發光二極體晶粒以及一覆蓋層。各外電極包含一端面段與一側面段,該些端面段相對應於該些內電極而設置於電極部之第二表面上。各該側面段位於相對應之該電極部之該側面。該些導電柱穿設於該些內電極與該些外電極之間。發光二極體晶粒設置於該第一表面上,且電性連接該些內電極。覆蓋層覆蓋於該發光二極體晶粒。
简体摘要：一种发光二极管封装结构包含一具一第一表面之基部、连接于该基部之一电极部、设置于该第一表面上之一对内电极、一对外电极、一对导电柱、一发光二极管晶粒以及一覆盖层。各外电极包含一端面段与一侧面段,该些端面段相对应于该些内电极而设置于电极部之第二表面上。各该侧面段位于相对应之该电极部之该侧面。该些导电柱穿设于该些内电极与该些外电极之间。发光二极管晶粒设置于该第一表面上,且电性连接该些内电极。覆盖层覆盖于该发光二极管晶粒。

6. 发明专利

TW201114062A 高亮度發光二極體及其製作方法 HIGH-BRIGHTNESS LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：高亮度发光二极管及其制作方法 HIGH-BRIGHTNESS LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201114062A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW098133376
申请日：2009-10-01
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：洪梓健 , 沈佳輝 , 馬志邦
IPC分类号： H01L
摘要：一種高亮度發光二極體,包含一承載基板以及一設置於該承載基板上之磊晶複合層。該承載基板包含一金屬材料與一介質,且該介質之熱膨脹係數小於該金屬材料之熱膨脹係數。
简体摘要：一种高亮度发光二极管,包含一承载基板以及一设置于该承载基板上之磊晶复合层。该承载基板包含一金属材料与一介质,且该介质之热膨胀系数小于该金属材料之热膨胀系数。

7. 发明专利

TW201106506A 具有防水功能的表面黏著型發光二極體元件、具有防水功能的發光二極體模組以及其製作方法 SMD-LED COMPONENT AND LED MODULE WITH WATERPROOF FUNCTION, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：具有防水功能的表面黏着型发光二极管组件、具有防水功能的发光二极管模块以及其制作方法 SMD-LED COMPONENT AND LED MODULE WITH WATERPROOF FUNCTION, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201106506A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW098126211
申请日：2009-08-04
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：謝明村 , 陳隆欣 , 林昇柏 , 葉進連 , 林志勇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L25/167 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
摘要：一種具有防水功能的表面黏著型發光二極體元件,包含有一支架、一發光二極體晶片、一防水保護膜以及一封膠材料。支架包含有引腳,發光二極體晶片則固定於支架之引腳之上。防水保護膜包覆發光二極體晶片與支架的部份區域,並露出部份的引腳,以用來與一電路板連接,而封膠材料則亦形成於支架上,並包覆發光二極體晶片。此外,一種具有防水功能的發光二極體模組,以及發光二極體元件與模組的製作方法亦在此揭露。
简体摘要：一种具有防水功能的表面黏着型发光二极管组件,包含有一支架、一发光二极管芯片、一防水保护膜以及一封胶材料。支架包含有引脚,发光二极管芯片则固定于支架之引脚之上。防水保护膜包覆发光二极管芯片与支架的部份区域,并露出部份的引脚,以用来与一电路板连接,而封胶材料则亦形成于支架上,并包覆发光二极管芯片。此外,一种具有防水功能的发光二极管模块,以及发光二极管组件与模块的制作方法亦在此揭露。

8. 发明专利

TW201103164A 提高光萃取效率之半導體光電結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC STRUCTURE OF INCREASED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY AND FABRICATED THEREOF 审中-公开
简体标题：提高光萃取效率之半导体光电结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC STRUCTURE OF INCREASED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY AND FABRICATED THEREOF
公开(公告)号：TW201103164A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW098123854
申请日：2009-07-15
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：黃世晟 , 凃博閔 , 吳芃逸 , 林文禹 , 馬志邦 , 洪梓健 , 沈佳輝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/22
摘要：本發明為一種提高光萃取效率的半導體光電結構及其製造方法，其特徵在發光層下方形成連續性的孔洞，用以反射發光層發射的光，提高出光面的光強度以及亮度。
简体摘要：本发明为一种提高光萃取效率的半导体光电结构及其制造方法，其特征在发光层下方形成连续性的孔洞，用以反射发光层发射的光，提高出光面的光强度以及亮度。

9. 发明专利

TW201031862A 發光二極體燈泡 LIGHT EMITTING DIODE LAMP 审中-公开
简体标题：发光二极管灯泡 LIGHT EMITTING DIODE LAMP
公开(公告)号：TW201031862A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW098106111
申请日：2009-02-26
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：塗上德 , 張家誠 , 陳正豪
IPC分类号： F21V , F21Y
摘要：本發明之發光二極體燈泡包含一光源模組及一燈體。該光源模組包含複數個發光二極體、一柱型基座及一導流罩。柱型基座包含一通道、一側邊圍繞該通道之外側表面與設置於通道內之一散熱結構。該等發光二極體周設於該外側表面。該導流罩設置於該柱型基座之一端。該燈體包含一燈殼、一風扇及一接頭。燈殼具一開口,該導流罩之該套接部套接於該開口。該風扇收容於該燈殼之內,其中該導流罩連接於該開口,使氣流得經該導流罩進入該散熱結構。該接頭設置於該燈殼,用於電性連接一外部電源,並使該發光二極體與該風扇得藉此連接獲得相對應之驅動電源。
简体摘要：本发明之发光二极管灯泡包含一光源模块及一灯体。该光源模块包含复数个发光二极管、一柱型基座及一导流罩。柱型基座包含一信道、一侧边围绕该信道之外侧表面与设置于信道内之一散热结构。该等发光二极管周设于该外侧表面。该导流罩设置于该柱型基座之一端。该灯体包含一灯壳、一风扇及一接头。灯壳具一开口,该导流罩之该套接部套接于该开口。该风扇收容于该灯壳之内,其中该导流罩连接于该开口,使气流得经该导流罩进入该散热结构。该接头设置于该灯壳,用于电性连接一外部电源,并使该发光二极管与该风扇得借此连接获得相对应之驱动电源。

10. 外观设计

TWD136058S 發光二極體燈泡 LED LIGHT BULB 有权
简体标题：发光二极管灯泡 LED LIGHT BULB
公开(公告)号：TWD136058S
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW098304616
申请日：2009-09-30
申请人：先進開發光電股份有限公司 , 奇美電子股份有限公司
设计人： 上德 , 簡克偉 , 張家誠 , 黃士豪
摘要：【物品用途】
本創作係提供一種發光二極體燈泡的形狀新式樣。
【創作特點】
本創作之發光二極體燈泡具有一水滴狀的外型，其包含一燈罩、一散熱結構以及一螺旋頭。該燈罩位於燈泡的上半部，具有一半球體之形狀。該散熱結構係位於燈泡的中段部位，由該燈罩的球體周邊向下延伸而形成，該散熱結構具有凹陷的立體格狀設計，該散熱結構具有凹陷的立體格狀設計，且最下一排格子的長度大約為其餘上排格子的總長，每個格子靠近上半部(即水滴圓弧處)其角度皆設計有圓弧。該螺旋頭位於燈泡的下半部，為水滴狀外型的末端。本創作發光二極體燈泡具有水滴狀的外型，並配合散熱結構特殊的立體格狀設計，可提升整體之優雅美感。
简体摘要：【物品用途】本创作系提供一种发光二极管灯泡的形状新式样。【创作特点】本创作之发光二极管灯泡具有一水滴状的外型，其包含一灯罩、一散热结构以及一螺旋头。该灯罩位于灯泡的上半部，具有一半球体之形状。该散热结构系位于灯泡的中段部位，由该灯罩的球体周边向下延伸而形成，该散热结构具有凹陷的三維格状设计，该散热结构具有凹陷的三維格状设计，且最下一排格子的长度大约为其余上排格子的总长，每个格子靠近上半部(即水滴圆弧处)其角度皆设计有圆弧。该螺旋头位于灯泡的下半部，为水滴状外型的末端。本创作发光二极管灯泡具有水滴状的外型，并配合散热结构特殊的三維格状设计，可提升整体之优雅美感。

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